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公开(公告)号：KR100660652B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020050129202
申请日：2005-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: An MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) type electromagnetic noise filter structure and an RF IC device with the same are provided to minimize the volume and complexity of circuitry and to improve a noise removing efficiency by manufacturing nonlinear semiconductor elements and a noise filter as one piece. A dielectric thin film(42) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(41). A coplanar signal line(43) is formed on the dielectric thin film. Both end portions of the coplanar signal line are connected with input/output portions. First and second coplanar ground lines(44a,44b) are formed at both sides of the coplanar signal line on the dielectric thin film.
Abstract translation: 提供MMIC（单片微波集成电路）型电磁噪声滤波器结构和具有该结构的RF IC器件以最小化电路的体积和复杂性，并且通过将非线性半导体元件和噪声滤波器制造为一体来提高噪声去除效率 。 电介质薄膜（42）形成在半导体衬底（41）的上表面上。 共面信号线（43）形成在电介质薄膜上。 共面信号线的两端部分与输入/输出部分连接。 第一和第二共面接地线（44a，44b）形成在电介质薄膜上的共面信号线的两侧。
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52.发明授权
公开(公告)号：KR100650416B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050027805
申请日：2005-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100619300B1
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：KR1020050085717
申请日：2005-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 온 오프 동작 마진이 크고 잡음이 적은 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 채널이 형성된 기판부와; 상기 기판부 상에 서로 이격되어 배치되고 자화 방향이 서로 동일한 강자성체인 소스 및 드레인과; 상기 기판부 상에 형성되어, 상기 채널을 통과하는 전자의 스핀 방향을 조절하는 게이트를 포함하고, 상기 소스 및 드레인의 자화 방향은 상기 채널의 길이 방향과 수직이다.
스핀 트랜지스터, 스핀, 자화Abstract translation: 由此提供具有大的ON / OFF操作余量和低噪声的自旋晶体管。 根据本发明的自旋晶体管包括：衬底部分，其上形成有沟道; 源极和漏极，其设置在衬底上并且彼此间隔开并且在磁化方向上为铁磁性的; 以及形成在衬底部分上的栅极，用于调整通过沟道的电子的自旋方向，源极和漏极的磁化方向垂直于沟道的纵向。
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公开(公告)号：KR100533648B1
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020030016173
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/1936 , C25D3/54 , C25D5/50 , G11C11/14 , H01F1/401 , H01F41/18 , H01F41/26 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 상온에서 큰 자기저항을 갖는 반금속 Bi 박막과 이를 이용한 스핀트로닉스 소자의 제조에 관한 것이다. 본 발명의 Bi 박막은 전기도금법과 스퍼터링법에 의하여 제조할 수 있으며, 상온에서 매우 큰 자기저항의 특성을 보이므로 다양한 스핀전자소자로 응용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100275652B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980005499
申请日：1998-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/06
Abstract: PURPOSE: A thin film cantilever coated with self-deformation alloy capable of forming a substrate by fine processing of silicon wafers and exhibiting high self-deformation under low magnetic field is provided, which has high displacement under low magnetic field. CONSTITUTION: The titled cantilever is formed of a silicon substrate and a Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film coated on one surface of the silicon substrate. The Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film has the formula: TbxFeyBz in which x, y, z are atom % and 43.5≤x≤62.4, 37.3≤y≤56.5 and z≤ 0.4(x+y+z=100).
Abstract translation: 目的：提供一种能够通过硅晶片的精细加工形成基底并在低磁场下显示高自变形的自变形合金的薄膜悬臂，其在低磁场下具有高位移。 构成：标题悬臂由硅衬底和涂覆在硅衬底的一个表面上的Tb-Fe-B基巨型自变形合金薄膜形成。 Tb-Fe-B型巨型自变形合金薄膜具有下式：Tb x FeyBz，其中x，y，z为原子％，43.5≤x≤62.4,37.3≤y≤56.5，z≤0.4（x + y + Z = 100）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100270605B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019980014602
申请日：1998-04-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01F41/183 , C21D2201/03 , C22C38/002 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , H01F10/131 , H01F10/138 , H01F41/18
Abstract: PURPOSE: A process for preparing the titled alloy having high-saturation magnetic flux density and excellent soft-magnetism in a high-frequency area of several tens MHz or more is provided, thereby obtaining excellent soft-magnetism without heat treatment. CONSTITUTION: An iron soft magnetic thin film alloy for magnetic head expressed by a composition expression of Fex Hfy Cz Ny is manufactured by the sputtering method. Each atom % of x, y, v, and w in this case satisfies 68≤x≤85, 4≤y≤10, 0≤z≤12, 3≤ v≤12, 15≤y+z+v≤32 (x+y+z+v=100). The thin film alloy has ultrafine crystal grains in a vapor deposition state without heat treatment.
Abstract translation: 目的：提供在数十MHz以上的高频区域制备具有高饱和磁通密度和优异软磁性的标准合金的方法，从而获得优异的软磁性而不进行热处理。 构成：通过溅射法制造由Fex Hfy Cz Ny的组成表达式表示的用于磁头的铁软磁性薄膜合金。 在这种情况下，x，y，v和w的每个原子％满足68≤x≤85,4≤y≤10,0≤z≤12,3≤v≤12,15≤y+ z +v≤32（ X + Y + Z + v = 100）。 该薄膜合金在没有热处理的情况下具有气相沉积状态的超细晶粒。
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公开(公告)号：KR1020000013389A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980032225
申请日：1998-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/165 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: PURPOSE: A Tb-based giant magnetostriction alloy thin film provides high reaction rate and great magnetostriction event at a low Tb content and hence good characteristics as a driving material of microdevices. CONSTITUTION: The Tb-based giant magnetostriction alloy thin film comprises 42.74 to 55.28 atom % of Tb, 43.47 to 54.1 atom % and 0.4 to 5.59 atom % of B; or 38.44 to 45.90 atom % of Tb, 53.72 to 60.93 atom %, and 0.33 to 2.19 atom % of Sm.
Abstract translation: 目的：基于Tb的巨磁致伸缩合金薄膜在低Tb含量下提供高反应速率和大的磁致伸缩事件，因此作为微器件的驱动材料具有良好的特性。 构成：Tb系大型磁致伸缩合金薄膜含有42.74〜55.28原子％的Tb，43.47〜54.1原子％，B为0.4〜5.59原子％ 或38.44〜45.90原子％的Tb，53.72〜60.93原子％，0.33〜2.19原子％的Sm。
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公开(公告)号：KR1019950009760A
公开(公告)日：1995-04-24
申请号：KR1019930017669
申请日：1993-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/00
Abstract: 본 발명은 Fe-Hf 2원계를 기본조성으로 하는 Fe-Hf-CN계 및 Fe-Hf-CNO계의 자기헤드용 철계 연자성 박막합금에 관한 것이다.
본 발명 박막합금은 다음의 조성식,
Fe
x Hf
y C
Z N
v O
w
(식 중, x, y, v, w는 각각 원자%로서, 71 ≤x ≤ 86, 5.5 ≤ y ≤ 10.5, 1 ≤ z ≤ 13, 1 ≤ v ≤ 13, 0 ≤ w ≤ 3, 7.5 ≤ z+v+w ≤ 18.5, x+y+z+v+w=100임으로 이루어지며 스피터링 등의 방법에 의해 제조된다.
본 발명은 자기헤드용 철계 연자성 합금은 종래의 연자성 박막합금에서 단점으로 지적되고 있는 고포화자속밀도와 고투자율 및 내열성을 동시에 보유하는 우수한 연자기 특성을 지니므로 박막 자기헤드 및 MIG(metal in gap) 헤드용 재료로 적합하다.-
公开(公告)号：KR101711524B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 公开了包括拓扑绝缘体的晶体管。 晶体管包括：衬底; 设置在基板上的拓扑绝缘体; 设置在拓扑绝缘体上的漏电极; 与所述漏电极分离的源电极，设置在所述拓扑绝缘体上，并且包含铁磁性物质; 设置在源电极上的隧道结层; 以及设置在隧道结层上的栅电极。 拓扑绝缘体的自旋方向由流过其表面的电流固定，并且通过施加到栅电极的电压将源极的自旋方向改变到预定方向。
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公开(公告)号：KR1020170009109A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 提供了包括相位绝缘体的晶体管。 Iv）源电极，其与漏电极隔开并位于相绝缘体层上，源电极包括铁磁材料; v）位于相绝缘体层上方的源电极; 位于源电极之上的隧道结层，以及vi）位于隧道结层之上的栅电极。 相绝缘体层的自旋方向由其表面上流动的电流固定，并且源电极的自旋方向根据施加到栅电极的电压在设定方向上改变。
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