-
公开(公告)号：KR1019970048457A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950047433
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 마이크로 자이로스코프는, 원판형 진동체(2)를 지지하기 위한 지지대(3); 상부 구동전극(4)과의 정전력에 의해 가진되어 회전시 공진주파수를 2개의 서로 다른 근접한 주파수로 천이시키기 위한 원판형 진동체(2); 원판형 진동체(2)와의 정전용량 변화에 의해 자이로스코의 회전 각속도를 검출하기 위한 하부 검출전극(5); 및 상기한 원판형 진동체(2)를 구동시키기 위한 상부 구동전극(4)을 포함한다.
또한, 본 발명의 마이크로 자이로스코프 제조방법은, 실리콘 기판(1) 상에 절연층(6)을 증착시키고, P형 또는 N형 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 전기한 절연층(6) 위에 증착시키고, 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 소정 부분을 제외한 나머지 부분을 제거하여 신호검출을 위한 하부 검출전극(5)을 형성하는 공정; 하부 희생층(8)으로서 상기 공정에서 얻어진 구조의 전 표면에 산화막을 PECVD법에 의해 증착하고, 하부 검출전극(5) 간의 절연층(6)이 노출되도록 하부 희생층(8)을 건식 식각에 의해 형성하는 공정; 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 하부 희생층(8) 상에 증착하고, 지지대(3) 및 원판형 진동체(2)를 제외한 부분을 건식 식각하는 공정; 산화막의 하부 희생층(8)을 PECVD법에 의해 상기한 지지대(3) 및 원판형 진동체(2) 상에 증착하고 공정; 패턴을 형성하고 상기한 하부 검출전극(5)에 도핑된 불순물과 동일한 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 상기한 상부 희생층(7) 상에 증착하는 공정; 및, 상기한 상부 희생층(7) 및 하부 희생층(8)을 습식 식각하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1019970009971B1
公开(公告)日：1997-06-19
申请号：KR1019930028479
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: The present invention relates to a method of making a diaphragm by using a substrate junction and a silicon substrate's anisotropic etching characteristics. This method includes the steps of preparing substrates (301, 302) different from each other in crystal direction; joining the substrates (301, 302) and making the substrate (301) thin to a given thickness by grinding; forming etching-protecting mask on the substrate (302) and selectively removing the substrate (302) relatively faster than removing the substrate (301) by using the anisotropic etching characteristics.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用衬底接合和硅衬底的各向异性蚀刻特性来制造隔膜的方法。 该方法包括在晶体方向上准备彼此不同的衬底（301,302）的步骤; 通过研磨使所述基板（301,302）接合并使所述基板（301）变薄至给定厚度; 在基板（302）上形成蚀刻保护掩模，并且通过使用各向异性蚀刻特性比去除基板（301）相对更快地选择性地移除基板（302）。
-
公开(公告)号：KR1019970006742B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930028481
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: A method is described that uses a substrate joining technique and anisotropic etching characteristic of a silicon substrate to fabricate the detection part of a pressure sensor. The method includes of the steps of joining two substrates 201 and 202 having a crystal direction different from each other via an oxide layer 202, making one of the substrates 201 and 202 be the thin film having a thickness of a diaphram 207, forming a pressure receiving part 205 at a desired portion of the the substrates 201 using selective anisotropic etching, and etching the substrates 201 to form a space region 206 between the the substrates 201 and diaphram 207. Thereby, it is possible to form the detection part having a wider section area of diaphram 207 than that of the pressure receiving part 205.
Abstract translation: 描述了使用硅衬底的衬底接合技术和各向异性蚀刻特性来制造压力传感器的检测部分的方法。 该方法包括通过氧化物层202将具有彼此不同的晶体方向的两个基板201和202接合的步骤，使得基板201和202中的一个成为厚度为20μm的薄膜，形成压力 使用选择性各向异性蚀刻在基板201的期望部分处接收部分205，并且蚀刻基板201以在基板201和二角膜207之间形成空间区域206.由此，可以形成具有更宽的检测部分 堤面207的剖面面积大于受压部分205的截面面积。
-
公开(公告)号：KR1019970004214B1
公开(公告)日：1997-03-26
申请号：KR1019930029625
申请日：1993-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01H59/00
Abstract: The micro relay for operating with low voltage less than 10 V has rapid response speed less than 100 micro second. The relay has a cantilever shape thin metal electrode on SiO2 insulator. The gap between electrodes is less than 2 micro meter to be driven with low voltage. It also uses liquified mercury as upper cover plate to maintain low contact resistance and prolong operation time.
Abstract translation: 用于低于10 V低电压工作的微型继电器，响应速度快于100微秒。 继电器在SiO2绝缘体上具有悬臂形薄金属电极。 电极之间的间隙小于2微米，以低电压驱动。 它还使用液化汞作为上盖板，以保持低接触电阻并延长操作时间。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950007349B1
公开(公告)日：1995-07-10
申请号：KR1019920006000
申请日：1992-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: The method includes the steps of sequentially forming a Si3N4 layer (2) and a SiO2 layer (3) on a Si substrate (1), forming and patterning a polymethyl methacrylate layer (4) on the layer (3) to form an aperture, isotropically etching the exposed layer (3) to deposit a thin Si film (5) thereon to lift-off the layer (4) to remove the layer (3) to heat-treat the substrate, forming a SiO2 layer (6) thereon to apply and pattern a polymethyl methacrylate thereon to etch the layer (6), depositing and lifting-off an Al film to form a gate and a gate pad and forming an aperature, thereby forming a simple over hang structure to improve the process yield.
Abstract translation: 该方法包括在Si衬底（1）上顺序地形成Si 3 N 4层（2）和SiO 2层（3）的步骤，在层（3）上形成和图案化聚甲基丙烯酸甲酯层（4）以形成孔， 各向同性蚀刻暴露层（3）以在其上沉积薄Si膜（5）以剥离层（4）以去除层（3）以热处理基板，在其上形成SiO 2层（6） 施加和图案化聚甲基丙烯酸甲酯以蚀刻层（6），沉积和剥离Al膜以形成栅极和栅极焊盘并形成温度，由此形成简单的过悬挂结构以提高工艺产率。
-
-
公开(公告)号：KR100078839B1
公开(公告)日：1994-11-02
申请号：KR1019910010394
申请日：1991-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3205
-
公开(公告)号：KR1019940010558B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910016477
申请日：1991-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: The method provides a vertical gate quantum interference transistor which has characteristics of usual FET but high operation speed and low power consumption by using electron wave property. The device includes an AlGaAs/GaAs/AlGaAs dual quantum well structure made to insert GaAs layer having narrow energy gap in AlGaAs layer with wide energy gap of active region, a channel made to have two different electron paths between source and drain active regions by using spacious conduction band of GaAs quantum well, a gate of active region made only on the upper one side electron path of the channel in the vertical direction of the crossing channel.
Abstract translation: 该方法提供了一种垂直栅极量子干涉晶体管，其具有通常的FET的特性，但是通过使用电子波特性具有高的操作速度和低功耗。 该器件包括AlGaAs / GaAs / AlGaAs双量子阱结构，其在AlGaAs层中插入具有窄能隙的GaAs层，具有宽的有源区能隙，通过使用在源极和漏极活性区之间具有两个不同电子路径的通道，其通过使用 GaAs量子阱的宽带导带，有源区的栅极仅在通道的上侧一个电子路径沿着交叉通道的垂直方向。
-
公开(公告)号：KR1019940010155B1
公开(公告)日：1994-10-22
申请号：KR1019910006554
申请日：1991-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: The system controls the flow of the hidride gases (AsH 3, PH 3) and the organic metal gases (trimethyl galuim, trimethyl aluminum) used for manufacturing epitaxy thin film by CBE/ALE method. The gas supply system comprises a gas storage chamber (1) supplying the hidride gas at a regular pressure by use of pressure controllers (8,32,34); a gas control chamber (2) controlling the gas flow mass at automatic pressure controllers(12,24) by feeding back signals of pressure devices (14,26); a subsystem (3) for closing the gas from the gas control chamber (2): a subsystem (4) controlling the pressure and passageway of the gas.
Abstract translation: 该系统通过CBE / ALE方法控制用于制造外延薄膜的载气（AsH 3，PH 3）和有机金属气体（三甲基galuim，三甲基铝）的流动。 气体供给系统包括通过使用压力控制器（8,32,34）在常规压力下供应氮气的气体储存室（1）。 气体控制室（2），通过反馈压力装置（14,26）的信号来控制自动压力控制器（12,24）处的气体流量; 用于从气体控制室（2）关闭气体的子系统（3）：控制气体的压力和通道的子系统（4）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.022 seconds)
