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公开(公告)号：KR1020100030335A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：KR1020080089237
申请日：2008-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/54373 , B01L3/502761 , B01L2200/143 , B01L2300/0636 , B01L2300/0645 , B01L2300/0867 , B01L2300/163 , B01L2400/0415 , G01N27/4145
Abstract: PURPOSE: A device and a method for detecting biomolecules are provided to detect biomolecules with high-ionic strength by measuring a current change flowing in a channel area of a Field Effect Transistor. CONSTITUTION: A device for detecting biomolecules comprises a FET(12), a micro fluid supply unit(14), and a biomolecules detecting unit(18). The FET comprises a substrate, a source, a drain electrode, a channel area, and a probe molecule. The micro fluid supply unit selectively supplies reaction solution of high-ionic density to the channel area of the FET. The biomolecules detecting unit measures a first current value of the channel area of the FET in which the probe molecule is fixed. The biomolecules detecting unit measures a second current value of the channel area of the FET in which the probe molecule and a target molecule are fixed. And the biomolecules detecting unit detects the target molecule.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测生物分子的装置和方法，通过测量在场效应晶体管的通道区域中流动的电流变化来检测具有高离子强度的生物分子。 构成：用于检测生物分子的装置包括FET（12），微流体供应单元（14）和生物分子检测单元（18）。 FET包括衬底，源极，漏极，沟道区和探针分子。 微流体供应单元选择性地将高离子密度的反应溶液提供给FET的通道区域。 生物分子检测单元测量探针分子固定的FET的沟道面积的第一电流值。 生物分子检测单元测量探针分子和靶分子固定的FET的沟道面积的第二电流值。 并且生物分子检测单元检测靶分子。
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公开(公告)号：KR100940524B1
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020070129581
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L29/66818 , H01L29/7853
Abstract: 본 발명은 반도체 기술을 이용한 FET(Field-effect transistor) 센서에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 FET 센서의 민감도를 개선시키기 위하여 핀 구조를 이용하는 FET 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 FET 센서를 제조하는 방법은, 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 핀 구조를 갖는 센서 구조체를 형성하는 단계와, 상기 센서 구조체에 전기적 오믹 콘택을 위한 이온을 주입하고 금속 전극을 증착하는 단계와, 표적물질과 특이성 결합하는 감지물질을 상기 핀 구조의 양쪽 측벽에 고정화시키는 단계와, 상기 표적물질이 상기 핀 구조를 지나가도록 하는 통로를 상기 센서 구조체 위에 형성하는 단계를 포함한다.
반도체 FET 센서, 핀 구조, 바이오 센서, SOI 기판, 벌크 기판-
53.发明授权
公开(公告)号：KR100900955B1
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020070082205
申请日：2007-08-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5308 , C12Q1/6825 , G01N33/54313 , G01N33/54393 , Y10T436/143333
Abstract: 본 발명은 자기조립된 분자의 커버리지 분석용 기판 및 나노 입자를 이용하여 벌크 고체 표면이나 고체 표면 또는 고체 표면에 패턴된 나노선, 나노채널에 자기조립된 분자의 커버리지를 분석하는 방법에 관한 것으로서, 나노입자를 자기조립된 분자에 포함된 작용기와 결합시켜서 상기 기판에 도입시킨 후 표면에 존재하는 금 나노 입자 개수를 분석하여 자기조립된 분자의 특정 작용기 유무와 반응 정도 및 이를 이용한 자기조립된 분자의 커버리지를 분석하는 방법을 제공한다.
기판 표면, 나노선, 나노 패턴, DNA 분자, 아민기, 나노입자-
公开(公告)号：KR100878847B1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020070070665
申请日：2007-07-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수개의 박막트랜지스터가 적층된 구조를 갖는 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 기판 상부에 형성된 n형 박막트랜지스터; 상기 n형 박막트랜지스터 상부에 형성된 p형 박막트랜지스터; 상기 n형 박막트랜지스터와 상기 p형 박막트랜지스터 사이에 형성된 층간절연막 및 상기 n형 박막트랜지스터와 상기 p형 박막트랜지스터의 전기적 연결을 위한 배선을 포함하는 CMOS 소자를 제공한다.
박막트랜지스터, CMOS, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘-
公开(公告)号：KR1020080052325A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070096342
申请日：2007-09-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/47 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L21/02672 , H01L29/47 , H01L29/78696
Abstract: A method for fabricating a schottky barrier thin film transistor is provided to improve carrier mobility of a channel region by forming grains parallel with a charge transfer direction between a source electrode and a drain electrode. An amorphous silicon active layer is formed on a substrate(100). A source/drain electrode(170) is made of metal silicide to form a schottky junction with a channel region of the amorphous silicon active layer. The amorphous silicon of the channel region is crystallized to be polysilicon by using the source/drain electrode as a catalyst. A gate pattern can be formed on the amorphous silicon active layer of the channel region, having a stack of a gate insulation layer(120) and a gate electrode(130).
Abstract translation: 提供一种用于制造肖特基势垒薄膜晶体管的方法，以通过在源电极和漏电极之间形成与电荷传输方向平行的晶粒来改善沟道区的载流子迁移率。 在基板（100）上形成非晶硅有源层。 源极/漏极（170）由金属硅化物制成，以与非晶硅有源层的沟道区形成肖特基结。 通过使用源/漏电极作为催化剂，将沟道区域的非晶硅晶化为多晶硅。 可以在具有栅极绝缘层（120）和栅电极（130）的堆叠的沟道区域的非晶硅有源层上形成栅极图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080050965A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070070665
申请日：2007-07-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/26513 , H01L21/8238 , H01L21/823871 , H01L29/66757 , H01L29/78618
Abstract: A CMOS device using thin film transistors and a manufacturing method thereof are provided to improve the degree of integration of a semiconductor device by forming plural thin film transistors in a stack structure. An n-type thin film transistor is formed on a substrate, and a p-type thin film transistor is formed on the n-type thin film transistor. An interlayer dielectric(180) is formed between the n-type thin film transistor and the p-type thin film transistor. A metallization(190) electrically connects the n-type thin film transistor with the p-type thin film transistor. The n-type thin film transistor has a first polysilicon active layer(110), and the p-type thin film transistor has a second polysilicon active layer(210).
Abstract translation: 提供了使用薄膜晶体管的CMOS器件及其制造方法，以通过在堆叠结构中形成多个薄膜晶体管来提高半导体器件的集成度。 在衬底上形成n型薄膜晶体管，在n型薄膜晶体管上形成p型薄膜晶体管。 在n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管之间形成层间电介质（180）。 金属化（190）将n型薄膜晶体管与p型薄膜晶体管电连接。 n型薄膜晶体管具有第一多晶硅有源层（110），p型薄膜晶体管具有第二多晶硅有源层（210）。
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公开(公告)号：KR1020080050958A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070066125
申请日：2007-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5438 , G01N27/4145
Abstract: A bio sensor is provided to reduce the production costs by using inexpensive bulk silicon substrate instead of expensive SOI(silicon on insulator) substrate, and improve sensing ability by electrically separating the substrate and sensing region through junction insulation. A bio sensor comprises: a first conduction type of semiconductor substrate(100) such as bulk silicon substrate; second conduction type of doped layers(110) formed on the semiconductor substrate; an electrode(120) formed in the upper parts of both ends of the doped layer; and probe molecules(130) immobilized to the doped layers, wherein the semiconductor substrate and doped layer are electronically separated through the junction insulation; and the doped layers have different immobilized probe molecules. A method for fabricating the bio sensor comprises the steps of: forming a second conduction type of doped layer on the first conduction type of semiconductor substrate; forming an electrode in the upper parts of both ends of the doped layer; and immobilizing the probe molecules to the doped layers. Further, the doped layers are epitaxial layers.
Abstract translation: 提供生物传感器以通过使用廉价的体硅衬底而不是昂贵的SOI（绝缘体上硅）衬底来降低生产成本，并且通过通过结绝缘电隔离衬底和感测区域来提高感测能力。 生物传感器包括：第一导电类型的半导体衬底（100），例如体硅衬底; 形成在半导体衬底上的第二导电类型的掺杂层（110）; 形成在所述掺杂层的两端的上部的电极（120） 和固定在掺杂层上的探针分子（130），其中半导体衬底和掺杂层通过结绝缘电子分离; 并且掺杂层具有不同的固定化探针分子。 制造生物传感器的方法包括以下步骤：在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的掺杂层; 在掺杂层的两端的上部形成电极; 并将探针分子固定到掺杂层。 此外，掺杂层是外延层。
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公开(公告)号：KR100802182B1
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020060094385
申请日：2006-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B01D46/0012 , B01D39/12 , B01D46/444 , B01D46/546 , B01D53/02 , B01D2239/025 , B01D2253/304 , B01D2257/70 , B01D2258/0216 , B01J20/02 , B01J20/0233 , B01J20/0237 , B01J20/024 , B01J20/0244 , B01J20/0248 , B01J20/0251 , B01J20/0259 , B01J20/0262 , B01J20/0266 , B01J20/0285 , B01J20/0288 , B01J20/04 , B01J20/06 , B01J20/20 , B01J20/28007 , B01J20/3204 , B01J20/3223 , B01J20/3234 , B01J20/3236 , B01J20/3295 , B01J20/3416 , B01J20/3433 , B01J20/3458 , B01J20/3483 , B01J2220/62 , B82Y30/00 , Y10T156/10
Abstract: A nanowire filter is provided to filter simultaneously harmful materials presenting in gas and particle state, a method for manufacturing the nanowire filter is provided, a filtering device comprising the nanowire filter is provided, and a method for removing adsorption materials is provided to improve efficiency of the nanowire filter by separating stably adsorption materials adsorbed onto the nanowire filter. A nanowire filter includes: a supporting member; and a plurality of nanowires which are supported to the supporting member and arranged in a crystallized state. The nanowire filter additionally includes a molecule type material for filling a portion of an empty space formed between the nanowires. A filtering device(10) comprises: a nanowire filter(11); and a body(12) into which the filter is fitted and which has an inlet for guiding a fluid flown in to the filter and an outlet for discharging the fluid filtered through the filter to the outside. The filtering device further comprises: a heating member(13) formed in the form of a net and installed in front or rear of the filter to heat the filter. The body has a heating member(14) formed in the form of a wire and wound along an outer peripheral surface thereof to heat the filter, a pressure generating member installed therein to cause a pressure difference between the front side and the rear side of the filter, and a plurality of passages formed between the inlet and the outlet to move the fluid. The passages have at least one of the filter installed therein. The passages have at least one valve installed therein to control a movement of the fluid.
Abstract translation: 提供了一种纳米线过滤器，用于同时过滤呈气体和颗粒状态的有害物质，提供了一种制造纳米线过滤器的方法，提供了一种包含纳米线过滤器的过滤装置，提供了一种除去吸附材料的方法，以提高效率 纳米线过滤器通过分离吸附到纳米线过滤器上的稳定吸附材料。 纳米线过滤器包括：支撑构件; 以及多个纳米线，其被支撑在支撑构件上并且以结晶状态布置。 纳米线过滤器还包括用于填充形成在纳米线之间的空白空间的一部分的分子型材料。 过滤装置（10）包括：纳米线过滤器（11）; 以及安装过滤器的主体（12），并且具有用于引导流过过滤器的流体的入口和用于将通过过滤器过滤的流体排出到外部的出口。 过滤装置还包括：加热构件（13），其形成为网状并安装在过滤器的前面或后面以加热过滤器。 主体具有形成为线材的加热构件（14），沿着其外周面卷绕以加热过滤器，安装在其中的压力产生构件使得压力产生构件的前侧和后侧之间的压力差 过滤器和形成在入口和出口之间的多个通道以移动流体。 通道具有安装在其中的至少一个过滤器。 通道具有安装在其中的至少一个阀，以控制流体的运动。
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公开(公告)号：KR100757389B1
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020060059128
申请日：2006-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 나노갭 전극을 갖는 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로,
본 발명에 따른 센서는 소정의 두께를 갖는 산화막 층과, 상기 산화막 층의 표면에 수직한 방향으로 형성된 서로 절연 상태에 있는 제1 금속 전극 및 제2 금속 전극과, 상기 산화막 층에 평행한 방향으로 상기 제1 금속 전극에 접속된 복수 개의 제1 금속 전극 층들, 상기 산화막 층에 평행한 방향으로 상기 제2 금속 전극에 접속되고 상기 제1 금속 전극 층들 사이마다 위치하는 복수 개의 제2 금속 전극 층들 및 상기 금속 전극 층들 사이마다 위치하고 상기 금속 전극 층들의 너비보다 좁은 너비를 갖는 중간 산화 막 층들로 구성된 복수 개의 나노갭 적층 어레이와, 상기 나노갭 적층 어레이들이 서로 평행하게 소정의 간격을 갖고 배치되어 형성된 복수 개의 채널과, 상기 채널의 최상부에 형성된 비 전도성 물질로 된 커버 막과, 상기 커버 막에 형성된 검출 대상 물질의 유출입을 위한 하나 이상의 구멍을 포함한다.
상기의 구성을 통해 종래의 검출 센서에 비해 훨씬 높은 감도를 가지는 소자 제작이 가능하며, 공정이 단순하기 때문에 집적화 및 대량화가 가능하다.
나노갭, 바이오 물질-
公开(公告)号：KR1020070036355A
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020050091288
申请日：2005-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0023 , H01L51/0595
Abstract: 본 발명은 수 나노미터(nm) 이하의 폭을 갖는 나노갭(nano-gap)을 사이에 두고 두 개의 전극이 접해 있는 나노갭 전극소자의 제작 방법에 관한 것으로, 서로 다른 식각비를 갖는 반도체층들을 이용하여 공기중에 부양된 구조의 나노 구조물을 형성하고, 반도체층으로부터 나노 구조물까지의 높이, 나노 구조물의 폭 및 금속의 증착 각도를 조절하여 나노갭을 형성한다. 나노갭의 위치와 폭을 용이하게 조절할 수 있고 반복되는 구조를 갖는 어레이 형태의 나노갭을 동시에 형성할 수 있다.
나노 구조물, 증착 각도, 나노갭, 전극소자, 어레이
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