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公开(公告)号：KR101690871B1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150061260
申请日：2015-04-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 3차원프린팅복합재료의제조방법이제공된다. 상기 3차원프린팅복합재료의제조방법은, 기능성입자를준비하는단계, 상기기능성입자에기능기(functional group)을갖는기능성분자(functionalized molecule)를결합시켜, 상기기능성입자의표면특성을변환시키는단계, 및표면특성이변환된상기기능성입자를광 경화성수지에분산시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种三维印刷复合材料的制造方法。 三维印刷复合材料的制造方法包括：制备功能性粒子的工序; 通过将具有官能团的官能化分子与功能性颗粒结合来转换官能粒子的表面性质的步骤; 以及将具有转化表面性质的官能粒子分散在光固化性树脂中的工序。
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公开(公告)号：KR101618436B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140066930
申请日：2014-06-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 나노전극층생성방법은미리설정된패턴이음각된표면을포함하는몰드(mold)를형성하는단계; 상기미리설정된패턴이음각된표면중 상기미리설정된패턴이음각된영역에금속나노파티클(metal nano particle)을채우는단계; 전사대상이되는기판의표면중 상기몰드가임프린팅되는표면에에탄올또는다아이워터(DI water) 중적어도어느하나를이용하여스핀코팅(spin coating)을수행하는단계; 상기스핀코팅이수행된기판의표면에상기금속나노파티클이채워진상기몰드를임프린팅(imprinting)하는단계; 및상기몰드를제거하여상기기판에상기금속나노파티클로형성된나노전극을생성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160034803A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020150128214
申请日：2015-09-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/66 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F1/80
Abstract: 감광성유리를이용한 EUV 리소그래피용펠리클제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클제조방법은감광성유리단일층의제1 영역을노광및 어닐링하는단계, 상기감광성유리단일층의하부에씨드층을형성하는단계, 상기씨드층의하부에멤브레인을형성하는단계및 상기제1 영역및 상기제1 영역의하부에위치하는씨드층영역인제2 영역을식각하여제거하는단계를포함할수 있다. 따라서, 감광성유리(photosensitive glass)가자외선조사여부에따라 HF 식각용액에대한식각선택비가크게차이난다는점을이용하여, 공정의단순화및 재현성이확보된 EUV 리소그래피용펠리클제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种使用感光玻璃制造用于极紫外（EUV）光刻的防护薄片的方法。 本发明的制造方法可以包括以下步骤：对由感光玻璃的单层构成的第一区域进行曝光和退火; 在感光玻璃的单层的下部形成种子层; 在种子层的下部形成膜; 以及通过蚀刻除去位于所述第一区域中的种子层的区域中的所述第二区域和所述第一区域的下部。 因此，基于感光性玻璃对于根据紫外线照射的HF蚀刻溶液的蚀刻选择性的差异，可以提供一种用于制造EUV光刻用防护薄膜的方法，确保再生性和工艺简化。
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公开(公告)号：KR1020150125899A
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：KR1020150061260
申请日：2015-04-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 3차원프린팅복합재료의제조방법이제공된다. 상기 3차원프린팅복합재료의제조방법은, 기능성입자를준비하는단계, 상기기능성입자에기능기(functional group)을갖는기능성분자(functionalized molecule)를결합시켜, 상기기능성입자의표면특성을변환시키는단계, 및표면특성이변환된상기기능성입자를광 경화성수지에분산시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种三维印刷复合材料的制造方法。 三维印刷复合材料的制造方法包括：制备功能性粒子的工序; 通过将具有官能团的官能化分子与功能性颗粒结合来转换官能粒子的表面性质的步骤; 以及将具有转化表面性质的官能粒子分散在光固化性树脂中的工序。
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公开(公告)号：KR1020150009083A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020130082688
申请日：2013-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/2004
Abstract: Provided is a mask for an extreme ultraviolet lithography process. The mask includes a reflection layer which includes a first material layer and a second material layer which are repeatedly and alternately stacked on a substrate and a second material layer, a phase modulation pattern which is arranged on the reflection layer, and an absorption layer which is arranged on the phase modulation pattern and includes a platinum group compound.
Abstract translation: 提供了用于极紫外光刻工艺的掩模。 掩模包括反射层，该反射层包括反复交替堆叠在基板和第二材料层上的第一材料层和第二材料层，布置在反射层上的相位调制图案，以及吸收层， 布置在相位调制图案上并且包括铂族化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101285975B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020120014265
申请日：2012-02-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: The mask for exposure of extreme ultraviolet radiation is provided to relieve the shading effect through controlling the optical constant modulation of the absorber material without lowering the thickness of the absorber layer and reduce the vertical horizontal critical dimension bias. CONSTITUTION: The mask for exposure of extreme ultraviolet radiation comprises a substrate (100); a reflection layer (200) formed on the substrate; and an absorber layer (300) formed on the reflecting layer. The absorber layer comprises the first absorber layer (310) and the reflection barrier layer (320) that is arranged in the direct light-received side of extreme ultraviolet radiation between both sides of the first absorber layer. The reflection barrier layer is made of material having 0.001-0.03 of extinction coefficient and 0.95-0.999 of the refractive index in the 13.5 nm wavelength band. The reflecting layer is formed by repetitively laminating one selected from the group comprised of Mo / Si, Mo / Be and MoRu / Be.
Abstract translation: 目的：提供用于暴露极紫外线辐射的掩模，以通过控制吸收材料的光学恒定调制来减轻阴影效应，而不会降低吸收层的厚度并降低垂直水平临界尺寸偏差。 构成：用于暴露极紫外线辐射的掩模包括基底（100）; 形成在所述基板上的反射层（200） 和形成在反射层上的吸收层（300）。 吸收层包括第一吸收层（310）和反射阻挡层（320），其被布置在第一吸收层的两侧之间的极紫外线辐射的直接受光侧。 反射阻挡层由13.5nm波长带中具有0.001-0.03消光系数和0.95-0.999折射率的材料制成。 反射层通过重复层叠从Mo / Si，Mo / Be和MoRu / Be组成的组中选择的一种而形成。
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公开(公告)号：KR1020130051767A
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020110117103
申请日：2011-11-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A solar cell including a 3D carbon nanotube network and a manufacturing method thereof are provided to maximize a photoelectric conversion efficiency by forming a carbon nanotube with a 3D network. CONSTITUTION: A substrate includes a plurality of pillars(100a). A 3D carbon nanotube network(200) is formed with an entwined structure to connect each pillar. An anode(300) and a cathode(400) are formed on both sides of the substrate. A dielectric layer(500) covers the anode and the cathode and completely surrounds the 3D carbon nanotube network. A first electrode(600a) is arranged on one side of the anode while interposing the dielectric layer. A second electrode(600b) is arranged on one side of the cathode while interposing the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括3D碳纳米管网络的太阳能电池及其制造方法，以通过形成具有3D网络的碳纳米管来最大化光电转换效率。 构成：基板包括多个支柱（100a）。 3D碳纳米管网络（200）形成有缠结结构以连接每个支柱。 阳极（300）和阴极（400）形成在基板的两侧。 电介质层（500）覆盖阳极和阴极并完全围绕3D碳纳米管网络。 第一电极（600a）布置在阳极的一侧，同时插入介电层。 第二电极（600b）布置在阴极的一侧，同时插入介电层。
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公开(公告)号：KR1020110009375A
公开(公告)日：2011-01-28
申请号：KR1020090066745
申请日：2009-07-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/24 , H01L21/0332 , H01L21/0337
Abstract: PURPOSE: A phase shift mask for extreme ultra-violet lithography is provided to control phase change and reflectivity by controlling the thickness of each layer by selecting a material based on the optical constant of an absorber layer and a capping layer. CONSTITUTION: A reflecting layer(23) is formed as a multi-layered thin film over a transparent substrate. A first capping layer(25) is formed over the reflecting layer. A second capping layer(27) is patterned on the first capping layer. An absorber layer(29) is formed on the second capping layer.
Abstract translation: 目的：提供用于极紫外光刻的相移掩模，通过基于吸收层和封盖层的光学常数选择材料来控制每层的厚度来控制相变和反射率。 构成：在透明基板上形成反射层（23）作为多层薄膜。 第一覆盖层（25）形成在反射层上。 在第一覆盖层上图案化第二封盖层（27）。 在第二盖层上形成吸收层（29）。
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公开(公告)号：KR100714218B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020060002526
申请日：2006-01-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 미세전사법에 있어서 TiO
2 등 산화박막의 광촉매 특성을 이용함으로써 종래와 같이 기판과 형판의 접착력을 증가시키기 위한 별도의 UVO 처리 및 열처리 또는 UV 경화 처리공정을 제거한 간단하고도 경제적인 미세패턴 형성방법을 제공한다.
이를 위하여 본 발명에 의한 고분자 탄성 중합체를 사용한 자체 전사에 의한 미세패턴의 형성방법은 고분자 탄성 중합체로 되는 특정 패턴의 형판과, 광촉매 물질로 되는 박막층이 코팅된 박막층 기판을 각각 제조하는 형판 및 박막층 기판의 제조 단계와, 상기 형판과 상기 기판을 정렬하여 접촉시키고 이에 광을 조사하여 상호 접착시키는 정렬 및 접착 단계와, 상기 접착된 형판의 일부를 상기 기판으로부터 분리해내어 상기 특정 패턴을 상기 기판에 전사하는 전사 단계를 포함하여 이루어진다.
고분자탄성중합체, 전사, 미세패턴, 광촉매, PDMS, TiO2, 형판, 박막층, SAMsAbstract translation: 在本发明中，
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公开(公告)号：KR102237572B1
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：KR1020190050819
申请日：2019-04-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: EUV 리소그래피용마스크가제공된다. 상기 EUV 리소그래피용마스크는기판, 상기기판상에배치되고, 복수의단위막(unit layer)이적층된반사구조체, 및상기반사구조체상에배치되고, 제1 폭(width)을갖는제1 흡수층, 및상기제1 흡수층상에적층되고, 상기제1 폭보다좁은제2 폭을갖는제2 흡수층을포함하는흡수구조체를포함하되, 상기제1 흡수층및 상기제2 흡수층의폭 차이에따라, 상기흡수구조체를향해입사된광의 0차회절광및 1차회절광사이의위상차가제어되는것을포함할수 있다.
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