公开(公告)号：DE102005010272A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：DE102005010272

申请日：2005-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HAIMERL ALFRED ,  SCHOBER WOLFGANG ,  BAUER MICHAEL ,  KESSLER ANGELA

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: Semiconductor component and method for production of a semiconductor component. The invention relates to a semiconductor component having a semiconductor chip, which is arranged on a substrate, in one embodiment on a chip carrier, and an encapsulation material, which at least partially surrounds the semiconductor chip. The chip carrier is at least partly provided with a layer of polymer foam.

公开(公告)号：DE102004059233A1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE102004059233

申请日：2004-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG ,  HAIMERL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: H01L23/28 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L31/0203

Abstract: Production of an optical structure comprises encasing a semiconductor component (1) with an optically transparent material which is opaque to a high energy beam and irradiating each region of the sleeve (6) produced with high energy radiation. An independent claim is also included for an encased semiconductor component.

公开(公告)号：DE102004048201A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：DE102004048201

申请日：2004-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HAIMERL ALFRED ,  SCHOBER WOLFGANG ,  BAUER MICHAEL ,  HOSSEINI KHALIL ,  KESSLER ANGELA

IPC: H01L23/10 ,  B82B3/00 ,  C01B31/00 ,  C08J5/24 ,  C09C1/44 ,  C09D5/25 ,  C09J5/06 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

Abstract: A layer improves adhesion between interfaces of different components in semiconductor devices. The interface of a first component includes surfaces of a circuit carrier and the interface of a second component includes contact surfaces of a plastic package molding compound. The adhesion-improving layer includes a mixture of polymeric chain molecules and carbon nanotubes.

公开(公告)号：DE102024104507A1

公开(公告)日：2024-09-19

申请号：DE102024104507

申请日：2024-02-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  KESSLER ANGELA ,  KSHIRSAGAR KUSHAL ,  BODANO EMANUELE ,  BENISEK MARTIN

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleiterpackage (100) weist ein Laminat-Package-Substrat (102), ein erstes und ein zweites Leistungstransistor-Die (118, 120), die in das Laminat-Package-Substrat eingebettet sind, ein Treiber-Die (128), das in das Laminat-Package-Substrat eingebettet ist, eine Mehrzahl von I/O-Leitungen (140), die elektrisch mit I/O-Anschlüssen (130) des Treiber-Dies (128) verbunden sind, ein Schaltsignal-Pad (136), das elektrisch mit einem zweiten Lastanschluss (124) des ersten Leistungstransistor-Dies (118) und einem ersten Lastanschluss (122) des zweiten Leistungstransistor-Dies (120) verbunden ist, und ein Abschirmungspad (142), das eingerichtet ist, mindestens eine der I/O-Leitungen (140) gegenüber dem Schaltsignal-Pad (136) elektrisch abzuschirmen während eines Betriebs des ersten und zweiten Leistungstransistor-Dies (118, 120).

公开(公告)号：DE102019009179A1

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：DE102019009179

申请日：2019-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  KESSLER ANGELA

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

Abstract: [00156] Ein Die-Gehäuse ist bereitgestellt. Das Die-Gehäuse (230), weist einen laminierten Träger (106), der wenigstens eine Vertiefung (116) umfasst, einen Die (102) mit einer Vorderseite und einer Rückseite und einer Vorderseitenmetallisierung (104F), wobei der Die (102) in der wenigstens einen Vertiefung (116) mit seiner Vorderseite einer Unterseite der wenigstens einen Vertiefung (116) zugewandt angeordnet ist, ein erstes Kapselungsmaterial (108), das den Die (102) teilweise einkapselt, wobei wenigstens die Rückseite bedeckt ist, ein zweites Kapselungsmaterial (112), das die Vorderseitenmetallisierung (104F) bedeckt, und ein Haftvermittlermaterial (222) zwischen der Vorderseitenmetallisierung (104F) und dem zweiten Kapselungsmaterial (112) und in direktem physischem Kontakt mit dem zweiten Kapselungsmaterial (112) und der Vorderseitenmetallisierung (104F) auf.

公开(公告)号：DE102019116928B3

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102019116928

申请日：2019-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  KESSLER ANGELA

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Die-Gehäuse ist bereitgestellt. Das Die-Gehäuse kann Folgendes beinhalten: einen laminierten Träger einschließlich wenigstens einer Vertiefung, einen ersten Die mit einer Vorderseite und einer Rückseite und einer Vorderseitenmetallisierung auf der Vorderseite und einer Rückseitenmetallisierung auf der Rückseite, wobei der erste Die in der wenigstens einen Vertiefung angeordnet ist, ein erstes Kapselungsmaterial, das den ersten Die teilweise einkapselt, wobei wenigstens die Vorderseitenmetallisierung oder die Rückseitenmetallisierung bedeckt wird, und ein Haftvermittlermaterial zwischen der Metallisierung, die durch das erste Kapselungsmaterial bedeckt ist, und dem ersten Kapselungsmaterial und in direktem physischem Kontakt mit dem ersten Kapselungsmaterial und der Metallisierung, die durch das erste Kapselungsmaterial bedeckt ist.

公开(公告)号：DE102013106438B4

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：DE102013106438

申请日：2013-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL ,  HAIMERL ALFRED ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Chipanordnung (310), welche aufweist:eine Leiterplatte (362), welche aufweist:• ein Durchgangsloch (364), das in der Leiterplatte (362) ausgebildet ist,• und ein oder mehrere Leiterplattenkontaktgebiete (366S, 366G, 366D) , die in der Nähe des Durchgangslochs (364) angeordnet sind, undein Chipgehäuse (210, 160) mit einem Chip (104), das innerhalb des Durchgangslochs (364) angeordnet ist, wobei mindestens ein Leiterplattenkontaktgebiet (366S, 366G) elektrisch mit einem oder mit mehreren elektrisch leitenden Verbindungsstrukturen (144, 146) verbunden ist, die über einer Oberseite (152) des Chipgehäuses (210, 160) ausgebildet sind und in elektrischem Kontakt mit einer Chipoberseite (122) stehen, undwobei mindestens ein weiteres Leiterplattenkontaktgebiet (366D) elektrisch mit einer elektrisch leitenden Verbindungsstruktur (148) verbunden ist, die über einer Unterseite (154) des Chipgehäuses (210, 160) ausgebildet ist und in elektrischem Kontakt mit einer Chipunterseite (124) steht,wobei das Chipgehäuse (210, 160) ferner aufweist:• den Chip (104), der über einer Chipträgeroberseite (106) angeordnet ist und elektrisch damit verbunden ist, ein elektrisch isolierendes Material (108), das über dem Chip (104) angeordnet ist und diesen zumindest teilweise umgibt, wobei ein oder mehrere elektrisch leitende Kontaktgebiete (112) durch das elektrisch isolierende Material (108) gebildet sind, und• ein weiteres elektrisch isolierendes Material (114), das über einer Chipträgerunterseite (116) angeordnet ist, wobei ein elektrisch leitendes Kontaktgebiet (118) auf der Chipträgerunterseite (116) von dem weiteren elektrisch isolierenden Material (114) befreit ist, wobei die elektrisch leitenden Kontaktgebiete (112, 118) jeweils mit den elektrisch leitenden Verbindungsstrukturen (144, 146, 148) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102019130778A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102019130778

申请日：2019-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KESSLER ANGELA ,  GRASSMANN ANDREAS

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28

Abstract: Ein Package (100) aufweisend einen elektronischen Chip (102), welcher zumindest ein Pad (104), eine Einkapselung (106), welche zumindest teilweise den elektronischen Chip (102) einkapselt, und ein elektrisch leitfähiges Kontaktelement (108) hat, welches sich von dem zumindest einen Pad (104) und durch die Einkapselung (106) erstreckt, um in Bezug auf die Einkapselung (106) freiliegend zu sein, wobei das elektrisch leitfähige Kontaktelement (108) eine erste Kontaktstruktur (110) aus einem ersten elektrisch leitfähigen Material auf dem zumindest einen Pad (104) aufweist und eine zweite Kontaktstruktur (112) aufweist, welche aus einem zweiten elektrisch leitfähigen Material ist und in Bezug auf die Einkapselung (106) freiliegt. Zumindest eines von dem zumindest einen Pad hat zumindest einen Oberflächenabschnitt, welcher das erste elektrisch leitfähigen Material aufweist oder daraus ist.

公开(公告)号：DE102015106151B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102015106151

申请日：2015-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER MARTIN ,  KESSLER ANGELA ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18

Abstract: Halbleitermodul, aufweisend:eine Leiterplatte;einen Leistungshalbleiterchip, der in der Leiterplatte eingebettet ist, wobei der Leistungshalbleiterchip eine erste Lastelektrode aufweist;ein Leistungsanschlussstück des Halbleitermoduls, wobei das Leistungsanschlussstück mit der ersten Lastelektrode elektrisch verbunden ist, und wobei der eingebettete Leistungshalbleiterchip seitlich innerhalb der Footprintregion des Leistungsanschlussstücks positioniert ist, wobei das Leistungsanschlussstück ein Gewindeelement und insbesondere ein Element ist, das ein Gewindeloch oder einen Gewindebolzen aufweist.

公开(公告)号：DE102016121801A1

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：DE102016121801

申请日：2016-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSMANN ANDREAS ,  HÖGERL JÜRGEN ,  KESSLER ANGELA ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Baugruppe (100) aufweisend: mindestens einen elektronischen Chip (102), einen ersten Wärmeabführungskörper (104), auf dem der mindestens eine elektronische Chip (102) mittels einer ersten Verbindung (170) befestigt ist, einen zweiten Wärmeabführungskörper (106), der auf oder über dem mindestens einen elektronischen Chip (102) mittels einer zweiten Verbindung (172) befestigt ist, und einen Verkapselungsstoff (108), der mindestens einen Teil des mindestens einen elektronischen Chips (102), einen Teil des ersten Wärmeabführungskörpers (104) und einen Teil des zweiten Wärmeabführungskörpers (106) verkapselt, wobei die erste Verbindung (170) dazu ausgelegt ist, eine andere Schmelztemperatur als die zweite Verbindung (172) aufzuweisen.