公开(公告)号：DE102010026518A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：DE102010026518

申请日：2010-07-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAYER BERND DR ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit – einer n-leitenden Halbleiterschicht (3), – einer p-leitenden Halbleiterschicht (4), – einem aktiven Bereich (2) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (3) und der p-leitenden Halbeiterschicht (4), – einer Seitenfläche (14), welche die n-leitende Halbleiterschicht (3), die p-leitende Halbleiterschicht (4), und den aktiven Bereich (2) in einer lateralen Richtung begrenzt, und – einem Dotierbereich (1), in dem ein Dotierstoff in ein Halbleitermaterial des Leuchtdiodenchips eingebracht ist, und/oder – einem neutralisierten Bereich (1), wobei – der Dotierbereich (1) und/oder der neutralisierte Bereich (1) an der Seitenfläche (14) zumindest im Bereich des aktiven Bereichs ausgebildet ist, und – der Leuchtdiodenchip im Betrieb zur Abstrahlung von inkohärenter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.

公开(公告)号：DE102009054555A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：DE102009054555

申请日：2009-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBERHARD FRANZ ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

公开(公告)号：DE102008012859A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：DE102008012859

申请日：2008-03-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL ALFRED ,  SCHMID WOLFGANG ,  EICHLER CHRISTOPH ,  TAUTZ SOENKE ,  REILL WOLFGANG ,  DINI DIMITRI

IPC: H01S5/10

Abstract: A laser light source, comprising a semiconductor layer sequence having an active region and a radiation coupling out area having first and second partial regions, and a filter structure. The active region generates coherent first electromagnetic radiation and incoherent second electromagnetic radiation. The coherent first electromagnetic radiation is emitted by the first partial region along an emission direction, and the incoherent second electromagnetic radiation is emitted by the first partial region and by the second partial region. The filter structure at least partly attenuates the incoherent second electromagnetic radiation emitted along the emission direction. The filter structure has at least one filter element arranged on an area of the semiconductor layer sequence which has an extension direction parallel to the emission direction. The at least one filter element comprises a surface structure comprising a roughening and/or at least one layer comprising a non-transparent material.

公开(公告)号：DE102008014092A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：DE102008014092

申请日：2008-03-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOENIG HARALD ,  LAUER CHRISTIAN ,  BRICK PETER ,  SCHMID WOLFGANG ,  FEHSE ROBIN ,  STRAUS UWE

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/042

公开(公告)号：DE502004008051D1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：DE502004008051

申请日：2004-11-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  BRICK PETER ,  LUTGEN STEPHAN ,  ALBRECHT TONY ,  EBERHARD FRANZ

IPC: H01S5/183 ,  H01H13/02 ,  H01H13/14 ,  H01H13/70 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: An optically pumped semiconductor laser device having a surface-emitting vertical emission region ( 1 ) and at least one monolithically integrated pump radiation source ( 2 ) for optically pumping the vertical emission region ( 1 ). The semiconductor laser device is distinguished by the fact that the pump radiation enters the vertical emission region ( 1 ) in the form of partial bundles of rays of radiation with different radiation directions so that the pump radiation and the fundamental mode of the vertical emission region ( 1 ) have an overlap which is suitable for the excitation of this fundamental mode. This device is based on the fact that the fundamental mode of the vertical emission region ( 1 ) is preferably excited when the spatial intensity distribution of the pump radiation matches the profile of the fundamental mode.

公开(公告)号：DE102004042146A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：DE102004042146

申请日：2004-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LINDER NORBERT ,  KARNUTSCH CHRISTIAN ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01S3/0941 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: A semiconductor device comprising an optically pumped vertical emitter having an active vertical emitter layer (3), and a pump radiation source, which is used to generate a pump radiation field which propagates in the lateral direction and optically pumps the vertical emitter layer (3) in a pump region, the wavelength of the pump radiation field being smaller than the wavelength of the radiation field (12) generated by the vertical emitter. The pump radiation source has an active pump layer (2), which is arranged downstream of the vertical emitter layer (3) in the vertical direction and which at least partly overlaps the vertical emitter layer as seen in the vertical direction, the active pump layer (2) being arranged in such a way that the pump radiation field generated during operation has a higher power than a parasitic laterally propagating radiation field generated by the vertical emitter layer (3) or that the generation of a parasitic laterally propagating radiation field by the vertical emitter layer (3) is suppressed.

公开(公告)号：DE10147888A1

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：DE10147888

申请日：2001-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: An optically pumped vertically emitting semiconductor laser having a highly reflective reflector layer ( 10 ), and a radiation-emitting active layer sequence ( 14 ) arranged on the reflector layer, in which, during operation, the reflector layer ( 10 ), together with an external mirror ( 20 ), forms a laser resonator. A heat sink ( 12 ), transparent to the emitted radiations is arranged within the laser resonator ( 10, 20 ) and in thermal contact with the active layer sequence ( 14 ), said heat sink being formed from a material having a higher thermal conductivity than the materials of the active layer sequence ( 14 ).

公开(公告)号：DE102015111130B9

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102015111130

申请日：2015-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREUTER PHILIPP ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHMID WOLFGANG ,  BRÖLL MARKUS

IPC: H01L33/38 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/58

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend:- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt,- einer Strahlungsfläche (13), die direkt an die zweite Schicht (12) grenzt und über die im Betrieb Strahlung aus oder in die Halbleiterschichtenfolge (1) gekoppelt wird,- eine oder mehrere Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10),- eine oder mehrere Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12), wobei- die Durchkontaktierungen (23) durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt sind und in die zweite Schicht (12) münden,- die Kontaktinseln (20) lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht sind,- in Draufsicht auf die Rückseite (15) die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet sind,- jede Kontaktinsel (20) lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben ist und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet und getrennt ist,- ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) höchstens ein Viertel eines Flächenwiderstands der ersten Schicht (10) beträgt,- die Strahlungsfläche (13) Strukturierungen in Form von Mikrolinsen (14) aufweist,- jeder Kontaktinsel (20) eine Mikrolinse (14) gegenüberliegt, so dass in Draufsicht auf die Strahlungsfläche (13) jede Kontaktinsel (20) teilweise oder vollständig mit einer Mikrolinse (14) überlappt.

公开(公告)号：DE102015111130A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：DE102015111130

申请日：2015-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREUTER PHILIPP ,  VARGHESE TANSEN ,  SCHMID WOLFGANG ,  BRÖLL MARKUS

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/58

Abstract: Das optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt. Eine Strahlungsfläche (13) grenzt direkt an die zweite Schicht (12). Außerdem umfasst das Bauelement (100) eine Mehrzahl von Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10) sowie eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12). Die Durchkontaktierungen (23) sind durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt und münden in die zweite Schicht (12). Die Kontaktinseln (20) sind lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht. In Draufsicht auf die Rückseite (15) sind die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet. Jede Kontaktinsel (20) ist lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet. Ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) beträgt höchstens ein Viertel eines lateralen Flächenwiderstands der ersten Schicht (10).

公开(公告)号：DE102014107385A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107385

申请日：2014-05-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  SUNDGREN PETRUS

IPC: H01L33/02 ,  H01L21/3065

Abstract: Es umfasst der Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer n-leitenden Schichtenfolge (21) sowie einer p-leitenden Schichtenfolge (23) und einer dazwischen liegenden aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Ferner befindet sich in der Halbleiterschichtenfolge (2) eine Ätzsignalschicht (24) in oder an der p-leitenden Schichtenfolge (23). Ferner befindet sich eine Ätzstruktur (3) an der Halbleiterschichtenfolge (3) an einer der aktiven Zone (22) abgewandten Seite der Ätzsignalschicht (24). Die Ätzstruktur (3) reicht mindestens bis in die Ätzsignalschicht (24). Die Ätzsignalschicht (24) weist einen Signalbestandteil auf, der in einer in Richtung hin zu der Ätzstruktur (3) an die Ätzsignalschicht (24) angrenzenden Schicht (25) nicht vorhanden oder reduziert ist.