公开(公告)号：WO2011006719A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/EP2010/058160

申请日：2010-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L24/05 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) und mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist zumindest eine aktive Schicht (30) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist ferner an dem Träger (2) angebracht. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Metallspiegel (4), der sich zwischen dem Träger (2) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet. Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung. Außerdem ist der Metallspiegel (4) in lateraler Richtung unmittelbar von einer strahlungsdurchlässigen Verkapselungsschicht (5) umgeben.

Abstract translation: 在此光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例包括载体（2）和至少一个半导体层序列（3）。 半导体层序列（3）包括至少一个活性层（30）。 半导体层序列（3）还连接到所述载体（2）。 此外，半导体组件（1）包括金属反射镜（4），其位于所述载体（2）和所述半导体层（3）序列之间。 所述支撑件（2）和所述半导体层序列（3）突出超过在横向方向上的金属反射镜（4）。 另外，金属反射镜（4）在横向方向上通过一个透射辐射的封装层包围的直接（5）。

公开(公告)号：WO2010136326A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/EP2010/056366

申请日：2010-05-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  ILLEK, Stefan

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  VON MALM, Norwin ,  RODE, Patrick ,  ILLEK, Stefan

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15 ,  H01L33/64 ,  H01L33/38 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

Abstract translation: 在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。 此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。 此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。 连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。 第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。 此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。 通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。 此外，半导体芯片的至少一个导电桥。 中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

公开(公告)号：WO2009036720A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/DE2008/001330

申请日：2008-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5036 ,  Y10T156/10

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (13), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) und C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung.

Abstract translation: 一种用于制造光电子器件，包括如下步骤：A）提供具有有源区（13，其辐射操作期间电磁初级辐射的辐射发射层序列（1）），B）提供一个初级辐射至少部分地转换成电磁次级辐射的第一波长转换层（ 2）和C）设置在所述初级辐射的光束路径中的发射辐射的层序列（1）所述第一波长转换层（2）。

公开(公告)号：WO2007051499A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：PCT/EP2006/004777

申请日：2006-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERBEN, Dirk ,  HOMER, Antoniadis ,  JERMANN, Frank ,  KRUMMACHER, Benjamin ,  VON MALM, Norwin ,  ZACHAU, Martin

Inventor： BERBEN, Dirk ,  HOMER, Antoniadis ,  JERMANN, Frank ,  KRUMMACHER, Benjamin ,  VON MALM, Norwin ,  ZACHAU, Martin

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H05B33/22 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/322 ,  H01L33/508 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5262 ,  H01L2251/5369 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

Abstract: An apparatus device such as a light source is disclosed which has an OLED device and a structured luminescence conversion layer deposited on the substrate or transparent electrode of said OLED device and on the exterior of said OLED device. The structured luminescence conversion layer contains regions such as color-changing and non-color-changing regions with particular shapes arranged in a particular pattern.

Abstract translation: 公开了诸如光源的装置装置，其具有沉积在所述OLED装置的衬底或透明电极上以及所述OLED器件的外部上的OLED器件和结构化的发光转换层。 结构化发光转换层包含具有以特定图案排列的特定形状的变色区域和非变色区域。

公开(公告)号：WO2023046374A1

公开(公告)日：2023-03-30

申请号：PCT/EP2022/072920

申请日：2022-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BECKER, Dirk ,  VON MALM, Norwin ,  BOESCKE, Tim ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro ,  HETZL, Martin ,  VARGA, Horst ,  VARGHESE, Tansen

IPC: H02J50/30 ,  H02J50/40

Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung angegeben mit - einem Sender (1), der dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung (2) zu emittieren und mit einer Eingangsspannung (UI) betrieben zu werden, - einem Empfänger (3), der dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung (2) zu empfangen und eine Ausgangsspannung (UO) zu liefern, wobei - der Sender (1) zumindest einen Oberflächenemitter (10) umfasst, und - der Empfänger (3) zumindest eine Photodiode (30) umfasst.

公开(公告)号：WO2022063645A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：PCT/EP2021/075296

申请日：2021-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  KREINER, Laura ,  GOLDBACH, Matthias

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  G02F1/13357

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Mehrzahl von Bauelementbereichen (21); b) Ausbilden einer Filterschicht (3) auf dem Trägerverbund (20); c) Ausbilden einer Strahlungskonversionsschicht (4) auf der Filterschicht (3); d) Anordnen einer Mehrzahl von Halbleiterkörpern (5) auf der Strahlungskonversionsschicht (4), wobei die Halbleiterkörper (5) jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (50) mit einem zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (53) aufweisen und frei von einem den Halbleiterkörper (5) stabilisierenden Substrat sind; e) Ausbilden einer Kontaktschicht (6) zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen den Halbleiterkörpern (5); f) Ausbilden einer Isolationsschicht (7) auf der Kontaktschicht (6); g) Ausbilden von elektrischen Kontaktflächen (65), die jeweils mit der Kontaktschicht (6) elektrisch leitend verbunden sind; und h) Vereinzeln des Trägerverbunds (20) in die optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1), wobei die vereinzelten optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1) jeweils einen Träger (2) als Teil des Trägerverbunds (20), eine Mehrzahl von elektrisch miteinander verbundenen Halbleiterkörpern (5) und zumindest zwei elektrische Kontaktflächen (65) für die externe elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) aufweisen. Weiterhin werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) und eine optoelektronische Anordnung (10) angegeben.

公开(公告)号：WO2018162480A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055472

申请日：2018-03-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  PLÖSSL, Andreas

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/40 ,  H01L33/60

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Bereitstellen einer metallischen Flüssigkeit (2), die strukturiert auf dem Substrat (1) angeordnet ist und zumindest ein erstes Metall (Me1) aufweist, C) Bereitstellen von Halbleiterchips (3), die jeweils an ihrer Rückseite (31) eine metallische Abschlussschicht (4) aufweisen, wobei die metallische Abschlussschicht zumindest ein von dem ersten Metall (Me1) verschiedenes, zweites Metall (Me2) aufweist, und D) selbstorganisierte Anordnung (5) der Halbleiterchips (3) auf die metallische Flüssigkeit (2), so dass das erste Metall (Me1) und das zweite Metall (Me2) zumindest eine intermetallische Verbindung (6) ausbilden, die eine höhere WiederaufSchmelztemperatur als die Schmelztemperatur der metallischen Flüssigkeit (2) aufweist, wobei die intermetallische Verbindung (6) als Verbindungsschicht zwischen Substrat (1) und Halbleiterchips (3) dient.

公开(公告)号：WO2018158161A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：PCT/EP2018/054549

申请日：2018-02-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： O'BRIEN, David ,  VON MALM, Norwin ,  FRISCHEISEN, Jörg ,  EBERHARDT, Angela ,  PESKOLLER, Florian

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der zumindest über eine Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) in Betrieb Strahlung emittiert, ein Konversionselement (2), das der Hauptstrahlungsaustrittsflache (11) direkt nachgeordnet ist, wobei das Konversionselement (2) substratfrei ist und eine erste Schicht (22) aufweist, wobei die erste Schicht (22) zumindest ein Konversionsmaterial (222) aufweist, das in einem Matrixmaterial (221) eingebettet ist, wobei das Matrixmaterial (221) zumindest ein kondensiertes anorganisches Sol-Gel Material aufweist, das aus folgender Gruppe ausgewählt ist: Wasserglas, Metallphosphat, Aluminiumphosphat, Monoaluminiumphosphat, Alkoxytetramethoxysilan, Tetraethylorthosilikat, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Titanalkoxid, Kieselsol, Metallalkoxid, Metalloxan, Metallalkoxan, Metalloxid, Metallsilikate, Metallsulphate, Wolframate, wobei das kondensierte Sol-Gel Material einen Anteil zwischen 10 und 70 Vol% in der ersten Schicht aufweist.

公开(公告)号：WO2018109193A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/EP2017/083114

申请日：2017-12-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL, Andreas ,  VON MALM, Norwin ,  SCHOLZ, Dominik ,  SCHWARZMAIER, Christoph ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  PFEUFFER, Alexander F.

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/00

Abstract: Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt,bei dem ein Hilfsträger mit einem ersten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer ersten Seite eines Halbleiterkörpers aufgebracht wird. Weiter umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Anschlussträger mit einem zweiten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer zweiten Seite des Halbleiterkörpers, welche dem Hilfsträger abgewandt ist, aufgebracht wird. Dabei wird der Halbleiterkörper auf einem Aufwachssubstrat, welches verschieden vom Hilfsträger ist, aufgewachsen,der erste und der zweite laterale thermische Ausdehnungskoeffizient unterscheiden sich um höchstens 50% und das Aufwachssubstrat (30) wird vor dem Aufbringen des Hilfsträgers (40) entfernt.

公开(公告)号：WO2018077957A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：PCT/EP2017/077326

申请日：2017-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von AnSteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird, - Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, und - Aufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.

Abstract translation:

在一个示例性导航用途货币形式，用于生产光电半导体部件的方法（1）被布置并包括以下步骤： - 提供一个主BEAR rlichtquelle（2）与Tr的AUML; GER（21）和一个 安装在其上，用于产生初级BEAR rlicht（B），其中，所述半导体层序列（22）为多个电独立地BEAR单独彼此寻址的像素（24）和Tr的AUML的构造的半导体层序列（22）; GER（21）的多个驱动器单元 （23），用于控制所述像素（24）， - 提供适于将所述初级光（B）转换成次级光（G，R）的转换单元（3,4），其中所述转换单元 ，4）zusammenh承受半导体材料（31 ngend，41）生长， - 图案化所述转换单元（3，4），其特征在于，对应于所述图像元素（24）N的半导体材料（31，41）的子区域 以及 - 将转换单元（3,4）施加到半导体层序列（22），使得剩余的半导体材料（31,41）被唯一地分配给像素（24）的一部分，