公开(公告)号：CN106865485A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510908759.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林梦嘉 ,  李勇孝 ,  陈翁宜 ,  李世伟 ,  刘崇显

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。

公开(公告)号：CN106716636A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201480081235.6

申请日：2014-09-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·J·李 ,  R·萨拉斯沃特 ,  U·齐尔曼 ,  V·B·拉奥 ,  T·伦-拉森 ,  N·P·考利

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02

CPC classification number: H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0109 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83688 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/166 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304

Abstract: 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN106276779A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610465128.4

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: G04D99/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  C23F1/00 ,  B81C1/00531 ,  B81B1/00

Abstract: 本发明涉及具有至少一个斜面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁博世”蚀刻，由此使得由微加工硅基片形成的部件能够有美学改进和改善的机械强度。

公开(公告)号：CN106082108A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN105939958A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201480072957.5

申请日：2014-11-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.卢茨 ,  F.霍伊克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械构件的制造方法，其至少包括以下步骤:借助于一个晶体定向无关的蚀刻步骤从衬底的至少一个结晶层(12)中形成微机械构件的至少一个部件的基础结构(10)，和借助于一个晶体定向相关的蚀刻步骤从该至少一个部件的基础结构(10)中蚀刻出一个限定的晶体平面(20)的至少一个面(18)，其中，该晶体定向相关的蚀刻步骤被实施，对于该晶体定向相关的蚀刻步骤，相应的限定的晶体平面(20)在全部的晶体平面中具有最低的蚀刻速率，在基础结构(10)上被蚀刻出的所述至少一个面(18)按照所述相应的限定的晶体平面定向。此外本发明涉及一种微机械构件。

公开(公告)号：CN105637405A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480057389.1

申请日：2014-11-07

Applicant: 住友精密工业株式会社

Inventor： 平田泰之 ,  松冈元

IPC: G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00492 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  G02B26/0841

Abstract: 在从第一硅层(210)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第一蚀刻工序中，将第一结构体中的由第一硅层(210)所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构。在将最终掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅层(230)侧的掩模形成工序中，将与第一结构体的最终形状对应的第一掩模(391)形成为布置在预结构内。在从第二硅层(230)侧对SOI基板(200)进行蚀刻的第二蚀刻工序中，通过利用第一掩模(391)对第二硅层(230)和预结构进行蚀刻，从而形成第一结构体的最终形状。

公开(公告)号：CN105609433A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510755359.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  彭荣辉

IPC: H01L21/60 ,  B81C3/00 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/001 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16 ,  H01L24/83 ,  B81C3/00 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及形成MEMS器件的方法以缓解上述困难。在一些实施例中，本发明涉及形成MEMS器件的方法，该方法在载体衬底的第一侧内形成一个或多个腔体。然后将载体衬底的第一侧接合至设置于微机电系统(MEMS)衬底上的介电层，并且随后图案化MEMS衬底以限定位于一个或多个腔体上方的软机械结构。然后，使用干蚀刻工艺选择性地去除介电层以释放一个或多个软机械结构。使用低温接合工艺，通过设置在CMOS衬底和MEMS衬底之间的接合结构将CMOS衬底接合至MEMS衬底的第二侧。本发明还提供一种集成芯片。

公开(公告)号：CN102841444B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210211366.4

申请日：2012-06-21

Applicant: 皮克斯特隆尼斯有限公司

Inventor： 海东拓生 ,  栗谷川武 ,  坂田亮 ,  刈迂修 ,  T·J·布罗斯尼汉

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/045 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/016

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。

公开(公告)号：CN104098065A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410145511.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·T·布里格哈姆 ,  C·V·加尼斯 ,  C·E·卢斯 ,  J·C·马林格 ,  W·J·墨菲 ,  A·K·斯坦珀 ,  E·J·怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G06F17/50

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: 本发明公开微电子机械系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。该方法包括：通过使至少在微电子机械系统（MEMS）梁之上和之下的钨材料和半导体材料两者排出以在MEMS梁之上形成上腔体结构和在MEMS梁之下形成下腔体结构，来形成MEMS梁结构。

公开(公告)号：CN104039687A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004918.7

申请日：2013-01-03

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 伯纳德·迪姆

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0392 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/3083

Abstract: 一种用于在基板的第一面中蚀刻所期望的复杂图案(50)的方法，包括以下步骤：穿过基板的第一面同时蚀刻至少第一和第二子图案，所蚀刻的子图案通过至少一个隔墙分开，在第一面，第一子图案的宽度大于第二子图案的宽度，并且沿与上述第一面垂直的方向，第一子图案的深度大于第二子图案的深度；移除或者消除上述隔墙以露出期望的复杂图案(50)的步骤。