-
公开(公告)号：CN102076879B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980124621.8
申请日：2009-06-16
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/22 , G02B1/115 , G02B5/285 , H01J37/32422
Abstract: 本发明提供一种能够抑制成膜条件的经时变化的蒸镀装置(1)。所述蒸镀装置(1)具备：被支承在接地的真空容器(10)内的基板支架(12)、保持在基板支架(12)上的基板(14)、离开基板(14)并与基板(14)相向的蒸发源(34，36)、对基板(14)照射离子的离子枪(38)、以及对基板(14)照射电子的中和器(40)，其中，离子枪(38)及中和器(40)分别安装有照射离子导向部件(50)及照射电子导向部件(52)。
-
公开(公告)号：CN102066602B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200980122366.3
申请日：2009-06-16
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/345 , H01J37/32706 , H01J37/32733 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中，基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成，在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧，与基板(14)隔开0.5～10mm的位置处，设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。
-
公开(公告)号：CN1795287B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200480014403.6
申请日：2004-05-31
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明的薄膜形成装置(1)具有：把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元；以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。真空容器(11)内的壁面上覆盖有绝缘体，气体导入单元向等离子体发生单元(61)产生等离子体的区域导入反应性气体和惰性气体。
-
公开(公告)号：CN102137951A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134065.2
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/0078 , C03C17/001 , C03C2218/31 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种滤光器的制造方法，该制造方法通过在薄膜形成前除去因清洗而附着于基板表面的异物来制造具有良好膜质的滤光器。通过进行使用含有水分的溶液对基板S进行清洗的清洗工序P1、利用氧气的等离子体对经清洗工序P1进行清洗的基板S的表面进行等离子体处理的前处理工序P3、以及在经前处理工序P3进行了等离子体处理的基板S的表面形成薄膜的薄膜形成工序(P4、P5)，能够有效除去附着在基板表面的异物。另外，在前处理工序P3中，向产生等离子体的区域仅导入氧气，且使所导入的氧气流量多于在薄膜形成工序中所导入的氧气流量，从而在薄膜形成工序(P4、P5)之前有效去除在清洗工序中通过OH基键附着在基板S表面的异物、防止脱膜部的发生。
-
公开(公告)号：CN101861408A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200980100991.8
申请日：2009-08-17
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/22
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/221 , C23C14/225 , H01J2237/0041 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明提供一种能够制造具有良好的光学特性的光学薄膜的光学薄膜沉积装置，以及制造成本低廉而且具有良好的光学特性的光学薄膜的制造方法。在真空容器(10)内向基体(14)沉积沉积物质的光学薄膜沉积装置具有：圆顶形的基体保持单元(12)，其设置在真空容器(10)内，用于保持基体(14)；旋转单元，其使基体保持单元(12)旋转；沉积单元(34)，其与基体(14)相对设置；离子源(38)，其向基体(14)照射离子；以及中和器(40)，其向基体(14)照射电子。离子源(38)被设置在下述位置，即，所述位置是使从离子源(38)照射离子的轴线、与相对于基体(14)的表面的垂线之间的角度为8°以上40°以下，并使基体保持单元的旋转轴中心和离子源(38)的中心之间的垂直方向的距离、与基体保持单元(12)的直径之比为0.5以上1.2以下的范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100489149C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200480014269.X
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/5846 , C23C14/0078 , C23C14/568
Abstract: 本发明的薄膜形成方法具有光学特性调节工序，在控制用于保持基板的基板座(13)的运送速度的同时，在进行中间薄膜形成工序的区域和进行薄膜成分变换工序的区域之间反复运送上述基板座(13)，调节最终形成的薄膜的膜成分，形成具有产生迟滞现象的区域内的光学特性值的薄膜。
-
公开(公告)号：CN1536098A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200310113060.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明提供简单易行的制造膜厚倾斜程度大的薄膜的薄膜制造方法及溅射装置。该方法通过使真空室11内的成膜工序区20、40和反应工序区60在空间上相互分离并通过溅射形成薄膜。在中间薄膜形成工序形成由不完全反应物形成的中间薄膜。该中间薄膜形成工序中，在基板S和靶29a、29b、49a、49b之间设有使形成的薄膜膜厚均匀的修正板35和使形成的薄膜具备对应基板S形成薄膜的面的所需膜厚分布的屏蔽板36，在基板S相对修正板35和屏蔽板36移动的同时形成中间薄膜。在形成最终薄膜的膜组成转化工序中，在反应工序区60使中间薄膜和反应性气体的活性基反应，使最终薄膜的膜厚与中间薄膜的膜厚相比有所增加。
-
公开(公告)号：CN119325524A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380045226.0
申请日：2023-10-06
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 一种氧化钇皮膜，其皮膜的维氏硬度为900HV以上，氧化钇晶体的(222)面的基于X射线衍射的半值宽度为0.7°以上，在氧化钇的晶体结构中，(222)面优先取向，X射线衍射中的(222)面的衍射强度为其他晶面的2倍以上，能够形成于要求耐腐蚀性、耐磨性、耐粉尘产生性等的部件的表面，通过PVD法、CVD法、ALD法中的任一种、特别是离子束辅助蒸镀法形成。
-
公开(公告)号：CN118742829A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380012409.2
申请日：2023-09-13
Abstract: 一种防反射膜(2)，该防反射膜(2)为了在具有防反射性和耐擦伤性的基础上抑制针对拉伸应力的裂纹产生，在基材(1)的表面具有折射率低于上述基材(1)的折射率的低折射率层(21)作为最外层，其中，上述低折射率层(21)含有硅、碳、氟和氧作为必要成分，还含有铟、锡或铋中的至少任一种作为必要成分，以氧化硅为主要成分，包含有机氟化合物。
-
公开(公告)号：CN116568854A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180057905.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 提供一种运转率高的成膜装置。其具备：成膜室(2)，该成膜室(2)至少设置有成膜材料M和被成膜物(S)，能够设定为规定的成膜气氛；炉膛内衬(23)，该炉膛内衬(23)设置于上述成膜室(2)的内部，容纳上述成膜材料M；加热源(24)，该加热源(24)设置于上述成膜室(2)的内部，对容纳在上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)进行加热；和材料供给室(3)，该材料供给室(3)具有填充用于供给至上述炉膛内衬(23)的成膜材料(M)的材料填充部(35)，通过具有闸阀(37)的连通路径(36)与上述成膜室(2)连接，能够设定为规定的压力气氛。在供给成膜材料(M)的情况下，在将成膜室(2)设定为成膜气氛的状态下，将上述材料供给室(3)的内部设定为上述规定的压力气氛后，打开上述闸阀(37)，通过上述连通路径(36)将填充在上述材料填充部(35)的成膜材料(M)供给至上述炉膛内衬(23)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
105
records
(took 0.034 seconds)
