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    가변 저항 메모리 소자의 형성 방법
    65.
    发明公开
    가변 저항 메모리 소자의 형성 방법 有权
    形成电阻可变存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020120061490A

    公开(公告)日：2012-06-13

    申请号：KR1020100122824

    申请日：2010-12-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박정희 ,  박정환 ,  호리이히데키 ,  조성래

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/1625 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  G11C13/0004

    Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory device formation method is provided to improve circuit performance by filling an opening part of an insulating film with a void or without a seam. CONSTITUTION: A diode is formed on a semiconductor substrate(23). A lower electrode is formed on the diode. An insulating layer has an opening part(66) on the lower electrode. A variable resistance layer(120) is formed by filling the opening part. The variable resistance layer includes an amorphous region adjacent to the upper part of a lateral wall of the opening part and a crystalline region adjacent to the lower electrode. An upper electrode is formed on the variable resistance layer.

    Abstract translation: 目的：提供可变电阻存储器件形成方法，以通过填充绝缘膜的开口部分而具有空隙或不具有接缝来改善电路性能。 构成：在半导体衬底（23）上形成二极管。 在二极管上形成下电极。 绝缘层在下电极上具有开口部分（66）。 通过填充开口部形成可变电阻层（120）。 可变电阻层包括与开口部分的侧壁的上部相邻的非晶区域和与下部电极相邻的结晶区域。 上电极形成在可变电阻层上。

    상변화 물질막의 형성방법
    66.
    发明公开
    상변화 물질막의 형성방법 无效
    形成相变材料层的方法

    公开(公告)号：KR1020100099581A

    公开(公告)日：2010-09-13

    申请号：KR1020090018138

    申请日：2009-03-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  조성래 ,  임동현 ,  이진일

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L45/1233 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a phase-change-material film is provided to fill a contact hole without a void by forming a conformal phase-change-material film on the sidewall of the contact hole. CONSTITUTION: A first interlayer insulating film(110) is formed on a semiconductor substrate(101). A lower electrode(112) is formed on the first interlayer insulating film. An insulating film(120) is formed on the lower electrode. An opening(122), which exposes a part of the lower electrode, is formed on the insulating film. A spacer(124) is formed on the sidewall of the opening. A phase-change-material film(130) is formed to fill the opening.

    Abstract translation: 目的：提供形成相变材料膜的方法，通过在接触孔的侧壁上形成保形相变材料膜来填充没有空隙的接触孔。 构成：在半导体衬底（101）上形成第一层间绝缘膜（110）。 在第一层间绝缘膜上形成下电极（112）。 在下电极上形成绝缘膜（120）。 在绝缘膜上形成露出下部电极的一部分的开口（122）。 间隔件（124）形成在开口的侧壁上。 形成相变材料膜（130）以填充开口。

    상변화막 형성방법
    67.
    发明公开
    상변화막 형성방법 有权
    形成相位变化层的方法和装置及相变存储器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1020100027869A

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：KR1020080086959

    申请日：2008-09-03

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 후지타,타케히코 ,  임동현 ,  배병재 ,  김도형 ,  조성래 ,  이진일 ,  서주형 ,  박혜영

    IPC: H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/124 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1691 ,  C23C16/305

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a phase-change layer and a method for manufacturing a phase-change memory device are provided to improve the composition dispersion of the phase-change layer using a chamber pressure change cycle with an atomic layer deposition method. CONSTITUTION: Source is supplied to a chamber. The source is purged from the chamber. According to the state of the source, the pressure of the chamber is changed. In case of supplying the source into the chamber, a high pressure is set for the chamber. In case of purging the source from the chamber, a low pressure is set for the chamber. A phase-chnge layer with superior composition dispersion is formed.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成相变层的方法和装置以及用于制造相变存储器件的方法，以使用原子层沉积方法改进使用腔室压力变化循环的相变层的组成分散 。 构成：将源提供给室。 源头从腔室中清除。 根据来源的状态，房间的压力发生变化。 在将源供应到室中的情况下，为腔室设定高压。 在从腔室清除源的情况下，为腔室设定低压。 形成具有优异组成分散性的相位层。

    상변화 메모리 장치
    68.
    发明公开
    상변화 메모리 장치 无效
    相变存储器件

    公开(公告)号：KR1020090117103A

    公开(公告)日：2009-11-12

    申请号：KR1020080043005

    申请日：2008-05-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김도형 ,  배준수 ,  임동현 ,  조성래 ,  이진일 ,  박혜영 ,  신희주

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L21/0226

    Abstract: PURPOSE: A phase change memory device is provided to perform a multi level cell function by including phase material patterns with different electrical characteristics. CONSTITUTION: A phase change memory device includes a first electrode, a second electrode, a first phase change material pattern(65) and a second phase change material pattern(75). The first phase change material pattern and the second phase change material pattern are interposed between the first electrode and the second electrode. The first and second phase change material patterns. The first phase change material pattern and the second phase change material pattern have different widths.

    Abstract translation: 目的：提供相变存储器件以通过包括具有不同电特性的相材料图案来执行多电平单元功能。 构成：相变存储器件包括第一电极，第二电极，第一相变材料图案（65）和第二相变材料图案（75）。 第一相变材料图案和第二相变材料图案介于第一电极和第二电极之间。 第一和第二相变材料图案。 第一相变材料图案和第二相变材料图案具有不同的宽度。

    멀티 레벨 비휘발성 메모리 장치, 그 프로그램 방법, 및 그제조 방법
    70.
    发明公开
    멀티 레벨 비휘발성 메모리 장치, 그 프로그램 방법, 및 그제조 방법 无效
    多级非易失性存储器件及其编程方法及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090020391A

    公开(公告)日：2009-02-26

    申请号：KR1020070085126

    申请日：2007-08-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  조성래 ,  신종찬 ,  안동호 ,  박혜영 ,  고한봉 ,  박영림

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141

    Abstract: A multi-level nonvolatile memory device, a program method thereof, and a fabricating method thereof are provided to heighten the reliability of the program operation by forming a plurality of bottom electrodes on the top of the substrate. A plurality of bottom electrodes(110) are formed on a substrate(100). The first insulating layer pattern(120) comprises a plurality of first openings(122) which are formed on the top of the substrate, and open a plurality of bottom electrodes. A plurality of bottom electrode contacts(130) are formed inside the first openings and on the bottom electrodes. A plurality of phase change material patterns(140) are formed inside the plurality of first openings and on the plurality of bottom electrode contacts. A plurality of upper electrode contacts(150) are formed on a plurality of phase change material patterns. The second insulating layer pattern(160) is formed on the first insulating layer pattern and the plurality of upper electrode contacts.

    Abstract translation: 提供了一种多级非易失性存储器件及其编程方法及其制造方法，通过在衬底的顶部形成多个底部电极来提高编程操作的可靠性。 在基板（100）上形成多个底部电极（110）。 第一绝缘层图案（120）包括形成在基板的顶部上的多个第一开口（122），并且打开多个底部电极。 多个底部电极触点（130）形成在第一开口内部和底部电极上。 多个相变材料图案（140）形成在多个第一开口内部和多个底部电极触点上。 多个上电极触点（150）形成在多个相变材料图案上。 第二绝缘层图案（160）形成在第一绝缘层图案和多个上电极接触件上。

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