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公开(公告)号：KR100744145B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060074316
申请日：2006-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus and method for processing wafers using supercritical fluids is provided to improve the uniformity of processed wafer by sequentially processing the wafer in plural chambers one by one. A fluid supply unit(200) has a first supply part(210) for supplying a first fluid(212) of a supercritical state to a wafer processing unit(100) and a second supply part(220) for supplying a mixture of the first fluid and a second fluid(214) to the wafer processing unit. First supply lines(230) are connected to the first supply part and chambers, and second supply lines(240) are connected to the second supply part and the chambers. First valves(232) are installed in the first supply lines, and second valves(234) are installed in the second supply lines.
Abstract translation: 提供了一种使用超临界流体处理晶片的设备和方法，以通过在多个腔室中逐个处理晶片来提高处理晶片的均匀性。 流体供应单元（200）具有用于向晶片处理单元（100）供应超临界状态的第一流体（212）的第一供应部分（210）和用于供应第一流体（212）的混合物的第二供应部分（220） 流体和第二流体（214）到晶片处理单元。 第一供应管线（230）连接到第一供应部分和腔室，第二供应管线（240）连接到第二供应部分和腔室。 第一阀（232）安装在第一供应管线中，第二阀（234）安装在第二供应管线中。
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公开(公告)号：KR100626382B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020040061227
申请日：2004-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/306 , C23F1/44
CPC classification number: C23F1/28 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01F41/308 , H01F41/34 , H01L21/32134 , H01L43/12
Abstract: 식각 용액 및 이를 이용한 자기 기억 소자의 형성 방법을 제공한다. 식각 용액은 순수(Deionized water) 및 유기산을 포함한다. 유기산은 카르복실기와 수산기를 갖는다. 유기산은 상기 순수의 중량 대비 0.05중량% 내지 35중량%이다.
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公开(公告)号：KR100604920B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020040102217
申请日：2004-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283 , H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 절연체막에 개구되는 콘택 홀(contact hole)을 통하여 상층과 하층의 각 배선층 상호간의 전기적 접속을 위해 폴리실리콘과 텅스텐으로 이루어진 이중 플러그(dual plug)라고 불리는 중간 도전체막을 형성함에 있어서, 콘택 홀내에 하부 플러그를 형성하기 위하여 폴리실리콘을 부분적으로 식각하기 위한 식각 방법을 개시한다. 상기 식각 방법은 화학적 다운스트림 식각 방법을 이용함으로써 콘택 홀의 측벽에 존재하는 질화막 스페이서 및 층간 절연막의 손실이 없이 폴리실리콘을 선택적으로 식각하여 식각 표면이 균일한 폴리실리콘 하부 플러그를 형성하게 함으로써 공정 여유도 및 공정 속도를 증가시키고 공정 수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이중 플러그, 화학적 다운스트림 식각-
公开(公告)号：KR100555512B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030053077
申请日：2003-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32137 , H01L21/76802 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 폴리실리콘막을 식각 마스크로 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 게이트 구조물이 형성된 반도체 기판 상에 실리콘 질화막으로 식각방지막을 형성하고, 그 위에 층간 절연막을 증착한다. 그리고, 층간 절연막 상에 폴리실리콘막 패턴을 형성한다. 그리고, 이 폴리실리콘막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 층간 절연막을 식각함으로써 콘택 홀을 형성한다. 다음으로, 폴리실리콘막 패턴을 제거한다. 폴리실리콘막을 제거할 때는 층간 절연막이나 실리콘질화막에 대하여 폴리실리콘의 식각 선택비가 큰 방법을 사용한다. 예를 들어, 폴리실리콘막 패턴을 제거하는 공정에는 리모트 플라즈마를 사용하는 화학적 건식 식각법을 사용할 수 있는데, 식각 가스인 CF
4 유량/O
2 유량비는 총 가스 유량에 대한 O
2 가스의 유량비가 5% 내지 30% 사이인 것이 바람직한데, 예컨대 CF
4 유량/O
2 유량비는 150sccm/60sccm 이상일 수 있다. 그리고, 리모트 플라즈마를 발생시키는 마이크로웨이브 동력은 550와트 이상인 것이 바람직하다. 계속해서, 콘택 홀에 도전 물질을 채워서 콘택을 만든다.-
公开(公告)号：KR102235578B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140161943
申请日：2014-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는, 제1 방향으로연장되어형성되는액티브핀, 액티브핀 상에형성되고, 제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는게이트, 액티브핀의상부에형성되고, 게이트의일측에배치되는소오스또는드레인, 게이트와소오스또는드레인을덮는층간절연막, 층간절연막을관통하여소오스또는드레인과연결되고, 제1 콘택영역과제1 콘택영역의하부에위치하는제2 콘택영역을포함하는소오스또는드레인콘택및 제1 콘택영역과층간절연막사이에형성되는스페이서막을포함하되, 제1 콘택영역의제1 방향폭과제2 콘택영역의제1 방향폭은, 제1 콘택영역과제2 콘택영역의경계에서서로다르다.
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公开(公告)号：KR101774298B1
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020110051465
申请日：2011-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/76804 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76877
Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은층간절연막내에형성된제1 트렌치와, 층간절연막상에제1 트렌치를노출하고순차적으로적층된제1 및제2 하드마스크패턴을포함하는반도체장치를제공하고, 층간절연막과제1 및제2 하드마스크패턴상에, 제1 트렌치를채우도록충전물질을형성하고, 제1 트렌치를노출하도록충전물질을제거하면서, 제1 및제2 하드마스크패턴의측벽을트리밍하여제1 및제2 하드마스크트리밍패턴을형성하고, 제1 트렌치에도전물질을채워다마신배선을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种制造半导体器件的方法。 一种用于制造半导体器件的方法，以及形成在层间绝缘膜中的第一沟槽，并暴露在层间绝缘膜中的第一沟槽和包括第一mitje第二硬掩模图案顺序地堆叠的半导体装置，和层间绝缘膜任务1个mitje 2硬掩模图案以填充第一沟槽并修整第一和第二硬掩模图案的侧壁，同时移除填充材料以暴露第一沟槽， 形成图案，并用导电材料填充第一沟槽以形成完整的布线。
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公开(公告)号：KR101774300B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020110071115
申请日：2011-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76816
Abstract: 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치의제조방법은층간절연막내에형성된제1 트렌치와, 제1 트렌치를노출하고층간절연막상에순차로적층된제1 하드마스크패턴및 제2 하드마스크패턴을포함하는기판을제공하고, 층간절연막및 제2 하드마스크패턴상에, 충전물질을형성하여제1 트렌치를매립하고, 충전물질의일부를제거하여제2 하드마스크패턴을노출시키고, 제2 하드마스크패턴을제거하고, 잔존하는충전물질을제거하고, 도전물질로제1 트렌치를매립하여배선을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150141433A
公开(公告)日：2015-12-18
申请号：KR1020140070148
申请日：2014-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/31138 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 대체금속게이트의균일성(uniformity)를개선하기위한반도체소자의제조방법이제공된다. 상기반도체소자의제조방법은기판상에, 서로이격된제1 트렌치와제2 트렌치를포함하는층간절연막을형성하고, 상기제1 트렌치의측면과바닥면을따라제1 유전막을형성하고, 상기제2 트렌치의측면과바닥면을따라제2 유전막을형성하고, 상기제1 및제2 유전막상에각각, 제1 및제2 하부도전막을형성하고, 상기제1 및제2 하부도전막상에각각제1 및제2 캡핑막을형성하고, 상기제1 및제2 캡핑막을형성한후, 열처리를수행하고, 상기열처리를수행한후, 상기제1 및제2 캡핑막, 상기제1 및제2 하부도전막을제거하고, 상기제1 및제2 유전막상에각각, 제1 및제2 금속게이트구조체를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于制造用于提高替换金属栅极的均匀性的半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成包括彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的层间绝缘层; 沿着所述第一沟槽的侧表面和底表面形成第一电介质层，以及沿所述第二沟槽的侧表面和底表面形成第二电介质层; 在第一和第二介电层上分别形成第一和第二下导电层; 在第一和第二下导电层上分别形成第一和第二封盖层; 在形成第一和第二封盖层之后进行热处理; 在进行热处理之后，去除第一和第二封盖层以及第一和第二下导电层; 以及在第一和第二介电层上分别形成第一和第二金属栅极结构。
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