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    외부 공진 레이저 광원
    62.
    发明公开
    외부 공진 레이저 광원 有权
    外部光源激光光源

    公开(公告)号：KR1020100106140A

    公开(公告)日：2010-10-01

    申请号：KR1020090024623

    申请日：2009-03-23

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 오수환 ,  윤기홍 ,  김기수 ,  오대곤

    IPC: H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/10

    CPC classification number: H01S5/14 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2231

    Abstract: PURPOSE: An external cavity laser light source is provided to project a light having a narrow radiation angle by forming the width of active and passive optical waveguides of a ridge type. CONSTITUTION: A passive waveguide layer(112), an under-clad layer(114), an active layer(120), and a top clad layer(136) are successively laminated on a substrate(110). The ridged optical waveguide comprises a straight waveguide region, a curved waveguide region, a tapered waveguide region, and a window region. Current blocking layers(132,134) are arranged around the active layer. The current block layer blocks the flow of current to outside of the active layer.

    Abstract translation: 目的：通过形成脊型有源和无源光波导的宽度，提供外腔激光光源来投射具有较窄辐射角的光。 构造：在衬底（110）上依次层叠无源波导层（112），下覆层（114），有源层（120）和顶部覆盖层（136）。 脊状光波导包括直波导区域，弯曲波导区域，锥形波导区域和窗口区域。 电流阻挡层（132,134）围绕有源层布置。 当前的阻挡层阻止电流流向有源层的外部。

    광증폭기
    63.
    发明公开
    광증폭기 有权
    光放大器

    公开(公告)号：KR1020100072536A

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：KR1020080130968

    申请日：2008-12-22

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김동철 ,  김기수 ,  최병석 ,  김현수 ,  권오균 ,  오대곤

    IPC: G02B6/12 ,  H04B10/291

    Abstract: PURPOSE: An optical amplifier is provided to remove a multimode while being used for an existing device manufacturing method. CONSTITUTION: A passive waveguide area(341) receives an incident optical signal. An active waveguide area(342) is welded to a passive waveguide area and modulates the inputted optical signal. The passive waveguide area has at least one multimode interferometer(346).

    Abstract translation: 目的：提供一种用于在现有器件制造方法中使用的多模光纤放大器。 构成：无源波导区域（341）接收入射光信号。 有源波导区域（342）焊接到无源波导区域并调制输入的光信号。 无源波导区域具有至少一个多模干涉仪（346）。

    반도체 발광소자 및 그 제조방법
    65.
    发明授权
    반도체 발광소자 및 그 제조방법 失效
    반체발광발광소자및그제조방법

    公开(公告)号：KR100679235B1

    公开(公告)日：2007-02-06

    申请号：KR1020060014894

    申请日：2006-02-16

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김기수 ,  오대곤 ,  양계모

    IPC: H01L33/14

    Abstract: A semiconductor light emitting device and its manufacturing method are provided to improve a light emitting efficiency and to enhance temperature characteristics by forming an upper clad layer using two-step epitaxial growing processes under different temperature conditions. A first DBR(Distributed Brag Reflector)(220) doped with N type ions is formed on a substrate(210). A lower clad layer(230) is formed on the first DBR. A light emissive active layer(240) is formed on the lower clad layer. A first upper clad layer is formed on the light emissive active layer in a first growth temperature range. A second upper clad layer is formed on the first upper clad layer in a second growth temperature range. A delta doping layer is formed on the second upper clad layer.

    Abstract translation: 提供半导体发光器件及其制造方法以通过在不同温度条件下使用两步外延生长工艺形成上包覆层来提高发光效率并提高温度特性。 在衬底（210）上形成掺杂有N型离子的第一DBR（分布式布拉格反射器）（220）。 下包层（230）形成在第一DBR上。 在下部覆层上形成发光有源层（240）。 第一上包覆层在第一生长温度范围内形成在发光有源层上。 第二上部包覆层在第二生长温度范围内形成在第一上部包覆层上。 在第二上包层上形成三角掺杂层。

    양방향성 광모듈
    66.
    发明公开
    양방향성 광모듈 失效
    双向光学模块

    公开(公告)号：KR1020070013985A

    公开(公告)日：2007-01-31

    申请号：KR1020050124043

    申请日：2005-12-15

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 송정호 ,  백용순 ,  김기수 ,  김성일

    IPC: G02B6/42

    CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/4246 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0683 ,  H04B10/40 ,  H01L2924/00014

    Abstract: A bi-directional optical module is provided to reduce the number of parts and to allow an alignment error in a wide range, by amplifying an optical signal with a wavelength of 1.5um by using a semiconductor optical amplifier. A bi-directional optical module includes a transmitting optical element(100) aligned on an optical axis of an LD(Laser Diode,102) formed on a substrate(108) and integrated with a semiconductor optical amplifier(106); and a receiving optical element(200) having a PD(Photo Diode,204) of which a light receiving surface is placed vertically to the optical axis of the LD of the transmitting optical element. Therefore, the bi-directional optical module transmits and receives the optical signals with different wavelengths at the same time. A monitor PD(104) is integrally aligned on the optical axis of the LD formed on the substrate.

    Abstract translation: 通过使用半导体光放大器，通过放大波长为1.5um的光信号，提供双向光模块以减少部件数量并允许在宽范围内的对准误差。 双向光学模块包括在形成在衬底（108）上并与半导体光放大器（106）集成的LD（激光二极管102）的光轴上对准的透射光学元件（100）。 以及具有PD（光电二极管204）的接收光学元件（200），其中光接收表面垂直于发射光学元件的LD的光轴放置。 因此，双向光模块同时发送和接收具有不同波长的光信号。 监视器PD（104）在形成在基板上的LD的光轴上一体地对准。

    단일 집적 반도체 광소자의 제조방법
    67.
    发明公开
    단일 집적 반도체 광소자의 제조방법 无效
    单片集成半导体光学器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1020060067111A

    公开(公告)日：2006-06-19

    申请号：KR1020050041287

    申请日：2005-05-17

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 심은덕 ,  송정호 ,  임영안 ,  김기수 ,  김성복

    IPC: H01L31/10

    CPC classification number: H01L31/109 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

    Abstract: 본 발명은 단일 집적 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 능동 및 수동 도파로 영역이 분리된 기판 상에 완충층을 형성하고, 상기 능동 도파로 영역의 완충층 상에 제1 활성층 및 제1 클래드층과, 상기 수동 도파로 영역의 완충층 상에 제2 활성층 및 제2 클래드층을 선택적 결정 성장하여 수직 정렬하는 단계와, 상기 제1 및 제2 클래드층 상부의 소정영역에 제1 및 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 마스크를 이용하여 메사 형태의 능동 및 수동 도파로가 각각 형성되도록 상기 완충층의 소정깊이까지 식각하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 소정두께의 제3 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 제4 클래드층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 도파 손실을 최대한 줄이 고 제작 공정도 단순화할 수 있는 효과가 있다.
    단일 집적 반도체, 광소자, 수동 도파로, 능동 도파로

    광모드 크기 변환기, 그 제조방법 및 광모드 크기 변환기집적 광검출소자
    69.
    发明授权
    광모드 크기 변환기, 그 제조방법 및 광모드 크기 변환기집적 광검출소자 有权
    点尺寸转换器，制造方法和点尺寸转换器集成光电检测器

    公开(公告)号：KR100471383B1

    公开(公告)日：2005-03-10

    申请号：KR1020020080112

    申请日：2002-12-16

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 권용환 ,  최중선 ,  김기수

    IPC: G02B6/14

    CPC classification number: G02B6/1228

    Abstract: 본 발명은 광모드 크기 변환기(spot size converter : SSC)를 집적한 광소자와 그 제작 방법에 관한 것으로, SSC 영역의 테이퍼 도파로를 형성할 때 선택적 습식 식각 방법을 사용해서 폭과 두께를 정확히 조절하며, 특히 테이퍼 도파로의 시작부분을 메사 구조 또는 역메사 구조로 형성한다. 이를 통하여 공정 변수를 재현성 있게 조절할 수 있도록 하고, 광정렬을 위한 비용을 절감하고 광결합 효율 및 양자효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

    광대역 파장 가변 추출 격자 분포 궤환 레이저 다이오드
    70.
    发明公开
    광대역 파장 가변 추출 격자 분포 궤환 레이저 다이오드 无效
    WIDELY TUNABLE SG-DFB激光二极管，其波长根据相位控制区域的折射率变化而变化更宽

    公开(公告)号：KR1020040098421A

    公开(公告)日：2004-11-20

    申请号：KR1020030030777

    申请日：2003-05-15

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 오수환 ,  박문호 ,  이지면 ,  이철욱 ,  김기수 ,  고현성 ,  박상기 ,  정영철 ,  김수현

    IPC: H01S3/0941

    CPC classification number: H01S5/06258 ,  H01S5/1209 ,  H01S5/1228

    Abstract: PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.

    Abstract translation: 目的：提供根据相位控制区域的折射率变化而振荡的可广泛调整的SG-DFB（采样光栅分布反馈）激光二极管，以通过将增益区域的光波直接连接到光纤而不加 失利。 构成：广泛可调的SG-DFB激光二极管包括第一增益区和第二增益区。 广泛可调的SG-DFB激光二极管还包括第一SG-DFB结构和第二SG-DFB结构。 第一SG-DFB包括形成在第一增益区上的第一周期的第一采样光栅（34a）和形成在第一采样光栅之间的第一相位控制区（35a）。 第二SG-DFB包括形成在第二增益区上的第二周期的第二采样光栅（34b）和形成在第二采样光栅之间的第二相位控制区（35b）。

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