Abstract:
도파로 렌즈를 구비하는 반도체 레이저가 제공된다. 이 반도체 레이저는 좁은 폭을 갖는 적어도 하나의 제 1 도파로, 넓은 폭을 갖는 적어도 하나의 제 2 도파로, 및 제 1 도파로로부터 제 2 도파로로 갈수록 넓어지는 폭을 가지면서 제 1 및 제 2 도파로들을 연결하는 적어도 하나의 도파로 렌즈를 포함한다. 제 1 및 제 2 도파로들을 연결하는 도파로 렌즈의 측벽들은 곡선 형태로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 도파로는 광학적 이득을 제공하는 도파로일 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An external cavity laser light source is provided to project a light having a narrow radiation angle by forming the width of active and passive optical waveguides of a ridge type. CONSTITUTION: A passive waveguide layer(112), an under-clad layer(114), an active layer(120), and a top clad layer(136) are successively laminated on a substrate(110). The ridged optical waveguide comprises a straight waveguide region, a curved waveguide region, a tapered waveguide region, and a window region. Current blocking layers(132,134) are arranged around the active layer. The current block layer blocks the flow of current to outside of the active layer.
Abstract:
PURPOSE: An optical amplifier is provided to remove a multimode while being used for an existing device manufacturing method. CONSTITUTION: A passive waveguide area(341) receives an incident optical signal. An active waveguide area(342) is welded to a passive waveguide area and modulates the inputted optical signal. The passive waveguide area has at least one multimode interferometer(346).
Abstract:
실리콘층 및 화합물 반도체층을 각각 슬랩 도파로 및 채널 도파로로 이용하는 하이브리드 레이저 다이오드가 제공된다. 본 발명에 따른 하이브리드 레이저 다이오드는 도파 모드의 손실, 누설 전류 및 직렬 저항을 줄일 수 있으며, 개선된 열 방출 특성을 갖는다. 특히, 본 발명에 따르면, 활성영역 및 도파로가 분명하게 정의될 수 있다.
Abstract:
A semiconductor light emitting device and its manufacturing method are provided to improve a light emitting efficiency and to enhance temperature characteristics by forming an upper clad layer using two-step epitaxial growing processes under different temperature conditions. A first DBR(Distributed Brag Reflector)(220) doped with N type ions is formed on a substrate(210). A lower clad layer(230) is formed on the first DBR. A light emissive active layer(240) is formed on the lower clad layer. A first upper clad layer is formed on the light emissive active layer in a first growth temperature range. A second upper clad layer is formed on the first upper clad layer in a second growth temperature range. A delta doping layer is formed on the second upper clad layer.
Abstract:
A bi-directional optical module is provided to reduce the number of parts and to allow an alignment error in a wide range, by amplifying an optical signal with a wavelength of 1.5um by using a semiconductor optical amplifier. A bi-directional optical module includes a transmitting optical element(100) aligned on an optical axis of an LD(Laser Diode,102) formed on a substrate(108) and integrated with a semiconductor optical amplifier(106); and a receiving optical element(200) having a PD(Photo Diode,204) of which a light receiving surface is placed vertically to the optical axis of the LD of the transmitting optical element. Therefore, the bi-directional optical module transmits and receives the optical signals with different wavelengths at the same time. A monitor PD(104) is integrally aligned on the optical axis of the LD formed on the substrate.
Abstract:
본 발명은 단일 집적 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 능동 및 수동 도파로 영역이 분리된 기판 상에 완충층을 형성하고, 상기 능동 도파로 영역의 완충층 상에 제1 활성층 및 제1 클래드층과, 상기 수동 도파로 영역의 완충층 상에 제2 활성층 및 제2 클래드층을 선택적 결정 성장하여 수직 정렬하는 단계와, 상기 제1 및 제2 클래드층 상부의 소정영역에 제1 및 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 마스크를 이용하여 메사 형태의 능동 및 수동 도파로가 각각 형성되도록 상기 완충층의 소정깊이까지 식각하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 소정두께의 제3 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 제4 클래드층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 도파 손실을 최대한 줄이 고 제작 공정도 단순화할 수 있는 효과가 있다. 단일 집적 반도체, 광소자, 수동 도파로, 능동 도파로
Abstract:
본 발명은 전기 광학적 크로스토크 및 수율을 개선할 수 있는 트랜스미터 및 리시버를 포함하는 양방향 모듈 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 트랜스미터 및 리시버로 구성되는 양방향 모듈로서, 상기 트랜스미터는 외부 공동(external cavity)을 갖는 DFB(distributed feedback) 레이저 다이오드를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 광모드 크기 변환기(spot size converter : SSC)를 집적한 광소자와 그 제작 방법에 관한 것으로, SSC 영역의 테이퍼 도파로를 형성할 때 선택적 습식 식각 방법을 사용해서 폭과 두께를 정확히 조절하며, 특히 테이퍼 도파로의 시작부분을 메사 구조 또는 역메사 구조로 형성한다. 이를 통하여 공정 변수를 재현성 있게 조절할 수 있도록 하고, 광정렬을 위한 비용을 절감하고 광결합 효율 및 양자효율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A widely tunable SG-DFB(Sampled Grating-Distributed FeedBack) laser diode oscillated according to a variation of refractive indexes of phase control regions is provided to enhance the optical efficiency by connecting directly optical waves of a gain region to an optical fiber without loss. CONSTITUTION: A widely tunable SG-DFB laser diode includes a first gain region and a second gain region. The widely tunable SG-DFB laser diode further includes a first SG-DFB structure and a second SG-DFB structure. The first SG-DFB includes a first sampled grating(34a) of a first period formed on the first gain region and a first phase control region(35a) formed between the first sampled gratings. The second SG-DFB includes a second sampled grating(34b) of a second period formed on the second gain region and a second phase control region(35b) formed between the second sampled gratings.