-
公开(公告)号：KR100546764B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030087991
申请日：2003-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: H04L67/025
Abstract: 재구성형 SoC(System On a Chip) 구현시, 목적시스템 내부에서 재구성에만 사용되는 메모리의 공간을 없애고 이를 별도의 서버에 설치해 둔 뒤 재구성의 필요에 따라 구성용 데이터를 인터넷(유선 혹은 무선)을 통해 불러와 SoC의 내외부에 있는 메모리를 구성용으로 사용하게 하는 것을 그 특징으로 한다. 아울러 SoC 내외부의 메모리에 있는 데이터 중 재구성 후에도 보존되어야 할 데이터를 서버에 이전하여, 비워진 SoC 내외부의 메모리를 구성용 메모리로 사용 후 보존되어야 할 데이터를 복원시키는 방법을 제안한다.
-
公开(公告)号：KR100541975B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030096035
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/30 , G09G2310/027 , G09G2320/0276
Abstract: 본 발명은 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하고 이 변환과정에서 동시에 램프 신호를 생성하는 디지털-아날로그 변환/램프 회로를 구비하는 능동 구동형 EL의 소스 구동회로를 제공한다. 이를 통해 온도나 문턱전압 변동에 무관하고 종래의 램프 회로를 사용하지 않을 수 있어 고집적도가 가능하도록 할 수 있다.
능동, 무기 EL, 소스 구동회로-
公开(公告)号：KR100532564B1
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040037571
申请日：2004-05-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66818
Abstract: 본 발명은 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 단결정 실리콘 패턴의 형태와 실리콘의 결정 방향에 따른 열산화 속도 차이를 이용하여 유선(∩) 형태의 채널, 점차 증가하는 형태의 확장 영역 및 상승된 구조의 소스 및 드레인을 구현한다. 채널이 유선(∩) 형태로 형성됨으로써 전계의 집중으로 인한 소자의 신뢰성 저하가 방지되며, 채널의 상부와 양 측벽이 게이트 전극으로 둘러싸여지기 때문에 게이트 전압에 의한 전류 구동 능력이 우수해진다. 또한, 크기가 증가된 확장 영역으로 인해 전류 밀집 현상이 방지되며, 상승된 소스 드레인 구조에 의해 소스 및 드레인 직렬 저항이 감소되어 전류 구동 능력이 증대된다.
-
公开(公告)号：KR100506351B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020020078446
申请日：2002-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G1/0029 , H03F1/3211 , H03F3/45188 , H03F2203/45288 , H03F2203/45398 , H03F2203/45702
Abstract: 본 발명은 CMOS 가변 이득 증폭기(variable gain amplifier)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 가변 이득 증폭기는 제 1 및 제 2 입력 전압을 차동 입력하기 위한 제 1 수단과, 조절 전압에 따라 트랜스컨덕턴스의 크기를 조절하여 다양한 출력 전류를 발생하기 위한 제 2 수단과, 상기 조절 전압 및 바이어스 전압을 차동 입력하여 미러 형태의 전류를 발생하고, 상기 미러 전류를 이용하여 상기 제 2 수단에 안정적인 전류를 공급하기 위한 제 3 수단과, 상기 제 2 수단에 의해 발생된 출력 전류에 따라 가변 이득을 갖는 출력 전압을 발생하기 위한 제 4 수단을 포함하여 이루어져, 안정된 전류 바이어스 공급에 의한 저전압 및 고속 동작 범위에서 저왜곡, 고선형성의 이득을 조절하는 기능을 제공하며, 조절 전압에 의해서 넓은 범위에서 전압 이득을 조절할 수 있는 가변 이득 증폭기가 제시된다.
-
公开(公告)号：KR100499858B1
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020020078447
申请日：2002-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03F3/45179 , H03G1/0023
Abstract: 본 발명은 CMOS 가변 이득 증폭기(variable gain amplifier; VGA)에 관한 것으로, 넓은 범위의 전압을 입력하여 전류로 변환시키기 위한 전압-전류 변환기와, 상기 전압-전류 변환기로부터의 전류를 입력하고 제 1 및 제 2 조절 전압에 따라 출력 전류의 크기를 조절하기 위한 전류 공유 회로와, 상기 전류 공유 회로로부터의 출력 전류를 입력하여 바이어스 전압에 따라 차동 전압으로 변환시켜 가변 이득을 얻기 위한 전류-전압 변환기를 포함하여 이루어져, 전류 공유 회로를 구성하는 NMOS 트랜지스터의 게이트 전압 대비 드레인단의 출력 전류의 크기를 조절하여 가변 이득을 갖는 전압 증폭기를 제공함으로써 낮은 공급 전원에서 고속으로 동작하는 집적회로(IC)형 가변 이득 증폭기가 제공된다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100499855B1
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020020079286
申请日：2002-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G1/0023 , H03F3/4508
Abstract: 본 발명은 가변 이득 증폭기에 관한 것으로, 저전압에서 동작하고, 저왜곡(low distoration), 고선형성(high linearity), 광대역 동작특성을 얻기 위하여, 캐스코드 형태의 차동 입력단(differential pair)으로 제1 및 제2 입력신호를 입력받고, 상기 제1 및 제2 입력신호의 차신호를 증폭하여 제1 및 제2 차동신호를 출력하되, 이득조절전압 신호에 따라 상기 차신호의 가변 전압 이득을 제어하는 입력신호 인가 및 가변 이득 조절부와, 상기 입력신호 인가 및 가변 이득 조절부로부터 출력되는 상기 제1 및 제2 차동신호를 입력받고, 제1 및 제2 바이어스 전압에 따라 상기 제1 및 제2 차동신호를 전압형태의 제1 및 제2 출력전압으로 변환하여 출력하는 전류/전압 변환부를 포함하되, 상기 입력신호 인가 및 가변 이득 조절부는 상기 전류/전압 변환부로부터 부궤환(negative feedba ck) 접속과 함께 전류 또는 전압입력 형태의 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭기를 개시한다.
-
公开(公告)号：KR1020050066932A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020040015070
申请日：2004-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/0415 , H01L21/28255
Abstract: 본 발명은 균일 두께를 가진 스트레인드 실리콘 채널이 형성가능한 반도체 소자용 기판 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자용 기판 제조방법은 제 1 실리콘 기판 상에 도핑된 SiGe층 및 스트레인드 실리콘 채널층을 에피텍셜 공정으로 차례로 성장하는 단계와, 수소 또는 질소 이온을 상기 제 1 실리콘 기판의 일영역에 주입하여 이온 주입층이 상기 제 1 실리콘 기판을 2개의 영역으로 양분하도록 하는 단계와, 제 1 산화막이 형성된 제 2 실리콘 기판을 상기 제 1 실리콘 기판의 상기 스트레인드 실리콘 채널층이 형성된 면과 대향하도록 서로 부착하는 단계와, 제 1 실리콘 기판과 제 2 실리콘 기판을 이온 주입층을 기준으로 분리하는 단계를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020050066060A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097262
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 RF 프론트-앤드(front-end) 송수신기에 관한 발명이다. 특히, 주파수 합성기 제어에 의해 신호처리 주파수 밴드의 재구성이 가능한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들에 관한 것이다.
본 발명은 RF 프론트-앤드 수신기, 기저대역 처리기 및 RF 프론트-앤드 송신기를 포함하는 송수신기에 있어서, 상기 RF 프론트-앤드 수신기는 발진기, 수신 증폭기 및 수신 믹서를 포함하고, 상기 RF 프론트-앤드 송신기는 송신 믹서 및 송신 증폭기를 포함하고, 상기 발진기는 주파수 제어신호에 의하여 출력 주파수가 제어되고, 상기 수신 증폭기, 수신 믹서, 송신 믹서, 송신 증폭기 중 적어도 하나는 상기 주파수 제어신호에 의하여 공진 주파수가 제어되는 송수신기를 제공한다. 또한 이 송수신기에 사용될 수 있는 구성요소들을 제공한다.
본 발명에 의한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들은 안테나로부터 입력되는 여러 주파수 대역에 대해서 공진 주파수를 가변할 수 있도록 함으로써, 한 개의 시스템 하드웨어로 멀티 밴드 또는 광대역의 신호 주파수를 처리할 수 있 한다는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020050066046A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097244
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K3/021
CPC classification number: H03F3/45928 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2203/45212 , H03F2203/45482 , H03F2203/45484 , H03F2203/45508 , H03G7/001
Abstract: 온도 변화에 따른 이득을 보상할 수 있는 지수 함수 발생기 회로를 개시한다. 개시된 본 발명의 지수 함수 발생기 회로는, 외부 조정 전압 신호의 크기를 조절하는 조정 전압 조절부, 상기 조정 전압 조절부의 출력 신호에 의해 지수 함수 전류 및 전압을 발생하는 지수 함수 발생부, 상기 지수 함수 발생부에 기준 전압을 제공하는 기준 전압 발생부, 및 상기 조정 전압 발생부의 온도 변화에 따라 상기 조정 전압 조절부의 출력을 보상하는 온도 보상부를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020050064564A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096035
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/30 , G09G2310/027 , G09G2320/0276
Abstract: 본 발명은 디지털 신호를 아날로그 신호로 변환하고 이 변환과정에서 동시에 램프 신호를 생성하는 디지털-아날로그 변환/램프 회로를 구비하는 능동 구동형 EL의 소스 구동회로를 제공한다. 이를 통해 온도나 문턱전압 변동에 무관하고 종래의 램프 회로를 사용하지 않을 수 있어 고집적도가 가능하도록 할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
494
records
(took 0.03 seconds)
