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公开(公告)号：KR100248407B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970037478
申请日：1997-08-06
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광섬유 축에 대하여 기울어진 광도파로를 갖는 광소자를 플립칩 접합 방법으로 수동정렬용 기판 위에 정렬하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 광소자 길이의 편차에 따른 광도파로의 위치이탈을 정밀하게 교정해 주기 위한 정렬부호를 사용하며, 또한 이를 가능하게 하는 수동정렬용 기판 제작시 정렬부호를 삽입하고, V-홈을 형성함에 있어서, 별도의 포토리소그라피 공정 중에 발생하는 마스크 정렬오차를 제거하며, V-홈의 이방성 식각 후에 변화된 V-홈의 중심 위치에 대한 플립칩 접합용 정렬부호의 위치변화를 방지하기 위하여 이들을 한번의 식각 공정으로 동시에 형성함으로써, 광소자와 광섬유를 수동정렬 할 때 광결합 효율을 극대화시킬 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR100226445B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960064708
申请日：1996-12-12
IPC: H01S3/101
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드를 실리콘 기판에 플리칩 접합하여 수동 정렬용 광통신용 서브모듈을 제조시 레이저 다이오드의 접합 정밀도를 증대시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른, 레이저 다이오드의 접합 정밀도 증대방법은, 레이저 다이오드(3)를 브이홈(1)이 구비된 실리콘 기판(6)위에 접합시, 상기한 레이저 다이오드(3)의 일면 중앙부에 실리콘 기판(6)과의 표면 경도값의 차이가 상대적으로 큰 부드러운 솔더 스탠드 오프(5)를 형성하고 실리콘 기판(6)과 플리칩 접합하여, 접합 압력에 의해 발생하는 미소 어긋남을 상기한 스탠드 오프(5)의 두께감소를 통하여 흡수 및 소멸시키도록 하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 또 다른 일면에 따른, 레이저 다이오드의 접합 정밀도 증대방법은, 레이저 다이오드(13)를 브이홈(11)이 구비된 실리콘 기판(16)위에 접합시, 상기한 레이저 다이오드(13)의 일면 중앙부에 높은 열전도율을 지닌 골드 스탠드 오프(15)를 형성하고, 실리콘 기판(16)의 브이홈(11a)의 말단부에 솔더 � �착용 브이홈(11a)을 추가로 형성한 다음, 상기한 솔더 증착용 브이홈(11a) 내에 실리콘 기판(16)과의 표면 경도값의 차이가 상대적으로 큰 부드러운 솔더(20)를 열중착하여, 상가한 실리콘 기판(16)과의 플리칩 접합시, 접합 압력에 의해 발생하는 미소 어긋남을 상기한 솔더 증착용 브이홈(11a) 내의 솔더(20)가 흡수 및 완충시키도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 플리칩 접합 후에도 초기 정렬이 정확히 유지되는 효과를 가질 수 있을 뿐만 아니라, 레이저 다이오드의 작동시 발생하는 열을 스탠드 오프와 솔더 주위로 빠르게 전도 및 소멸시킴으로써, 레이저 다이오드 소자의 신뢰성도 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130066929A
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：KR1020110133703
申请日：2011-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K3/1216 , C25D5/02 , H01B1/02 , H01B1/22 , H05K1/09 , H05K1/095 , H05K3/102 , H05K3/188 , H05K3/246 , H05K2201/0245 , H05K2201/0302 , H05K2203/0425
Abstract: PURPOSE: A pattern forming composition and a method thereof are provided to form an circuit pattern with excellent conductivity by low cost. CONSTITUTION: A pattern forming composition comprises a copper powder(10); a binder(11) electrically binding the copper particle; a polymer resin; a hardener; and a reducing agent. The particle diameter of the copper particle is 2-10 micron. The binder is two or more selected from Sn, Bi, In, Ag, Pb, and Cu. A pattern forming method includes a step of forming the pattern forming composition, and a step of forming a circuit pattern by printing the pattern forming composition on a substrate.
Abstract translation: 目的：提供图案形成组合物及其方法，以低成本形成具有优异导电性的电路图案。 构成：图案形成组合物包含铜粉（10）; 电结合铜颗粒的粘结剂（11）; 聚合物树脂; 硬化剂 和还原剂。 铜颗粒的粒径为2-10微米。 粘合剂是选自Sn，Bi，In，Ag，Pb和Cu中的两种以上。 图案形成方法包括形成图案形成组合物的步骤，以及通过将图案形成组合物印刷在基底上形成电路图案的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130034334A
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020110098294
申请日：2011-09-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: E06B3/677 , H01L31/042
CPC classification number: C03C27/06 , E06B3/6612 , H01L31/0488 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y10T156/10
Abstract: PURPOSE: A vacuum window including a solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent the temperature of a solar cell plate from being increased using a glass including high infrared light reflectivity and by separating the solar cell plate from a plate glass. CONSTITUTION: A vacuum window including a solar cell comprises a first and a second plate glass(201,203), a vacuum layer(205), and a solar cell plate(207). The first plate glass and the second plate glass are connected in vacuum, and the solar cell plate is formed on a second plate glass surface. The solar cell plate is separated from the first plate glass. The first plate glass is formed with a low emissivity glass including high infrared light reflectivity. The solar cell plate is formed as a semi transmission type and is comprised of inorganic materials such as silicon, CIGS, and CdTe. The second plate glass comprises a second plate glass(209) in the opposite direction to the vacuum layer, and an inert gas is injected between the plate glasses.
Abstract translation: 目的：提供一种包括太阳能电池的真空窗及其制造方法，以防止使用包括高红外光反射率的玻璃和通过将太阳能电池板与平板玻璃分离来提高太阳能电池板的温度。 构成：包括太阳能电池的真空窗包括第一和第二平板玻璃（201,203），真空层（205）和太阳能电池板（207）。 第一平板玻璃和第二平板玻璃在真空中连接，太阳能电池板形成在第二平板玻璃表面上。 太阳能电池板与第一平板玻璃分离。 第一平板玻璃由包括高红外光反射率的低辐射玻璃形成。 太阳能电池板形成为半透射型，由无机材料如硅，CIGS和CdTe组成。 第二平板玻璃包括与真空层相反的方向的第二平板玻璃（209），并且在平板玻璃之间注入惰性气体。
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公开(公告)号：KR1020120100698A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：KR1020110139645
申请日：2011-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/546 , H01B1/22 , H01L31/04 , H01L51/102
Abstract: PURPOSE: A conductive composition is provided to provide an economic silicon solar cell having same or superior photo conversion efficiency. CONSTITUTION: A conductive composition for an electrode bus bar of a front side of a silicon solar cell comprises metal powder, solder powder, curable resin, reductant, and hardener. A melting point of the metal powder is 500°C or more and the metal powder is a material capable of forming an intermetallic compound together with solder powder. The solder powder is material of one or more kinds selected from a group consisiting of Sn, In, Bi, Pb, Zn, Ga, Te, Hg, To, Sb and Se. the curable resin is an epoxy resin. The reductant is acid containing a carboxy group(COOH-).
Abstract translation: 目的：提供导电组合物以提供具有相同或优异的光转换效率的经济的硅太阳能电池。 构成：用于硅太阳能电池正面的电极母线的导电组合物包括金属粉末，焊料粉末，可固化树脂，还原剂和硬化剂。 金属粉末的熔点为500℃以上，金属粉末为与焊料粉末一起形成金属间化合物的材料。 焊料粉末是选自由Sn，In，Bi，Pb，Zn，Ga，Te，Hg，To，Sb和Se组成的组中的一种或多种的材料。 可固化树脂是环氧树脂。 还原剂是含羧基（COOH-）的酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110054710A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111462
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/043 , B81B7/00
CPC classification number: H01L21/6835 , B81B2207/093 , B81B2207/097 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/0127 , B81C2203/019 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A device package and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a small device package with low costs by sealing a MEMS(Micro Electro Mechanical System) or sensor device structure with a micro metal cover. CONSTITUTION: A device structure is positioned on the active surface of a substrate. An input pad(111i) and an output pad(111o) are located on the active surface of the substrate. A metal cover(214) has an internal space to seal the device structure on the active surface of the substrate. A junction pattern is interposed between the active surface of the substrate and the metal cover. The junction pattern includes nonconductive adhesive materials. Input and output pads are interposed between the active surface of the substrate and the junction pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种器件封装及其制造方法，通过用微金属覆盖物密封MEMS（微机电系统）或传感器器件结构来制造低成本的小器件封装。 构成：器件结构位于衬底的有源表面上。 输入焊盘（111i）和输出焊盘（111o）位于基板的有效表面上。 金属盖（214）具有用于密封衬底的有源表面上的器件结构的内部空间。 接合图案插入在基板的有效表面和金属盖之间。 连接图案包括非导电粘合剂材料。 输入和输出焊盘介于衬底的有源表面和接合图案之间。
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公开(公告)号：KR1020110024964A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A stacked semiconductor device packages and a method for fabricating the same are provided to stack semiconductor devices using an adhesive material film with a function which removes an oxidization film of a penetration electrode or/and a bump, thereby simplifying complex processes while increasing mechanical reliability. CONSTITUTION: A penetration hole penetrates at least a part of a semiconductor device(120a,120b). The penetration hole is filled with a penetration electrode(140a,140b). The penetration electrode is formed of a compound of metals. A solder bump(175a,175b) is formed on at least one end of the penetration electrode. An insulating layer(125a,125b) is interposed between a sidewall of the penetration hole and the penetration electrode.
Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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公开(公告)号：KR1020100065038A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090031274
申请日：2009-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A built-in capacitor, a manufacturing method thereof, and a method for changing capacitance are provided to easily change capacitance by adjusting the location, the occupied area, the sectional area, and the number of holes formed in an upper electrode and a lower electrode. CONSTITUTION: A built-in capacitor comprises an upper electrode(10) and a lower electrode(20). First holes(14) are arranged on the upper electrode. A first via-hole(12) is arranged in one end that is projected from one side of the upper electrode. Second holes(24) are arranged on the lower electrode. A second via hole(22) is arranged in one end of an another projected side of the lower electrode. The first and second holes have a square shape. A dielectric substance(30) is inserted between the upper electrode and the lower electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种内置电容器及其制造方法以及改变电容的方法，通过调整位置，占用面积，截面面积和形成在上电极和 下电极。 构成：内置电容器包括上电极（10）和下电极（20）。 第一孔（14）布置在上电极上。 第一通孔（12）布置在从上电极的一侧突出的一端。 第二孔（24）布置在下电极上。 第二通孔（22）布置在下电极的另一个突出侧的一端。 第一和第二孔具有正方形形状。 电介质物质（30）插入在上电极和下电极之间。
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公开(公告)号：KR1020090109969A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020080035488
申请日：2008-04-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L23/10 , B81B7/007 , B81C2203/0118 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/94 , H01L2224/16145 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599
Abstract: PURPOSE: A wafer level package and method for manufacturing the same are provided to form the telecommunication line of the package internal unit without the separate via process of passing through a substrate. CONSTITUTION: The wafer level package includes the first substrate(220), the input-output pad(222), the second substrate(210), and the solder. The first substrate includes the common duct in which the first internal units are positioned. The input-output pad is formed in the first top of the substrates. The input-output pad is electrically connected to the first internal units. The second substrate is positioned on the first substrate. The second substrate corresponds to the input-output pad is removed. The solder joins the first substrate and the second substrate.
Abstract translation: 目的：提供晶片级封装及其制造方法，以形成封装内部单元的电信线路，而不需要通过基板的单独的通孔工艺。 构成：晶片级封装包括第一衬底（220），输入 - 输出焊盘（222），第二衬底（210）和焊料。 第一基板包括第一内部单元所在的公共管道。 输入 - 输出焊盘形成在基板的第一顶部。 输入 - 输出焊盘电连接到第一内部单元。 第二基板位于第一基板上。 第二个衬底对应于输入 - 输出垫被去除。 焊料与第一基板和第二基板接合。
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公开(公告)号：KR100902913B1
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070125666
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 본 발명은 적층 반도체 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, MEMS 소자와 이를 구동하기 위한 ASIC 또는 ROIC 소자를 웨이퍼 레벨에서 본딩하여 기밀성을 유지하고 절단(sawing) 공정으로 패키징을 마무리함으로써 패키지의 크기를 줄이고 그 제조 공정을 단순화하기 위한 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 적층 반도체 패키지는, MEMS 소자가 형성된 제 1 웨이퍼; 상기 제 1 웨이퍼 상에 위치하며, ASIC 또는 ROIC 소자가 형성된 제 2 웨이퍼; 및 상기 제 1 및 제 2 웨이퍼 사이에 위치하여 상기 MEMS 소자와 상기 ASIC 또는 ROIC 소자를 전기적으로 연결하며, 적어도 일 측면에는 PCB 기판과의 전기적 연결을 위한 전극 패드가 형성된 인터포즈 웨이퍼를 포함한다.
상기와 같이 본 발명은, 인터포즈 웨이퍼를 사용하여 MEMS 소자와 ASIC 또는 ROIC 소자를 본딩함으로써 반도체 패키지의 크기를 줄이고, MEMS 소자의 기밀성을 유지할 수 있는 장점이 있다.
MEMS, ASIC, ROIC, 패키지, 본딩
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