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公开(公告)号：KR1020160101311A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150023559
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B81C1/00079 , B81C1/0046 , B81C1/00714 , B81C2201/015 , B82B3/0019 , B82B3/0095
Abstract: 본발명의실시예에따른마이크로-나노계층구조형성방법은몰드-기반리소그래피를이용하여마이크로구조체를형성하는단계; 및대기압플라즈마에칭을이용하여상기마이크로구조체표면에나노구조체를형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，形成微纳米级结构的方法包括：使用基于模具的光刻形成微结构的步骤; 以及使用大气压等离子体蚀刻法在微结构体的表面上形成纳米结构的工序。 本发明的目的是提供一种形成微纳米级结构的方法，使得微纳米层次结构具有大的面积。
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公开(公告)号：KR1020150115624A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：KR1020150023301
申请日：2015-02-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05H1/34
Abstract: 플라즈마발생장치는플라즈마발생부및 플라즈마배출부를포함한다. 플라즈마발생부는플라즈마를생성한다. 플라즈마배출부는생성된플라즈마를배출한다. 플라즈마배출부는플라즈마발생부로부터생성된플라즈마를복수의플라즈마흐름으로분산시킨다. 따라서, 플라즈마가발생되었을때 유체의압력에의해서플라즈마역류를방지할수 있고, 또한플라즈마가형성되었을때 유체에의해서역류되는플라즈마및 유체의혼합물에의해서노즐이변형되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 等离子体发生装置包括等离子体产生单元和等离子体放电单元。 等离子体产生单元产生等离子体。 等离子体放电单元对所产生的等离子体进行放电。 等离子体放电单元将从等离子体发生单元产生的等离子体分散成多个等离子体流。 因此，当产生等离子体时，可以通过流体的压力来防止等离子体回流，并且当形成等离子体时，可以防止喷嘴被流体和流体向后流动的等离子体的混合物变形 。
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公开(公告)号：KR1020150059093A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140139178
申请日：2014-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은메쉬구조를포함하고메쉬구조를통해액상물질을분사하는진동자및 그것의제조방법에관한것이다. 본발명에따른메쉬구조를포함하는진동자는외부로부터유체가유입되는중공(中空)을포함하는진동자구조부, 중공과맞닿고복수의홀을포함하는다공성메쉬를포함하는메쉬구조부및 진동자구조부의진동을야기하는전류를진동자에유입또는유출시키는전극부를포함하고, 진동자구조부및 메쉬구조부는일체화된물체로서형성된다.
Abstract translation: 振动器及其制造方法技术领域本发明涉及一种振动器，其特征在于，具有网状结构，并通过所述网状结构喷射液相材料及其制造方法。 根据本发明，包括网状结构的振动器包括：振动器结构单元，其包括从外部供应流体的中空部; 网状结构单元，其包括与所述中空部接触并且包括多个孔的多孔网状物; 以及供应或排出电流的电极单元，其引起振动器结构单元对振动器的振动。 振动器结构单元和网状结构形成为一体的材料。
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公开(公告)号：KR101217574B1
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020090053397
申请日：2009-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L27/10873 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/685
Abstract: 본 발명에 따른 나노선 메모리는 소스 및 상기 소스와 대응하는 드레인, 그리고 상기 소스와 상기 드레인 사이를 연결하며 형성되어 있는 나노 채널을 포함하며, 상기 나노 채널은 상기 소스 및 상기 드레인의 전압에 따라 상기 소스와 상기 드레인 사이를 전기적으로 연결하는 나노선, 그리고 상기 나노선 위에 흡착되어 형성되며, 전하를 포집하는 복수의 포텐셜을 가지는 나노점을 포함한다. 따라서, 단순한 형태의 구조를 가지므로 공정이 단순해지며, 게이트를 이용하여 여러 개의 에너지 상태를 조절함으로써 멀티 레벨의 전류 준위를 만들 수 있고, 게이트 및 에너지 준위를 조절함으로써 비휘발성 메모리 또는 휘발성 메모리로 동작이 가능하며, 에너지 준위를 조절하는 게이트를 더 둠으로써 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 하이브리드 구조를 구성할 수 있다.
나노선 메모리, 결점 포텐셜(defect potential), 비휘발성, 휘발성-
公开(公告)号：KR1020110065279A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020100064712
申请日：2010-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 유한영
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32559 , H01J2237/335 , H05H1/46
Abstract: PURPOSE: A brush type plasma surface treating apparatus is provided to spray efficiently the plasma by controlling a plurality of plasma generating units arranged in an array. CONSTITUTION: A plurality of plasma generating units(120) are arranged in an array at a bottom of a plasma generating unit frame(110). A gas supplying unit(130) supplies gas for the plasma generating units installed at one side of an upper end of the frame. A power supply unit(140) is installed at the other side of the upper end of the frame in order to supply power for the plasma generating units. An assistant frame(150) is connected to the frame. The assistant frame separates each plasma generation unit from the surface.
Abstract translation: 目的：提供刷式等离子体表面处理装置，通过控制排列成阵列的多个等离子体生成单元，来有效地喷射等离子体。 构成：在等离子体产生单元框架（110）的底部以多个等离子体产生单元（120）排列。 气体供给单元（130）为安装在框架的上端一侧的等离子体发生单元供给气体。 电源单元（140）安装在框架的上端的另一侧，以便为等离子体发生单元供电。 辅助框架（150）连接到框架。 辅助框架将每个等离子体生成单元与表面分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110004013A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061594
申请日：2009-07-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B3/0026 , C01B3/0015 , C01B3/0084 , Y02E60/327 , Y02E60/328
Abstract: PURPOSE: A selective gas storage method is provided to selectively store desired gas only by controlling the gap or lattice distance between crystalloids of a gas storage medium. CONSTITUTION: The gap(220) between crystalloids(210) or the lattice distance between the crystalloids is controlled, relative to the van der Waals diameter of gas(230) to be stored, by changing the heat treatment temperature of the gas storage medium or employing a chemical reactor in sample synthesis of the gas storage medium so that the gas is stored selectively.
Abstract translation: 目的：选择性气体储存方法仅通过控制气体存储介质晶体之间的间隙或晶格距离来选择性地储存所需气体。 构成：通过改变气体存储介质的热处理温度，相对于要储存的气体（230）的范德华直径来控制晶体（210）之间的间隙（220）或晶体之间的晶格距离，或 在气体储存介质的样品合成中使用化学反应器，以便选择性地储存气体。
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公开(公告)号：KR1020100134996A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020090053397
申请日：2009-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L27/10873 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/685 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: The nano wire memory controls the several energy states by using the gate. The current level of multi-level is constituted. CONSTITUTION: The source(630) and drain(620) are formed on the substrate(610). The nanochannel(690) is formed between source and drain. Nanochannel comprises nano dots(670, 680) and the nano wire having a plurality of potentials collecting the electric charge. According to the nano wire is the voltage of source and drain, source and drain interval are interlinked electrically.
Abstract translation: 目的：纳米线存储器通过使用门控制几种能量状态。 构成了目前的多层次水平。 构成：源（630）和漏极（620）形成在衬底（610）上。 在源极和漏极之间形成纳米通道（690）。 纳米通道包括纳米点（670,680），纳米线具有收集电荷的多个电位。 根据纳米线是源极和漏极的电压，源极和漏极间隔是电连接的。
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公开(公告)号：KR1020100030335A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：KR1020080089237
申请日：2008-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/54373 , B01L3/502761 , B01L2200/143 , B01L2300/0636 , B01L2300/0645 , B01L2300/0867 , B01L2300/163 , B01L2400/0415 , G01N27/4145
Abstract: PURPOSE: A device and a method for detecting biomolecules are provided to detect biomolecules with high-ionic strength by measuring a current change flowing in a channel area of a Field Effect Transistor. CONSTITUTION: A device for detecting biomolecules comprises a FET(12), a micro fluid supply unit(14), and a biomolecules detecting unit(18). The FET comprises a substrate, a source, a drain electrode, a channel area, and a probe molecule. The micro fluid supply unit selectively supplies reaction solution of high-ionic density to the channel area of the FET. The biomolecules detecting unit measures a first current value of the channel area of the FET in which the probe molecule is fixed. The biomolecules detecting unit measures a second current value of the channel area of the FET in which the probe molecule and a target molecule are fixed. And the biomolecules detecting unit detects the target molecule.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测生物分子的装置和方法，通过测量在场效应晶体管的通道区域中流动的电流变化来检测具有高离子强度的生物分子。 构成：用于检测生物分子的装置包括FET（12），微流体供应单元（14）和生物分子检测单元（18）。 FET包括衬底，源极，漏极，沟道区和探针分子。 微流体供应单元选择性地将高离子密度的反应溶液提供给FET的通道区域。 生物分子检测单元测量探针分子固定的FET的沟道面积的第一电流值。 生物分子检测单元测量探针分子和靶分子固定的FET的沟道面积的第二电流值。 并且生物分子检测单元检测靶分子。
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公开(公告)号：KR100940524B1
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020070129581
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L29/66818 , H01L29/7853
Abstract: 본 발명은 반도체 기술을 이용한 FET(Field-effect transistor) 센서에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 FET 센서의 민감도를 개선시키기 위하여 핀 구조를 이용하는 FET 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 FET 센서를 제조하는 방법은, 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판상에 핀 구조를 갖는 센서 구조체를 형성하는 단계와, 상기 센서 구조체에 전기적 오믹 콘택을 위한 이온을 주입하고 금속 전극을 증착하는 단계와, 표적물질과 특이성 결합하는 감지물질을 상기 핀 구조의 양쪽 측벽에 고정화시키는 단계와, 상기 표적물질이 상기 핀 구조를 지나가도록 하는 통로를 상기 센서 구조체 위에 형성하는 단계를 포함한다.
반도체 FET 센서, 핀 구조, 바이오 센서, SOI 기판, 벌크 기판-
70.发明授权
公开(公告)号：KR100900955B1
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020070082205
申请日：2007-08-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5308 , C12Q1/6825 , G01N33/54313 , G01N33/54393 , Y10T436/143333
Abstract: 본 발명은 자기조립된 분자의 커버리지 분석용 기판 및 나노 입자를 이용하여 벌크 고체 표면이나 고체 표면 또는 고체 표면에 패턴된 나노선, 나노채널에 자기조립된 분자의 커버리지를 분석하는 방법에 관한 것으로서, 나노입자를 자기조립된 분자에 포함된 작용기와 결합시켜서 상기 기판에 도입시킨 후 표면에 존재하는 금 나노 입자 개수를 분석하여 자기조립된 분자의 특정 작용기 유무와 반응 정도 및 이를 이용한 자기조립된 분자의 커버리지를 분석하는 방법을 제공한다.
기판 표면, 나노선, 나노 패턴, DNA 분자, 아민기, 나노입자
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