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公开(公告)号：KR1020110091921A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：KR1020100011284
申请日：2010-02-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/30
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric array is provided to reduce manufacturing costs by integrating a thermoelectric device with a heat absorbing unit, a leg, and a heat discharge unit using a semiconductor process. CONSTITUTION: A plurality of thermoelectric devices(300) is electrically connected and has m x n structure. Each thermoelectric device includes a heat absorbing unit, an n type leg(331), a p type leg(333), a first heat discharge unit(350a), and a second heat discharge unit(350b). The leg includes a first conductive leg and a second conductive leg.
Abstract translation: 目的：提供一种热电阵列，以通过使用半导体工艺将热电装置与吸热单元，腿部和放热单元集成来降低制造成本。 构成：多个热电装置（300）电连接并具有m×n结构。 每个热电装置包括吸热单元，n型腿（331），p型腿（333），第一放热单元（350a）和第二放热单元（350b）。 腿包括第一导电腿和第二导电腿。
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公开(公告)号：KR1020100126179A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020100016905
申请日：2010-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A thermal component and a manufacturing method thereof using the radiant heat as the heat source are provided to implement the thermal component of high efficiency by maximizing the heat absorption efficiency of a heat absorption layer and the heat radiation efficiency of a heat radiation layer. CONSTITUTION: A heat absorption layer(220) absorbing the radiant heat is formed on the top of a substrate(210). A leg(230) transfers the heat absorbed through a heat absorbing layer to a heat radiation layer(240). The heat radiation layer emits the heat which it is transmitted from the leg to outside.
Abstract translation: 目的：提供使用辐射热作为热源的热成分及其制造方法，通过使吸热层的吸热效率和散热层的散热效率最大化，实现高效率的热分量。 构成：吸收辐射热的吸热层（220）形成在衬底（210）的顶部上。 腿（230）将通过吸热层吸收的热量传递到散热层（240）。 散热层发射从腿部向外部传递的热量。
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公开(公告)号：KR100949544B1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：KR1020070128323
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 쇼트키 장벽 단전자 트랜지스터(Schottky Barrier Single Electron Transistor) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 측벽 절연막을 사용하지 않고 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 소스/드레인간의 단락을 막을 수 있도록 구성함으로써, 양자점의 크기가 감소되어 종래의 트랜지스터에 비하여 고온에서도 동작이 가능한 것을 특징으로 한다. 또한, 종래 기술에 비하여 측벽 절연막 형성 단계를 생략할 수 있으므로 제조 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 CMOS 제조 공정과 잘 부합하므로 별도의 공정 시스템의 변경 없이 적용이 가능한 것을 특징으로 한다.
쇼트키 장벽 단전자 트랜지스터, 실리사이드-
公开(公告)号：KR100921020B1
公开(公告)日：2009-10-09
申请号：KR1020070093044
申请日：2007-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338
Abstract: 본 발명은 금속-반도체 접합을 통하여 형성되는 쇼트키장벽(schottky barrier)을 이용한 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터(Schottky Barrier Tunnel Transistor) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터는 실리콘기판의 채널영역 상부에 금속산화물로 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상부에 금속물질로 형성된 게이트전극 및 상기 게이트전극 양측에 자기정렬되고(self-aligned), 상기 실리콘기판에 금속실리사이드로 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고 있으며, 이를 통하여 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
금속게이트, 쇼트키장벽, 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100906154B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070125679
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L29/0673 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 바이오 센서 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 통상적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 수 내지 수십 나노미터 선폭의 실리콘 나노선 채널을 형성하고 이를 이용하여 반도체 나노선 센서 소자를 제작하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 나노선 센서 소자 제조 방법은, (a) SOI(Silicon On Insulator) 기판의 최상부층인 제 1 도전형 단결정 실리콘층을 식각하여 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양쪽 측벽을 상기 제 1 도전형과 반대 타입인 제 2 도전형으로 도핑함으로써 제 2 도전형 채널을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 양단에 전극 형성을 위한 제 2 도전형 패드를 형성하는 단계; (d) 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴의 미도핑 영역에 상기 제 1 도전형 단결정 실리콘 선 패턴과 상기 2 도전형 채널부가 접합 절연되도록 역방향 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제 2 도전형 패드 상에 상기 제 2 도전형 채널 양단에 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
나노선, 바이오 센서, 포토리소그래피-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090065124A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132575
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/53 , G01N33/48 , G01N33/544
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: A biosensor using a silicon nano wire is provided to form the silicon nano wire in a repetitive form of same pattern and widen the area in which a probe molecule is fixed. A biosensor using a silicon nano wire comprises a source electrode(S), drain electrode(D), silicon nano(13A, 13b), probe molecules(40). A method for manufacturing the biosensor using the silicon nano wire comprises: a step of forming a buffer layer on the upper side of semiconductor substrate in which insulating layer(12) and silicon layer is sequencially formed; a step of forming electrode pattern and silicon nano wire pattern on the upper sided of buffer layer through the lithography process; a step of etching the buffer layer and silicon layer; a step of forming the electrode in the electrode pattern area; a step of removing the buffer layer of upper side to exposes the silicon nano wire; and a step of probe molecule on the exposed silicon nano wire.
Abstract translation: 提供使用硅纳米线的生物传感器，以相同图案的重复形式形成硅纳米线，并扩大探针分子固定的区域。 使用硅纳米线的生物传感器包括源电极（S），漏电极（D），硅纳米（13A，13b），探针分子（40）。 使用该硅纳米线制造生物传感器的方法包括：在半导体衬底的上侧形成缓冲层的步骤，其中绝缘层（12）和硅层被顺序地形成; 通过光刻工艺在缓冲层的上侧形成电极图案和硅纳米线图案的步骤; 蚀刻缓冲层和硅层的步骤; 在电极图案区域中形成电极的步骤; 去除上侧的缓冲层以暴露硅纳米线的步骤; 以及暴露的硅纳米线上的探针分子的步骤。
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公开(公告)号：KR1020090060657A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127565
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N33/5432 , G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/5438 , Y10S977/721 , Y10S977/784 , Y10S977/938
Abstract: A bio sensor using nano dot is provided to reduce production cost by using a CMOS process and improve the sensitivity by easily changing electric conductivity of silicon nano line. A bio sensor using nano dot comprises: source(S) and drain(D) which is formed at the upper side of substrate(110); a silicon nano line(150) which is formed between the source and drain; and a probe molecule(P) which is fixed on the silicon nano line. A method for producing the bio sensor using the nano dot comprises: a step of forming the source and drain; a step of forming the silicon nano line; a step of fixing the probe molecule on the silicon nano line; and a step of injecting charged nano dot with the target molecule.
Abstract translation: 提供使用纳米点的生物传感器，通过使用CMOS工艺降低生产成本，并通过容易地改变硅纳米线的电导率来提高灵敏度。 使用纳米点的生物传感器包括：在衬底（110）的上侧形成的源极（S）和漏极（D）; 形成在源极和漏极之间的硅纳米线（150）; 和固定在硅纳米线上的探针分子（P）。 使用纳米点制造生物传感器的方法包括：形成源极和漏极的步骤; 形成硅纳米线的步骤; 将探针分子固定在硅纳米线上的步骤; 以及用靶分子注入带电的纳米点的步骤。
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公开(公告)号：KR100891462B1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：KR1020070094686
申请日：2007-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L29/47
Abstract: 본 발명은 쇼트키접합(schottky junction)을 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 실리콘기판의 채널영역 상부에 형성된 게이트 및 상기 실리콘기판에 형성되고, 상기 채널영역과 쇼트키접합을 형성하는 소스 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된 쇼트키장벽(schottky barrier) 안에 전하를 저장하는 반도체 메모리 소자를 제공하며, 이를 통하여, 별도의 전하저장공간을 형성할 필요가 없는 반도체 메모리 소자를 제공하는 효과가 있다.
DRAM, 쇼트키접합, 캐패시터, 금속 실리사이드Abstract translation: 本发明涉及一种半导体存储器装置，并形成在栅极和形成在硅衬底的沟道区，所述沟道区和所述短硅衬底使用肖特基结（肖特基结），在本发明用于此目的的驱动方法 提供了一种半导体存储器件，其包括形成键结并将电荷存储在源电极和漏电极之间形成的肖特基势垒中的源电极和漏电极，从而形成单独的电荷存储空间 具有提供不需要形成的半导体存储器件的效果。
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公开(公告)号：KR100770013B1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060120565
申请日：2006-12-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/7839
Abstract: A method of manufacturing a schottky barrier tunnel transistor is provided to prevent the damage of a spacer and to restrain the generation of a gate leakage current due to the damage of the spacer by forming a gate electrode layer and the spacer after forming source and drain regions using a silicide process. A buried oxide layer(110) is supported a support substrate. A silicon pattern(111A) and a sacrificial pattern are formed on the buried oxide layer. Source and drain regions(115) are formed on the buried oxide layer at both sidewalls of the silicon pattern. The source and drain regions are made of a metal film. An upper portion of the silicon pattern is exposed to the outside by removing the sacrificial pattern therefrom. A gate insulating layer and a gate electrode are sequentially formed on the exposed upper portion of the silicon pattern. A spacer is formed at both sidewalls of the gate electrode.
Abstract translation: 提供一种制造肖特基势垒隧道晶体管的方法，以防止间隔物的损坏，并且通过在形成源极和漏极区域之后形成栅极电极层和间隔物来抑制由于间隔物的损坏而导致的栅极漏电流的产生 使用硅化工艺。 掩埋氧化物层（110）被支撑在支撑衬底上。 在掩埋氧化物层上形成硅图案（111A）和牺牲图案。 源极和漏极区（115）形成在硅图案的两个侧壁处的掩埋氧化物层上。 源极和漏极区域由金属膜制成。 通过从其中去除牺牲图案将硅图案的上部暴露于外部。 栅极绝缘层和栅电极依次形成在硅图案的暴露的上部上。 在栅电极的两个侧壁处形成间隔物。
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公开(公告)号：KR100770012B1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：KR1020060118986
申请日：2006-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/338 , H01L27/095
CPC classification number: H01L29/8126 , H01L29/66409
Abstract: A schottky barrier tunnel transistor and a method of manufacturing the same are provided to obtain a thin gate insulating layer easily and to prevent the decrease of a saturated current due to a parasitic resistance by forming a gate electrode, a source region and a drain region like a schottky junction structure using a silicide layer. A gate electrode(113) is formed on a channel region of a silicon substrate in order to form a schottky junction together with the silicon substrate. Source and drain regions(115) are formed in the silicon substrate through both sides of the gate electrode. The gate electrode is composed of a metal film made of a transitional metal or a rare metal. The gate electrode is composed of a metal silicide layer. The source and drain regions are made of the metal silicide layer.
Abstract translation: 提供肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法，以便容易地获得薄栅极绝缘层，并且通过形成栅电极，源极区和漏极区，防止由寄生电阻引起的饱和电流降低 使用硅化物层的肖特基结结构。 在硅衬底的沟道区上形成栅电极（113），以便与硅衬底一起形成肖特基结。 源极和漏极区域（115）通过栅电极的两侧形成在硅衬底中。 栅电极由过渡金属或稀有金属制成的金属膜构成。 栅电极由金属硅化物层构成。 源区和漏区由金属硅化物层制成。
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