公开(公告)号：KR100897495B1

公开(公告)日：2009-05-15

申请号：KR1020070102354

申请日：2007-10-11

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박민정 ,  채원묵

IPC: C07F5/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[상기 화학식 1에서, A는 C
2 -C
5 의 알킬렌이고, 상기 A는 하나 이상의 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 수소 또는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기이고; R
3 는 C
1 -C
5 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 트리(C
1 -C
5 )알킬실릴기이다.]
본 발명에 따르는 갈륨 화합물은 갈륨 또는 산화 갈륨의 선구 물질로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 낮은 온도에서 승화되는 특성을 나타냄으로 갈륨을 포함하는 물질의 박막 증착 또는 여러 가지 합금 제조에 갈륨 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
갈륨, 갈륨 산화물 선구물질, 갈륨 산화물, 박막, 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD)

公开(公告)号：KR100803950B1

公开(公告)日：2008-02-18

申请号：KR1020060093970

申请日：2006-09-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C23C16/513 ,  H01L21/0262

Abstract: A method for forming a p-type zinc oxide layer using plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition is provided to adjust a doping concentration by controlling a dose of an organic metal compound of a group-V element. After a substrate(20) is put in a reactor(10) and then an oxygen source and an argon gas are inputted to the reactor, an RF power is applied to the reactor to produce a plasma in the reactor. A zinc precursor and a group-V precursor as a dopant are inputted to the reactor to form a p-type zinc oxide layer on the substrate. The heat treatment is performed on a substrate with the p-type zinc oxide layer. When the p-type zinc oxide layer is formed, a temperature of the substrate is in the range of 200 to 400 degrees centigrade.

Abstract translation: 提供了使用等离子体增强金属有机化学气相沉积形成p型氧化锌层的方法，通过控制V族元素的有机金属化合物的剂量来调节掺杂浓度。 将基板（20）放入反应器（10）中，然后将氧源和氩气输入到反应器中，向反应器施加RF功率以在反应器中产生等离子体。 将锌前体和作为掺杂剂的V族前体输入到反应器中，以在衬底上形成p型氧化锌层。 在具有p型氧化锌层的基板上进行热处理。 当形成p型氧化锌层时，基板的温度在200至400摄氏度的范围内。

公开(公告)号：KR100774614B1

公开(公告)日：2007-11-12

申请号：KR1020060042840

申请日：2006-05-12

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: H01L21/205 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262

Abstract: A method for manufacturing a zinc oxide nano needle structure is provided to grow the zinc oxide nano needle structure without using a catalyst by changing a temperature of a substrate in two steps in a chemical vapor deposition process. An SAM(Self-Assembled Molecule) film is patterned on a substrate. A zinc source and an oxygen source are introduced on the substrate and a CVD(Chemical Vapor Deposition) process is performed on the substrate except for a region for the SAM, so that a zinc oxide seed layer is formed. A CVD process is performed on the zinc oxide seed layer, so that a zinc oxide nano needle is vertically grown on the zinc oxide seed layer. The SAM is performed by a micro-contact printing scheme.

Abstract translation: 提供了一种制造氧化锌纳米针结构的方法，用于通过在化学气相沉积工艺中两步改变衬底的温度来生长氧化锌纳米针结构而不使用催化剂。 将SAM（自组装分子）膜图案化在衬底上。 在基板上引入锌源和氧源，在除了SAM的区域之外的基板上进行CVD（化学气相沉积）处理，形成氧化锌种子层。 在氧化锌种子层上进行CVD处理，使氧化锌纳米针在氧化锌种子层上垂直生长。 SAM通过微接触打印方案执行。

公开(公告)号：KR1020060130976A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050050745

申请日：2005-06-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02271

Abstract: A method for manufacturing a ZrO thin film is provided to prevent carbon contamination and to restrain the generation of a silicon oxide layer by using Zr alone without an additional supply of oxygen source. A ZrO thin film is formed by performing an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) using Zr compound as a precursor material. The predetermined Zr compound is represented by a predetermined chemical formula. The predetermined Zr compound is used for forming the ZrO thin film without an additional oxygen source. The predetermined Zr compound is kept in a predetermined temperature range of room temperature to 90 ‹C.

Abstract translation: 提供一种制造ZrO薄膜的方法，以防止碳污染，并且通过单独使用Zr而不需要额外的氧源供应来抑制氧化硅层的产生。 通过使用Zr化合物作为前体材料进行MOCVD（金属有机化学气相沉积）来形成ZrO薄膜。 预定的Zr化合物由预定的化学式表示。 预定的Zr化合物用于形成不含附加氧源的ZrO薄膜。 将预定的Zr化合物保持在室温至90℃的预定温度范围内。

公开(公告)号：KR100643637B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050006774

申请日：2005-01-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  조원태 ,  양택승 ,  김민찬

IPC: C01G53/04

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.


상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R
1 ,
R
2 ,
R
3 및 R
4 는 각각 독립적으로 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기다.

公开(公告)号：KR100627633B1

公开(公告)日：2006-09-25

申请号：KR1020050058349

申请日：2005-06-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  조원태

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM의 니켈 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 물리적 침착 방법으로 제조하는 니켈 산화물 박막에 비하여 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보이는 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있어 이를 RRAM 소자로 잘 응용할 수 있다.
니켈 산화막, RRAM, 원자층 침착법

Abstract translation: 本发明已经制备，氧化镍薄膜的原子层沉积方法的方法用于形成RRAM，下一代的非易失性存储器件的氧化镍层，根据本发明的方法中，通过常规的物理沉积方法制备的氧化镍薄膜 可以获得表现出优异的薄膜特性和电阻切换现象并且可以很好地应用于RRAM器件的优质氧化镍薄膜。

公开(公告)号：KR1020060088417A

公开(公告)日：2006-08-04

申请号：KR1020050009300

申请日：2005-02-01

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  정택모 ,  성기환 ,  김민찬

IPC: C07C215/00

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노테트라올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노테트라올 화합물은 단일 금속 또는 이종 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 단일 금속 또는 이종 금속이나 단일 금속 산화물 또는 이종 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]

상기 식에서,
n은 1 내지 4의 정수이고, R은 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기 또는 알킬실릴기이다.
아미노테트라올 화합물, 전자주개

Abstract translation: 本发明中，这一点，在由以下通式表示的空气（1）根据本发明与单个金属或不同金属的方法用于从官能化氨基四氢醇化合物的电子片下列水溶液生产组合官能化的氨基四醇化合物和 稳定的，并且提供了改进的易失性的金属醇盐复合物，可以在一个单一的金属或不同的金属或单一金属氧化物和不同的金属氧化物薄膜来制造是一个很好的使用它们。

公开(公告)号：KR100584200B1

公开(公告)日：2006-05-29

申请号：KR1020040009484

申请日：2004-02-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  김인정

IPC: C07F7/28

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 합성하는 티타늄 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 개선되어 티타늄 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다.

상기 식에서,
2개의 R은 서로 독립적으로 C
1 -C
4 의 선형 또는 분지형 알킬기이고,
2개의 R'은 서로 독립적으로 C
1 -C
4 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 CR"
2 CH
2 NR
*
2 (여기에서, R" 및 R
* 는 C
1 -C
4 의 선형 또는 분지형 알킬기이다) 이다.

公开(公告)号：KR100582921B1

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020030071026

申请日：2003-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  윤종욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물을 선구 물질로 사용하여, 외부로부터 환원제를 넣지 않고, 녹는점이 낮고 비등점이 높으며 배위 가능한 원소를 포함하는 덮개 리간드를 이용하여, 금속 입자의 크기 및 형상을 제어할 수 있다.

公开(公告)号：KR100554524B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040048917

申请日：2004-06-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  장홍석 ,  김인정 ,  김현진

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 탄탈럼 질화물 선구 물질과 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 탄탈럼 질화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 양질의 탄탈럼 질화물 박막을 제조하는 데 유리하게 이용할 수 있다.

RN=Ta(NR'
2 )
n (OCR"
2 CH
2 NR
*
2 )
3-n
상기 식에서, R은 이소프로필기거나 t-부틸기고, R'은 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸 또는 알킬실릴 기고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기고, R
＊ 는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴 기고, n은 0, 1 또는 2다.

Abstract translation: 本发明涉及一种玻璃，以获得氮化钽前体和作为其涉及用于制备过程中，氮化钽前体是热稳定的，并增加了根据由下式表示的本发明的质量氮化钽薄膜的挥发性（1） 可以用来制作。