公开(公告)号：WO2023006462A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/EP2022/069979

申请日：2022-07-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael ,  SCHWARZ, Thomas ,  SCHOELL, Hansjoerg

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen Träger (200), einen optoelektronischen Halbleiterchip (400) und eine metallische Blende (500). Der optoelektronische Halbleiterchip (400) weist eine Oberseite (401) mit einer lichtemittierenden Fläche (410) auf. Der optoelektronische Halbleiterchip (400) ist so auf einer Oberseite (201) des Trägers (200) angeordnet, dass die lichtemittierende Fläche (401) von der Oberseite (201) des Trägers (200) abgewandt ist. Die Blende (500) ist über der Oberseite (201) des Trägers (200) und dem optoelektronischen Halbleiterchip (400) angeordnet. Die Blende (500) weist eine Öffnung (510) auf, die über der lichtemittierenden Fläche (410) angeordnet ist. An der Oberseite (401) des optoelektronischen Halbleiterchips (400) ist ein die lichtemittierende Fläche (410) umgrenzender Damm (700) angeordnet.

公开(公告)号：WO2023274855A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2022/067283

申请日：2022-06-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GEBUHR, Tobias

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L25/0753 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Bei einem Licht emittierenden Bauelement (1) mit zumindest einem Licht emittierenden Halbleiterelement (3), das an einem Substrat (2) angeordnet und zumindest teilweise von einem ersten Hüllkörper (8, 22) umgeben ist, wobei an der dem Substrat (2) abgewandten Seite des Halbleiterelements (3) ein zweiter Hüllkörper (9, 23) angeordnet ist, wird eine neuartige Struktur innerhalb eines Umgusses angegeben, die als Reflektor oder als Lichtaustrittsöffnung dienen kann, indem der zweite Hüllkörper (9, 23) zumindest bereichsweise konvex in Richtung auf das Halbleiterelement (3) geformt ist und an der dem Halbleiterelement (3) abgewandten Seite im Wesentlichen eben oder konvex geformt ist.

公开(公告)号：WO2022248247A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/EP2022/063024

申请日：2022-05-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUB, Ralf ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  REITH, Andreas

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (3) und mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), der an einer Montageseite (32) des Trägers (2) angebracht ist, wobei - der Träger (3) aus mehreren separaten, metallischen Leiterrahmenteilen (34) und aus einem Vergusskörper (33) zusammengesetzt ist und der Vergusskörper (33) die Leiterrahmenteile (34) zusammenhält, - die Leiterrahmenteile (34) den Vergusskörper (33) an einer Befestigungsseite (30) des Trägers (3) überragen und die Befestigungsseite (30) der Montageseite (32) gegenüberliegt, - die Befestigungsseite (30) für eine Oberflächenmontage eingerichtet ist, - die Leiterrahmenteile (34) in Richtung parallel zur Befestigungsseite (30) gesehen außerhalb des Vergusskörpers (33) breiter sind als innerhalb des Vergusskörpers (3), - in Draufsicht auf die Befestigungsseite (30) gesehen der Vergusskörper (33) die Leiterrahmenteile (34) an allen Seiten überragt, und - bevorzugt der Vergusskörper (33) und die Leiterrahmenteile (34) bündig miteinander an der Befestigunsseite (30) abschließen.

公开(公告)号：WO2022033926A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：PCT/EP2021/071664

申请日：2021-08-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) • - mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), • - mehrere Leiterrahmenteile (3), und • - einen Vergusskörper (4), der die Leiterrahmenteile (3) mechanisch miteinander verbindet, sodass ein Montageträger (34) gebildet ist, an dem der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip (2) angebracht ist, wobei • - die Leiterrahmenteile (3) je einstückig ausgebildet sind und mindestens einen Durchkontaktierungsbereich (31) sowie mindestens einen Montagebereich (32) umfassen, und • - die Durchkontaktierungsbereiche (31) den Montageträger (34) jeweils durchdringen und die Montagebereiche (32) den Vergusskörper (4) überragen.

公开(公告)号：WO2022002630A1

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：PCT/EP2021/066569

申请日：2021-06-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael ,  SCHWARZ, Thomas ,  EIBL, Julia ,  STREITEL, Reinhard ,  HIEN, Matthias

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L25/0753 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L33/486 ,  H01L33/647

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem ein Leiterrahmen (10) mit zumindest einem ersten Abschnitt und einem davon beabstandeten zweiten Abschnitt mit jeweils wenigstens 2 ersten Auflagebereichen (14) bereitgestellt wird, wobei die ersten Auflagebereiche (14) jeweils zumindest teilweise von einer Vertiefung (11) umgeben sind. Ein lichtemittierender Halbleiterkörper (20r, 20b, 20g) wird auf den ersten Auflagebereich (14) eines jeden Abschnitts aufgebracht und die Abschnitte zur Bildung einer Vielzahl von Chipgruppen (1), insbesondere Chipgruppen (1) gleicher Bauweise getrennt. Anschließend wird ein Träger bereitgestellt, der eine Vielzahl voneinander beabstandete Bereiche aufweist, die jeweils Kontaktfinger (32) umfassen. Eine Chipgruppe (1) wird in oder auf jeweils einen der Vielzahl voneinander beabstandeten Bereiche des Trägers aufgebracht und kontaktiert. Dann werden die Bereiche vereinzelt.

公开(公告)号：WO2021018566A1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：PCT/EP2020/069876

申请日：2020-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIEN, Matthias ,  ZITZLSPERGER, Michael

IPC: H01L23/495 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Leiterrahmenverbund (1) angegeben umfassend - eine Mehrzahl von regelmäßig angeordneten Leiterrahmen (5), die jeweils - zur elektrischen Kontaktierung von Bauteilen (10) geeignet sind, - zumindest zwei, durch eine Aussparung (2) lateral beabstandete Leiterrahmenelemente (6, 7, 7A, 7B, 7C) umfassen, die als elektrische Anschlüsse verschiedener Polarität vorgesehen sind, und - zumindest ein Verankerungselement (8) aufweisen, das zur Verankerung eines Gehäusekörpers (11) des Bauteils (10) geeignet ist, - eine Mehrzahl von Verbindungselementen (3), die jeweils zwei Leiterrahmenelemente (6, 7, 7A, 7B, 7C) benachbarter Leiterrahmen (5) miteinander verbinden, wobei die zwei verbundenen Leiterrahmenelemente (6, 7, 7A, 7B, 7C) als Anschlüsse verschiedener Polarität vorgesehen sind. Ferner werden ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen und ein Bauteil angegeben.

公开(公告)号：WO2020169524A1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：PCT/EP2020/054085

申请日：2020-02-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael ,  GOLDBACH, Matthias ,  HÖFLINGER, Benjamin

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens zwei metallische Leiterrahmenteile (4) und einen Schaltkreischip (3) an den Leiterrahmenteilen (4). Ein elektrisch isolierendes und lichtundurchlässiges Matrixmaterial (5) verbindet die Leiterrahmenteile (4) mechanisch miteinander. Der Schaltkreischip (3) ist in das Matrixmaterial (5) eingebettet, sodass durch das Matrixmaterial (5) zusammen mit den Leiterrahmenteilen (4) und dem Schaltkreischip (3) ein Träger (45) gebildet ist. Ein optoelektronischer Halbleiterchip (2) befindet sich an einer Trägeroberseite (44). Außerdem umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens eine Optikkomponente (6) an der Trägeroberseite (44).

公开(公告)号：WO2019037997A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：PCT/EP2018/069910

申请日：2018-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALTIERI-WEIMAR, Paola ,  NEUDECKER, Ingo ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GRÖTSCH, Stefan ,  KOCH, Holger

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.

公开(公告)号：WO2016087656A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078697

申请日：2015-12-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  ILLEK, Stefan ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULTEN, Dominik

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/486 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Konversionselement (100) beschrieben. Das Konversionselement (100) umfasst eine Konversionsschicht (16), welche ein wellenlängenkonvertierendes Konversionsmaterial umfasst, eine erste Verkapselungsschicht (30) auf einer ersten Hauptfläche (20) der Konversionsschicht, wobei die erste Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 10 µm und 500 µm aufweist, und eine zweite Verkapselungsschicht (32) auf einer zweiten Hauptfläche (22) der Konversionsschicht, wobei die zweite Verkapselungsschicht eine Dicke zwischen 0,1 µm und 20 µm aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (200) und ein Verfahren zur Herstellung von Konversionselementen angegeben.

Abstract translation: 将描述的转换元件（100）。 转换元件（100）包括包含波长转换材料，第一封装层（30）上的转换层，其中，所述第一封装层具有10微米和500微米之间的厚度的第一主表面（20）的转换层（16），和一个 在转换层，其中，所述第二封装层具有0.1微米与20微米之间的厚度的第二主表面（22）的第二封装层（32）。 此外，光电子半导体器件（200）和用于生产转换元件的方法被指定。

公开(公告)号：WO2016008893A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/EP2015/066081

申请日：2015-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Daniel ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  ZIEREIS, Christian ,  GRUBER, Stefan

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49575 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/49113

Abstract: Ein elektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse und einen teilweise in das Gehäuse eingebetteten Leiterrahmenabschnitt. Der Leiterrahmenabschnitt umfasst einen ersten Quadranten, einen zweiten Quadranten, einen dritten Quadranten und einen vierten Quadranten. Jeder Quadrant weist einen ersten Leiterrahmenteil und einen zweiten Leiterrahmenteil auf. Jeder erste Leiterrahmenteil weist eine Chiplandefläche auf. Die Chiplandeflächen aller vier Quadranten sind an einen gemeinsamen Mittenbereich des Leiterrahmenabschnitts angrenzend angeordnet.

Abstract translation: 一种电子设备，包括壳体和一个部分嵌入在封装引线框分段。 引线框架部分包括第一象限，第二象限，第三象限和第四象限。 每个象限具有第一引线框架部分和第二引线框架部分。 每个第一引线框架部分具有一个芯片着陆区。 所有四个象限的芯片着落区相邻设置的引线框架部分的一个共同的中央部分。