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公开(公告)号：KR1020150077843A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166728
申请日：2013-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L23/48 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/308 , H01L21/4867 , H01L21/76877
Abstract: 본발명은비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의해제조된비아홀이형성된반도체소자에관한것으로서, 특히반도체소자의비아홀 제조방법에있어서, 기판을준비하는제1단계와, 상기기판의상면및 하면각각에비아홀 형성을위한패턴을형성하는제2단계와, 상기기판의상측과하측에서식각공정을수행하여, 상기패턴에대응되는기판의상면과하면이관통하는비아홀을형성하는제3단계와, 상기비아홀에전도성페이스트를충진하여비아홀 콘택을형성하는제4단계를포함하여이루어진것을특징으로하는비아홀 콘택형성을위한비아홀 제조방법및 이에의한비아홀이형성된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해비아홀에전도성페이스트를충진하는방법으로비아홀 콘택을형성함으로써, 전도성페이스트와기판사이의우수한접착력을얻을수 있어, 비아홀에서발생하는노이즈를줄여전기적접속및 반도체소자의테스트시오류를최소화하는비아홀의신뢰성을향상시키는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造用于形成通孔接触的通孔的方法和由其制造的具有通孔的半导体器件。 特别是在制造半导体装置的通孔的方法中，本发明公开了一种用于形成通孔接触的通孔的制造方法和由此制造的具有通孔的半导体装置。 该方法包括：制备衬底的第一步骤; 在基板的上表面和下表面上分别形成用于形成通孔的图案的第二步骤; 在基板的上侧和下侧进行蚀刻处理以形成穿过与图案对应的基板的上表面和下表面的通孔的第三步骤; 以及通过用导电浆填充通孔来形成通孔接触的第四步骤。 因此，本发明可以通过用导电膏填充通孔的方法形成通孔接触来获得导电糊和基片之间的极好的粘合性，并且通过减少产生的噪声来最小化测试电连接和半导体器件的误差 在通孔中，从而提高通孔的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150074321A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用激光剥离工艺和双重转移制造半导体元件的方法，包括：在衬底上形成半导体层的步骤; 通过激光剥离工艺将半导体层转移到第一柔性膜的第一转移步骤; 以及将半导体层从第一柔性膜转移到第二柔性膜的第二转移步骤。 根据该结构，本发明可以使半导体层分离，使得在暴露于外部的半导体层生长时具有已经看到的表面。
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公开(公告)号：KR1020150046912A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130126493
申请日：2013-10-23
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/308 , H01L33/22 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은고출력적색발광다이오드의제작방법에관한것으로서, 나노스케일로표면요철을형성하여광추출효율을증대시키는적색발광다이오드의제조방법에있어서, 박막상층에유전체마스크층을형성하는단계와, 상기유전체마스크층상층에고분자층을형성하는단계와, 상기고분자층상층에자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을형성하는단계와, 패턴이형성된나노임프린트용스탬프를준비하는단계와, 상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을상기나노임프린트용스탬프로가압하고, 빛조사또는가열방법중 어느하나또는혼용한방법으로상기자외선경화레진층또는감광성금속유기물전구체층을경화하여레진패턴층또는금속산화박막패턴층을형성하는단계와, 상기나노임프린트용스탬프를상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층으로부터제거하는단계와, 상기레진패턴층또는금속산화박막패턴층, 고분자층및 유전체마스크층을건식식각마스크로이용하여상기박막을건식식각하는단계와, 잔류된유전체마스크층을제거하는단계및 상기제거된유전체마스크층영역일부에리프트오프공정에의해전극패턴을형성하는단계를포함하여이루어진것을특징으로하는고출력적색발광다이오드의제조방법을기술적요지로한다. 이에의해, 적색발광다이오드의제조시나노임프린트공정과건식식각을이용하여박막의표면에대면적의균일한표면요철을형성하여나노러프닝(nano-roughening)을유도하여광추출효율이향상된적색발광다이오드를제공하는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造高功率红色发光二极管的方法，包括：在薄膜的上层上形成介电掩模层的步骤; 在介电掩模的上层形成聚合物层的步骤; 在聚合物层的上层形成紫外线固化性树脂层或感光性金属有机前体层的工序; 通过用光照射固化紫外线固化树脂层或感光金属 - 有机前体层来形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层的步骤，加热方法或光辐射和加热方法的混合方法; 从树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层去除纳米压印印模的步骤; 通过使用树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层，聚合物层和介电掩模层作为干蚀刻掩模来干蚀刻薄膜的步骤; 去除残留电介质掩模层的步骤; 以及通过剥离处理在去除的电介质掩模层区域的一部分上形成电极图案的步骤。 本发明在制造红色发光二极管时，使用纳米压印加工和干法蚀刻在薄膜表面上形成大的均匀的表面凹凸，并引起纳米粗糙化，从而提供具有提高的光提取效率的发光二极管。
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74.发明授权
公开(公告)号：KR101486206B1
公开(公告)日：2015-01-27
申请号：KR1020140029590
申请日：2014-03-13
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 화합물반도체 태양광 전지에 관한 것으로서, 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서, 상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계와, 상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루 어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지를 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 갈바닉 효과를 억제하여 고품질의 화합물반도체 태양광 전지를 제공할 수 있으며, 투명전도성 산화물 박막을 윈도우층과 캡층의 보호층으로 사용함으로써, 윈도우층과 캡층의 손상으로 인한 화합물반도체 태양광 전지의 효율 저하를 방지하였으며, 캡층 형성 후 그리드전극 형성을 위한 시드금속층의 습식 식각 시에도 보호층으로 인해 윈도우층 및 캡층의 손상을 방지하여 화합물반도체 태양광 전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.
Abstract translation: 化合物半导体太阳能电池本发明涉及化合物半导体太阳能电池。 一种化合物半导体太阳能电池的制造方法，其包括形成在基板上的光电转换单元，形成在所述光电转换单元的上部的窗口层，形成在所述窗口层的上部的盖层，以及 栅电极包括以下步骤：将第一感光膜作为掩模湿蚀刻在窗口层上以形成盖层; 在窗口层上形成用于n金属层图案化的第二感光膜，并在盖层上形成n金属层; 在所述窗口层和所述n金属层上形成包含透明导电氧化物的保护层; 在保护层的上层上沉积种子金属层; 以及在所述种子金属层上形成用于栅电极图案化的第三感光膜，在所述覆盖层的种子金属层上形成栅格电极，以及在包括所述窗口层和所述保护层的区域中除去所述种子金属层。 该方法能够：通过抑制电流效应提供高质量的化合物半导体太阳能电池; 通过使用透明导电氧化物膜作为窗口层和盖层的保护层，防止由于窗口层和盖层的损坏导致的化合物半导体太阳能电池的效率降低; 并且通过在形成盖层之后，当种子金属层被湿蚀刻以形成栅电极时，通过防止保护层对窗口层和盖层的损坏来提高复合半导体太阳能电池的效率。
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75.发明授权정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法
公开(公告)号：KR101477038B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020130159283
申请日：2013-12-19
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.
Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤， 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140085968A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120155896
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , B82B1/001 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a metal film with nanopatterns. The method of manufacturing a metal film with nanopatterns comprises: a first step of forming a sacrificial layer on the upper surface of a substrate; a second step of forming a seed layer for plating on the upper surface of the sacrificial layer; a third step of forming a metal film on the seed layer through electroplating; a fourth step of forming a photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film and then forming a nanopattern made of the photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film through exposure patterning and developing processes; and a fifth step of removing the sacrificial layer to separate the metal film with the nanopattern formed thereon from the substrate. According to the present invention, fine nanopatterns of equal to or less than 100 nm are uniformly formed while the present invention reduces process costs and time by simplifying processes, and the metal film with the nanopattern is simply manufactured.
Abstract translation: 本发明涉及一种利用纳米图案制造金属膜的方法。 利用纳米图案制造金属膜的方法包括：在基板的上表面上形成牺牲层的第一步骤; 在牺牲层的上表面上形成用于电镀的种子层的第二步骤; 通过电镀在种子层上形成金属膜的第三步骤; 在金属膜的上表面上形成感光性树脂层，然后通过曝光图案化和显影工艺在金属膜的上表面上形成由感光性树脂层制成的纳米图案的第四步骤; 以及除去牺牲层以从金属膜与其上形成的纳米图案分离的第五步骤。 根据本发明，均匀地形成等于或小于100nm的细微纳米图案，而本发明通过简化工艺降低了工艺成本和时间，并且简单地制造了具有纳米图案的金属膜。
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公开(公告)号：KR101357087B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020110135977
申请日：2011-12-16
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체에 관한 것으로, 본 발명의 3차원 나노구조체 제조방법은 기판 또는 박막의 상부에 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계와, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 제1 패턴이 형성된 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계와, 상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 상기 제1 임프린트용 스탬프와 다른 제2 패턴을 가진 이종의 제2 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계를 포함하여, 이종의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성함으로써, 복수의 임프린트 스탬프를 사용하여 다양한 형태의 3차원 패턴형성이 가능하여 저가 및 대면적으로 나노점, 나노튜브, 나노원뿔 등과 같은 다양한 3차원 나노구조체 제조를 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020130070962A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138243
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: An electric component having a metal diffusion prevention graphene layer and a manufacturing method there of form a graphene layer between a bonding layer and a metal layer, increasing reproducibility. CONSTITUTION: A metal layer (203) comprises single metal or alloy. A graphene layer (202) is formed on the lower side of the metal. The thickness of the graphene layer is 0.2nm to 1.5μm. A bonding layer (201) is formed one the lower side of the graphene. The bonding layer is formed with one or more of single metal film, alloy film, oxide film, organic layer or inorganic film.
Abstract translation: 目的：具有金属扩散防止石墨烯层的电气部件及其制造方法，其在接合层和金属层之间形成石墨烯层，提高再现性。 构成：金属层（203）包括单一金属或合金。 石墨烯层（202）形成在金属的下侧。 石墨烯层的厚度为0.2nm至1.5μm。 在石墨烯的下侧形成有接合层（201）。 接合层由单金属膜，合金膜，氧化膜，有机层或无机膜中的一种以上形成。
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公开(公告)号：KR1020130052175A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117471
申请日：2011-11-11
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C33/3807 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a multilayer nanostructure is provided to suppress photo reflection due to difference of refractivity between semiconductor material and air and to minimize damages by etching. CONSTITUTION: A manufacturing method of a multilayer nanostructure comprises a step of forming a polymer layer on the upper part of a substrate; a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer and an imprint resin layer with Si or metal oxide nanoparticle in the upper part thereof. The imprint resin layer pressurizes the photosensitive metal-organic material layer by a stamp and forms a resin pattern layer or metal oxide thin film pattern layer by heating or light irradiation. An undercut is formed to expose the substrate, by etching one or more of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof. One or more layers of the resin pattern layer, oxide thin film pattern layer, or polymer layer thereof is formed on one or more upper part of the substrate. A nanostructure(100) is obtained by lifting off one or more of the metal, metal oxide, fluoride, nitride, or sulfide film, by solvent.
Abstract translation: 目的：提供一种多层纳米结构的制造方法，以抑制由于半导体材料与空气之间的折射率差异引起的光反射，并且通过蚀刻使损伤最小化。 构成：多层纳米结构体的制造方法包括在基板的上部形成聚合物层的工序; 在其上部形成感光金属 - 有机材料前体层和用Si或金属氧化物纳米颗粒的压印树脂层的步骤。 压印树脂层通过印模对感光性金属有机材料层进行加压，通过加热或光照射形成树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层。 通过蚀刻树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层中的一个或多个，形成底切以暴露基底。 树脂图案层，氧化物薄膜图案层或其聚合物层的一层或多层形成在基板的一个或多个上部上。 通过溶剂提取一种或多种金属，金属氧化物，氟化物，氮化物或硫化物膜来获得纳米结构（100）。
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公开(公告)号：KR101179700B1
公开(公告)日：2012-09-04
申请号：KR1020100085509
申请日：2010-09-01
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/22
Abstract: 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판과 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극, 상기 p형 전극 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층과 n형 반도체층 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하며, 상기 n형 반도체층은 표면에 규칙적인 나노미터급 광결정 패턴의 오목부가 형성된 것이 특징이다.
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