公开(公告)号：KR1020110023913A

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020117003537

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기 내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.
또한, 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020100014643A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020097020267

申请日：2008-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  군지이사오 ,  구로이와다이스케

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4585

Abstract: Disclosed is a film-forming apparatus wherein a predetermined film is formed on a wafer (W) by CVD by reacting a film-forming gas on the surface of the wafer, while heating the wafer (W) placed on a stage (22) with a heating mechanism. This film-forming apparatus also comprises a cover member (24) which is so arranged as to cover the outer portion of the wafer (W) on the stage (22) and has a base member (24a) and a low emissivity film (24b) arranged on at least the rear surface of the base member.

Abstract translation: 公开了一种成膜设备，其中通过CVD在晶片（W）上通过使晶片表面上的成膜气体反应，同时加热放置在载物台（22）上的晶片（W）而在晶片（W）上形成预定的膜， 加热机构。 该成膜装置还包括盖构件（24），其被布置成覆盖台（22）上的晶片（W）的外部部分，并具有基座构件（24a）和低发射率膜（24b） ），其至少布置在基部构件的后表面上。

公开(公告)号：KR100935481B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020077019763

申请日：2006-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 본 발명은, 진공 흡인 가능하게 되어 있는 처리 용기 내에 고융점 금속 유기 원료 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 공정, 및 상기 처리 용기 내에 질소 함유 가스, 실리콘 함유 가스 및 탄소 함유 가스 중 어느 하나 또는 복수로 이루어진 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 공정을 구비하고, 상기 처리 용기 내에 재치된 피처리체의 표면에, 고융점 금속의 질화물, 규화물 및 탄화물 중 어느 하나 또는 복수로 이루어진 금속 화합물막의 박막을 형성하는 성막 방법이다. 제 1 가스 공급 공정과 제 2 가스 공급 공정은 교대로 실시되고, 제 1 가스 공급 공정 중 및 제 2 가스 공급 공정 중에 있어서, 상기 피처리체의 온도가 상기 고융점 금속 유기 원료의 분해 개시 온도 이상의 온도로 유지된다.

公开(公告)号：KR1020090125157A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097020555

申请日：2008-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  하세가와도시오 ,  야마사키히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4402

Abstract: A method of cleaning a powdery source supply system, by which any outflow of particles from an interior of vessel or an interior of introduction tube at film forming treatment can be prevented. Substrate treating system (10) includes powdery source supply system (12) and film forming treatment unit (11). The powdery source supply system (12) includes ampoule (14) for accommodating powdery source (13) (tungsten carbonyl); carrier gas supply unit (16) for supplying a carrier gas into the ampoule (14); powdery source introduction tube (17) for connection of the ampoule (14) and the film forming treatment unit (11); purge tube (19) branched from the powdery source introduction tube (17); and opening or closing valve (22) for opening or closing of the powdery source introduction tube (17). When the opening or closing valve (22) is opened and the interior of the purge tube (19) is evacuated prior to film forming treatment, the carrier gas supply unit (16) feeds a carrier gas so that the viscous force acting on particles by the carrier gas is greater than the viscous force acting on particles by the carrier gas at film forming treatment.

Abstract translation: 可以防止粉末源供应系统的清洗方法，通过该方法可以防止在成膜处理时从容器的内部或导入管的内部流出颗粒。 基板处理系统（10）包括粉末源供给系统（12）和成膜处理单元（11）。 粉末源供应系统（12）包括用于容纳粉末源（13）（羰基钨）的安瓿（14）; 用于将载气供应到安瓿（14）中的载气供应单元（16）; 用于连接安瓿（14）和成膜处理单元（11）的粉末源引入管（17）; 从粉末源引入管（17）分支的清洗管（19）; 以及用于打开或关闭粉末源引入管（17）的打开或关闭阀（22）。 当打开或关闭阀（22）打开并且在成膜处理之前将净化管（19）的内部抽真空时，载气供给单元（16）供给载气，使得作用在颗粒上的粘性力 载气在成膜处理时大于由载气作用在颗粒上的粘性力。

公开(公告)号：KR100811906B1

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020037007935

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: After a thin film is deposited on a treatment surface of a wafer and the wafer is transferred out of a treatment chamber, a contact projection of a clamp is brought into contact with a susceptor to heat the clamp. Next, a wafer is disposed on the susceptor by elevating the clamp when the wafer, on which a thin film is not deposited, is transferred in. Thereafter, the clamp is brought into contact with the wafer and the wafer is stabilized to a predetermined temperature. Thereafter, a thin film is deposited on a treatment surface of the wafer.

公开(公告)号：KR1020070100391A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020077019763

申请日：2006-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: a first gas-feeding step in which an organic raw-material gas for a high-melting metal is fed to a treatment vessel capable of evacuation; and a second gas-feeding step in which any one of a nitrogen-containing gas, a silicon-containing gas, and a carbon-containing gas or a gas mixture comprising two or more of these is fed to the treatment vessel. In the method, a thin metal compound film comprising any one or more of the nitrides, silicides, and carbides of the high-melting metal is formed on the surface of a work placed in the treatment vessel. The first gas-feeding step and the second gas-feeding step are alternately conducted. During the first gas-feeding step and the second gas-feeding step, the temperature of the work is kept at a temperature not lower than the decomposition initiation temperature of the organic raw material for a high-melting metal.

Abstract translation: 第一供气步骤，其中用于高熔点金属的有机原料气体被供给到能够排空的处理容器; 以及第二供气步骤，其中将含氮气体，含硅气体和含碳气体中的任一种或其中包含两种或更多种的气体混合物中的任一种进料到处理容器中。 在该方法中，在放置在处理容器中的工件的表面上形成包含高熔点金属的氮化物，硅化物和碳化物中的一种或多种的薄金属化合物膜。 交替进行第一供气步骤和第二气体供给步骤。 在第一供气步骤和第二气体供给步骤期间，工件的温度保持在不低于高熔点金属的有机原料的分解开始温度的温度。

公开(公告)号：KR1020070058439A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077002478

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 야마사키히데아키 ,  스즈키켄지 ,  귀도띠엠마뉴엘 ,  모스카엔리코 ,  루이징크거트제이 ,  가와노유미코 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라쥐

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

Abstract: A method for depositing Ru and Re metal layers on substrates with high deposition rates, low particulate contamination, and good step coverage on patterned substrates is presented. The method includes providing a substrate in a process chamber, introducing a process gas in the process chamber in which the process gas comprises a carrier gas and a metal precursor selected from the group consisting of a ruthenium-carbonyl precursor and a rhenium-carbonyl precursor. The method further includes depositing a Ru or Re metal layer on the substrate by a thermal chemical vapor deposition process at a process chamber pressure less than about 20 mTorr.

Abstract translation: 提出了一种用于在具有高沉积速率，低颗粒污染和在图案化衬底上良好的阶梯覆盖的衬底上沉积Ru和Re金属层的方法。 该方法包括在处理室中提供衬底，在处理室中引入工艺气体，其中处理气体包括载气和选自羰基钌羰基前体和铼羰基前体的金属前体。 该方法还包括通过在低于约20mTorr的处理室压力下的热化学气相沉积工艺在衬底上沉积Ru或Re金属层。

公开(公告)号：KR1020060089212A

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020067005658

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리펜톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: A method for depositing metal layers with good surface morphology using sequential flow deposition includes alternately exposing a substrate in a process chamber to a metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas. During exposure with the metal-carbonyl precursor gas, a thin metal layer is deposited on the substrate by thermal decomposition, and subsequent exposure of the metal layer to the reducing gas aids in the removal of reaction by-products from the metal layer. The metal-carbonyl precursor gas and a reducing gas exposure steps can be repeated until a metal layer with a desired thickness is achieved. The metal-carbonyl precursor can, for example, be selected from W(CO) 6, Ni(CO)4, MO(CO)6, C02(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12.

Abstract translation: 使用顺序流动沉积沉积具有良好表面形态的金属层的方法包括将处理室中的衬底交替地暴露于羰基金属前体气体和还原气体。 在用羰基金属前驱体气体曝光的同时，通过热分解在基板上沉积薄金属层，随后将金属层暴露于还原气体有助于从金属层除去反应副产物。 可以重复金属羰基前体气体和还原气体暴露步骤，直到达到具有所需厚度的金属层。 金属羰基前体可以例如选自W（CO）6，Ni（CO）4，MO（CO）6，CO 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2（CO） （CO）6和Ru 3（CO）12。

公开(公告)号：KR100589924B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본 발명은 감압 처리실로부터 미반응 원료 가스나 반응 부생성물 가스를 배기하기 위한 진공 펌프의 안정 가동을 보증하는 동시에 반응 부생성물을 효율적으로 회수하여 자원의 유효 이용 및 운전 비용의 절감을 도모하는 것을 목적으로 한다. 이 감압 CVD 장치는 감압 CVD법에 의해 구리의 성막(成膜)을 행하기 위한 처리실(10)과, 이 처리실(10)에 원료 가스로서 유기 구리 화합물, 예컨대 Cu(I) hfac TMVS를 공급하기 위한 원료 가스 공급부(12)와, 처리실(10)을 진공 흡기하여 배기하기 위한 진공 배기부(14)로 구성되어 있다. 진공 배기부(14)는 진공 펌프(26)와, 그 전단 및 후단에 각각 설치된 고온 트랩 장치(28) 및 저온 트랩 장치(30)로 구성되어 있다. 고온 트랩 장치(28)에서는 처리실(10)로부터의 배기 가스에 포함되어 있는 미반응 Cu(I) hfac TMVS를 분해하여 금속 구리가 트랩되고, 저온 트랩 장치(30)에서는 반응 부생성물인 Cu(II) (hfac)
2 가 트랩된다.

公开(公告)号：KR1020060021940A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：KR1020067001207

申请日：2001-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  카와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: Detection of vacuum degradation in vacuum circuit breakers has been low in detection sensitivity owing to the presence of various noises besides electric discharge. Accurate detection of vacuum degradation is made possible by detecting the continuity of electric discharge occurring between the electrode and the shield as vacuum degrades, and the duration of electric discharge. It is arranged that the continuity of electric discharge is detected as a somewhat longer period of time than one cycle time of power source frequency and the duration of electric discharge is detected as a sufficiently longer period of time than one cycle time.

Abstract translation: 真空断路器的真空劣化检测由于除了放电之外存在各种噪声，检测灵敏度低。 通过检测在真空劣化时电极和屏蔽之间发生的放电的连续性以及放电的持续时间，可以精确地检测真空劣化。 布置为将放电的连续性检测为比电源频率的一个周期时间更长的时间段，并且将放电的持续时间检测为比一个周期时间足够长的时间段。