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公开(公告)号：KR101758141B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100091583
申请日：2010-09-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/01708 , G02F1/0054 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/015 , G02F1/01725 , G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2202/10
Abstract: 광전자장치가개시된다. 상기광전자장치는반도체기판내에형성된 p-도핑영역과 n-도핑영역; 상기 p-도핑영역과상기 n-도핑영역사이에형성된광 도파로코어영역; 상기광 도파로코어영역과상기 p-도핑영역사이에형성되고, 각각이제1거리로이격되어형성되며상기광 도파로코어영역의상기두께와동일한두께는갖는복수의제1슬랩들; 및상기광 도파로코어영역과상기 n-도핑영역사이에형성되고, 각각이제2거리로이격되어형성되며상기광 도파로코어영역의상기두께와동일한두께는갖는복수의제2슬랩들을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170075439A
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020150185091
申请日：2015-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B2006/12097
Abstract: 본발명의기술적사상에의한광 소자는, 기판; 상기기판의일부분에형성된트렌치; 상기트렌치내에형성된클래드층; 상기클래드층상에제1 두께로형성된제1 구조물; 상기클래드층상에상기제1 두께와는다른제2 두께로형성된제2 구조물;을포함할수 있다. 또한, 본발명의기술적사상에의한광 소자는, 기판; 상기기판의일부분에형성된트렌치내에형성된클래드층; 상기클래드층 상에형성된제1 층및 상기제1 층의일부영역상에적층된제2 층을포함하면서제1 방향으로연장되는광 전달구조체;를포함하고, 상기제1 층은, 상기제1 방향을따라연장되면서점차감소하는너비를가지는제1 영역과, 상기제1 영역중 최소너비를가지는단부와연결되어, 상기최소너비를가지면서연장되는제2 영역을포함하고, 상기제2 층은, 상기제1 방향을따라연장되면서점차감소하는너비를가지고, 상기제2 층의상면이삼각형상을가질수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的技术思想，轻元件包括基板; 形成在衬底的一部分中的沟槽; 在沟槽中形成的包层; 形成在所述包覆层上以具有第一厚度的第一结构; 以及在包层上具有与第一厚度不同的第二厚度的第二结构。 根据本发明的技术方面，提供了一种轻元件，包括：基板; 形成在衬底的一部分中形成的沟槽中的包覆层; 并且第一层形成在包覆层上并且第二层堆叠在第一层的部分区域上并沿第一方向延伸， 并且第二区域连接到具有第一区域的最小宽度并且以最小宽度延伸的端部，其中第二区域具有宽度 ，沿第一方向逐渐减小的宽度，并且第二层的上表面具有三角形形状。
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公开(公告)号：KR101548176B1
公开(公告)日：2015-08-31
申请号：KR1020090008038
申请日：2009-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/3183 , G01R31/3181
CPC classification number: G11C29/56 , G11C29/56012 , G11C2029/5602 , Y10T29/49004
Abstract: 메모리시스템, 메모리테스트시스템및 이의테스트방법이개시된다. 본발명의실시예에따른메모리테스트시스템은메모리; 상기메모리를테스트하기위한클럭신호및 테스트신호를생성하는테스터; 및각각상기클럭신호및 상기테스트신호를광 신호로변환하여광 클럭신호및 광테스트신호로출력하는전기-광신호변환부, 각각상기광 클럭신호및 상기광 테스트신호를 n개로분기시키는광 신호분기부와, 분기된광 클럭신호및 분기된광 테스트신호를수신하여상기메모리에서사용되는전기신호로변환하는광-전기신호변환부를포함하는광분기모듈을구비한다.
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公开(公告)号：KR101430168B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020080002639
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B10/2504
Abstract: 3단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치가 개시된다. 개시된 3단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치는, 2단계 신호를 송수신하는 제1 및 제2 광송수신 장치: 및 상기 광 송수신 장치들로부터의 신호를 병합하여 하나의 3단계 신호로 출력하는 병합기;를 구비한다. 본 발명의 광 송수신 장치는 2단계 신호를 송수신하는 광 송수신 장치를 사용하면서도 3단계 전기적 신호를 송수신 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140095387A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020130008306
申请日：2013-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: A wafer test system according to an embodiment of the present invention includes an input device for transmitting a test signal; a wafer including an optical port, an input port for receiving the test signal, and an output port for outputting a result signal based on the test signal; a measuring device for measuring the result signal; and an alignment device for aligning an optical fiber port of an optical probe with an alignment port based on the result signal and then aligning the optical fiber port with the optical port. The optical probe is the input device or the measuring device. The alignment port is the input port or the output port.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的晶片测试系统包括用于发送测试信号的输入设备; 包括光学端口的晶片，用于接收测试信号的输入端口和用于基于测试信号输出结果信号的输出端口; 用于测量结果信号的测量装置; 以及对准装置，用于基于结果信号将光学探针的光纤端口与对准端口对准，然后使光纤端口与光学端口对准。 光学探头是输入设备或测量设备。 对齐端口是输入端口或输出端口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120041952A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020100103379
申请日：2010-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F2201/066 , G02F2201/15 , G02B6/1221 , G02B6/12011
Abstract: PURPOSE: A silicon phase shifter, an electro-optic modulator, and a photonic integrated circuit having the same are provided to more efficiently control the phase of an optical signal. CONSTITUTION: A silicon phase shifter(10) comprises an optical waveguide(300) and a plurality of impurity regions(100,200). The optical waveguide transfers an optical signal. A plurality of impurity regions has joint surfaces having a zigzag pattern and includes charge carriers. The concentration of the charge carrier is controlled by sanctioning an external electric signal between impurity regions. Therefore, the phase of the optical signal passing through the optical waveguide is controlled.
Abstract translation: 目的：提供硅移相器，电光调制器和具有该硅移相器的光电调制器，以更有效地控制光信号的相位。 构成：硅移相器（10）包括光波导（300）和多个杂质区（100,200）。 光波导传送光信号。 多个杂质区域具有Z字形图案的接合表面，并且包括电荷载体。 通过对杂质区域之间的外部电信号进行制裁来控制电荷载体的浓度。 因此，控制通过光波导的光信号的相位。
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公开(公告)号：KR1020100089227A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008384
申请日：2009-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/18 , G11C29/023
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory system is provided to prevent the signal distortion phenomenon of a control signal due to the noise by converting the control signal into a clock signal of sine curve form. CONSTITUTION: A control signal converter(126) outputs a signal of clock wave form by converting a control signal into a starting bit and a target clock. The starting bit represents the control signal as continuous clocks. The target clock is activated at a first time point from the starting point of the starting bit. A controller transmission unit(124) converts the control signal of clock wave form into the optical signal. A memory reception unit converts the received control signal of clock wave form into the electrical signal.
Abstract translation: 目的：提供半导体存储器系统，通过将控制信号转换为正弦曲线形式的时钟信号，防止由于噪声引起的控制信号的信号失真现象。 构成：控制信号转换器（126）通过将控制信号转换为起始位和目标时钟来输出时钟波形的信号。 起始位表示作为连续时钟的控制信号。 目标时钟在起始位起点的第一个时间点被激活。 控制器传输单元（124）将时钟波形的控制信号转换成光信号。 存储器接收单元将接收到的时钟波形的控制信号转换为电信号。
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公开(公告)号：KR100829562B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060081173
申请日：2006-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다.
개시된 반도체 레이저 다이오드는, 기판에 적층되며 광이 발진되는 제1반도체층과; 발진된 광을 가이드하는 제2반도체층;을 포함하며, 제1 및 제2반도체층은 기판 접합된 것으로서, 제1기판상에 광이 발진되는 제1반도체층을 형성하는 단계와; 제2기판상에 광을 가이드하는 제2반도체층을 형성하는 단계와; 제1 및 제2반도체층을 기판 접합하는 단계와; 제2기판을 제거하는 단계;를 포함한다.
상기와 같은 방법에 의하여, 상기 제1반도체층의 성장조건과 상이한 제2반도체층을 별도의 제2기판에서 성장시킨 후 접합함으로써, 보다 안정적으로 반도체 레이저 다이오드를 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100738110B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060032746
申请日：2006-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/30
Abstract: A semiconductor laser diode array is provided to improve the yield by vertically bonding a semiconductor laser diode chip of a dual ridge structure. A semiconductor laser diode array includes a lower semiconductor laser diode chip(100), an upper semiconductor laser diode chip(200), and an electrode unit. The lower semiconductor laser diode chip(100) of a dual structure has a lower substrate, a first oscillation unit(120) which is mounted on the lower substrate, and a second oscillation unit(140) which is mounted to be apart from the first oscillation unit(120). The upper semiconductor laser diode chip(200) of a dual structure has an upper substrate, a third oscillation unit(220) which is mounted on the upper substrate, and a fourth oscillation unit(240) which is mounted to be apart from the third oscillation unit(220). The electrode unit connects electrically the first to fourth oscillation units(120,140,220,240) with the outside. The first oscillation unit(120) and the third oscillation unit(220) are vertically bonded, and the second oscillation unit(140) and the fourth oscillation unit(240) are vertically bonded so that first to fourth light emitting points which emit laser light of the first to fourth oscillation units(120,140,220,240) are arrayed two-dimensionally.
Abstract translation: 提供半导体激光二极管阵列以通过垂直结合双脊结构的半导体激光二极管芯片来提高成品率。 半导体激光二极管阵列包括下半导体激光二极管芯片（100），上半导体激光二极管芯片（200）和电极单元。 双重结构的下半导体激光二极管芯片（100）具有下基板，安装在下基板上的第一振荡单元（120）和安装为与第一振荡单元（120）分开的第二振荡单元 振荡单元（120）。 双重结构的上半导体激光二极管芯片（200）具有上基板，安装在上基板上的第三振荡单元（220）和安装成与第三振荡单元 振荡单元（220）。 电极单元将第一至第四振荡单元（120,140,220,240）与外部电连接。 第一振荡单元（120）和第三振荡单元（220）垂直结合，第二振荡单元（140）和第四振荡单元（240）垂直结合，使得发射激光的第一至第四发光点 第一至第四振荡单元（120,140,220,240）的二维排列。
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公开(公告)号：KR1020070043279A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050099355
申请日：2005-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/2214 , H01L21/761 , H01L29/0646 , H01S5/18333
Abstract: 본 발명은 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다. 기판 상에 순차적으로 형성된 n-반도체층, 활성층 및 p-반도체층을 포함하는 측면 발광형 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 p-반도체층은 리지 구조를 지니며, 상기 리지 구조의 하부는 상부 비해 1.2배 이상의 폭을 지닌 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. 따라서, 리지 하부의 폭을 리지 상부의 폭에 비해 약 1.2배 이상의 크기로 형성함으로써 단일 횡모드 동작이 용이한 반도체 레이저 다이오드를 제공할 수 있다.
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