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    반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＮＡＮＤ 논리소자 구현장치
    71.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＮＡＮＤ 논리소자 구현장치 失效
    NAND闪存驱动器使用说明NAND闪存驱动器

    公开(公告)号：KR100458283B1

    公开(公告)日：2004-11-26

    申请号：KR1020010059368

    申请日：2001-09-25

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김재헌 ,  변영태 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  강광남

    IPC: G02F3/00

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for realizing an electric light NAND logic element using a semiconductor optical amplifier is provided to be easily combined with other single logic elements for controlling all optical system with only optical signals. CONSTITUTION: A pulse generator(100) generates light pulses. A DFB-LD(Distributed Feedback Laser Diode)(102) has input continuous laser light signals. A first optical divider(104) divides output light of the DFB-LD. An optical modulator(106) modulates the output light from the first optical divider. An optical delay(112) obtains quarter time delay of the output light. An attenuator(108) controls the strength of the output light. A MUX(110) multiplexes the output light of the attenuator. An EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)(116) adds the output light of the MUX and the attenuator for amplifying to a pump signal. A tunable laser diode(120) has continuous wave irradiation signals. A second optical divider(122) divides the output light of the tunable laser diode at a ratio of 50 to 50. A semiconductor optical amplifier(124) amplifies the pump signal and the continuous wave irradiation signals for gain-saturating and wavelength-converting the signals. An optical filter(126) filters tunable output light of the semiconductor optical amplifier. An optical signal analyzer(128) detects and analyzes the tunable output light of the optical filter.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于实现使用半导体光学放大器的电光NAND逻辑元件的装置，以容易地与其他单个逻辑元件组合，以仅用光学信号控制所有光学系统。 构成：脉冲发生器（100）产生光脉冲。 DFB-LD（分布式反馈激光二极管）（102）具有输入连续的激光信号。 第一分光器（104）分割DFB-LD的输出光。 光调制器（106）调制来自第一分光器的输出光。 光学延迟（112）获得输出光的四分之一时间延迟。 衰减器（108）控制输出光的强度。 MUX（110）复用衰减器的输出光。 EDFA（掺铒光纤放大器）（116）将MUX和用于放大的衰减器的输出光加到泵浦信号上。 可调激光二极管（120）具有连续波照射信号。 第二分光器（122）将可调激光二极管的输出光以50至50的比例进行分割。半导体光放大器（124）放大泵浦信号和连续波照射信号，以增益饱和和波长转换 信号。 滤光器（126）过滤半导体光放大器的可调输出光。 光信号分析器（128）检测并分析滤光器的可调输出光。

    마흐젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리연산방법
    72.
    发明公开
    마흐젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리연산방법 失效
    所有光学干涉仪所有光学波长转换器的光学和逻辑运算方法

    公开(公告)号：KR1020020049494A

    公开(公告)日：2002-06-26

    申请号：KR1020000078679

    申请日：2000-12-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 강병권 ,  김재헌 ,  이석 ,  박윤호 ,  우덕하 ,  김선호 ,  전영민 ,  송종한

    IPC: G02B6/00

    CPC classification number: H01S5/5036 ,  G02F1/3517 ,  G02F2/004 ,  G02F3/00

    Abstract: PURPOSE: An all optical AND logic operation method of a Mach-Zehnder interferometer type all optical wavelength converter is provided, which realizes a ultra high speed logic operator having a compact size and a small input intensity using an XPM wavelength converter constituted with a semiconductor optical amplifier of Mach-Zehnder interferometer type. CONSTITUTION: The configuration of the method comprises a mode locked laser(100), and an attenuator(120) attenuating an optical output, and a multiplexer(MUX)(140), and the first optical delay line(160) delaying a speed of the optical output. A 3-dB optical fiber coupler(180) separates the optical intensity into a ratio of 50:50, and a polarization controller(200) controls a polarization state to obtain a maximum optical wavelength efficiency. The second optical delay line(220) delays the speed of the optical output, and an optical isolator(240) transmits the optical wavelength. The configuration also comprises an XPM wavelength converter(260), an erbium doped fiber amplifier(EDFA)(280), a wavelength filter(300) and a signal analyzer(320).

    Abstract translation: 目的：提供马赫 - 曾德干涉仪全光学波长转换器的所有光学AND逻辑运算方法，实现了具有紧凑尺寸和小输入强度的超高速逻辑运算器，使用由半导体光学器件构成的XPM波长转换器 马赫 - 曾德干涉仪放大器。 方案：该方法的配置包括锁模激光器（100）和衰减光输出的衰减器（120）和多路复用器（MUX）（140），并且第一光延迟线（160）延迟 光输出。 3分贝光纤耦合器（180）将光强度分离成50:50的比例，并且偏振控制器（200）控制极化状态以获得最大的光波长效率。 第二光延迟线（220）延迟光输出的速度，并且光隔离器（240）传输光波长。 该配置还包括XPM波长转换器（260），掺铒光纤放大器（EDFA）（280），波长滤波器（300）和信号分析器（320）。

    광 위상 동기 루프 회로
    73.
    发明授权
    광 위상 동기 루프 회로 失效
    光锁相环电路

    公开(公告)号：KR100307885B1

    公开(公告)日：2001-10-29

    申请号：KR1019990020357

    申请日：1999-06-03

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 조재철 ,  최상삼 ,  김선호 ,  김상혁 ,  김동환 ,  김신근 ,  이재하

    IPC: H03L7/00

    Abstract: 본발명은광시분할방식의광통신에활용될수 있는광 위상동기루프회로에관한것으로, 입사하는광펄스신호와위상과주파수가동일한펄스열을재생시키는것을목적으로한다. 이러한광 위상동기루프회로는미리설정된제1 고주파신호를생성하는고주파발생기, 이고주파발생기에의해구동되어클럭광펄스를출사하는광원, 제2 고주파신호를생성하는전압제어발진기(voltage-controlled oscillator), 입사하는광펄스신호와클럭광펄스를혼합함으로써생성된광파만을필터링및 증폭하여제1 신호로변환하는제1 제어부, 고주파발생기와전압제어발진기로부터각기생성된제1 및제2 고주파신호를혼합하여저주파신호로하향변환하는다운-컨버터믹서(down-converter mixer), 제1 신호와저주파신호를각기전기적펄스신호로변환하는펄스변환기, 및펄스변환기로부터출력되는각각의전기적펄스신호의위상차를측정하여이 위상차에비례하는제어전압을출력하는제2 제어부를포함하여, 제어전압으로전압제어발진기를제어하여입사하는광펄스신호와제2 고주파신호를동기시키는것과광 클럭을안정되게구동시키는것을특징으로한다.

    반도체 광증폭기를 이득매체로 하는 능동형 모드 록킹된 고리형 반도체-광섬유 레이저
    74.
    发明授权
    반도체 광증폭기를 이득매체로 하는 능동형 모드 록킹된 고리형 반도체-광섬유 레이저 失效
    - 使用半导体光放大器作为增益介质的主动锁模光纤环形激光器

    公开(公告)号：KR100285009B1

    公开(公告)日：2001-03-15

    申请号：KR1019990014068

    申请日：1999-04-20

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김동환 ,  김상혁 ,  조재철 ,  김선호 ,  최상삼 ,  이재하

    IPC: H01S3/05

    Abstract: 본발명은반도체광증폭기를이득매체로하는능동형모드록킹된고리형반도체-광섬유레이저에관한것으로서, 본발명은광시분할방식광통신시스템에사용되는 10GHz 급의초고속광펄스열을발생시키기위하여소정전원을공급하는파워공급기와, 상기파워공급기로부터소정전원을공급받아이득매체역할을하는반도체광증폭기와, 상기반도체광증폭기가작동됨에따라레이저광의투과대 반사비율을 9:1로하여연속발진시키는출력커플러와, 단일편광상태로발진할수 있도록편광을조절하는편광조절기와, 레이저중심파장을원하는대역에서발진할수 있도록필터링하는파장가변필터와, 10GHz의 RF신호를발생하는 RF 신호발생기와, 상기 RF 신호발생기로부터 RF신호를공급받아십 수피코초수준의초단펄스열이발생되도록스위칭하는광세기변조기와, 레이저광이역방향궤환되는것을방지하는광고립기로이루어진다. 본발명에의하면종래의광섬유레이저에비해주위환경의섭동, 즉온도변화나진동에대한영향을덜 받게되어출력광펄스열의안정성을향상시킬수 있다.

    레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법
    75.
    发明授权
    레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법 失效
    使用激光雕刻设备的负面掩模形成方法

    公开(公告)号：KR1019970000700B1

    公开(公告)日：1997-01-18

    申请号：KR1019930011279

    申请日：1993-06-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 박경현 ,  김선호 ,  변영태 ,  김동환 ,  최상삼

    IPC: H01L21/308

    Abstract: Disclosed is negative mask manufacturing method which is essentially used for a semiconductor laser diode and a semiconductor waveguide etc. The negative mask manufacturing method comprises the steps of performing a first light exposure by using a laser lithography after performs spin coating with a photoresist(10) on a substrate coated with crom(Cr), developing after performs a second light exposure and deleting the photoresist(10) whose property is not changed, deleting the remained photoresist(10) after etching the crom in the part which the photoresist(10) is deleted. Thus, the mask manufacturing time is reduced.

    Abstract translation: 公开了基本上用于半导体激光二极管和半导体波导等的阴极掩模制造方法。负掩模制造方法包括以下步骤：在用光致抗蚀剂（10）进行旋涂之后通过使用激光光刻进行第一曝光， 在涂覆有crom（Cr）的基板上进行第二次曝光和显影，并且删除其性能没有变化的光致抗蚀剂（10），在蚀刻光刻胶（10）的部分中的crom之后，删除剩余的光致抗蚀剂（10） 被删除。 因此，掩模制造时间减少。

    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서
    80.
    发明公开
    탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서 无效
    制备碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法

    公开(公告)号：KR1020160080674A

    公开(公告)日：2016-07-08

    申请号：KR1020140193372

    申请日：2014-12-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 변영태 ,  김선호 ,  김재성 ,  이제행 ,  김신근

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L21/0273 ,  H01L2924/13061

    Abstract: 본발명은, a) 기판상에절연막을형성하는단계; (b) 상기절연막상의탄소나노튜브흡착영역에격자또는스트라이프형태의포토레지스트패턴을형성하는단계; (c) 상기포토레지스트패턴을따라상기절연막을식각(etching)하는단계; (d) 상기절연막이식각된기판에탄소나노튜브입자를흡착하는단계; (e) 상기탄소나노튜브가흡착된기판표면의포토레지스트패턴을제거하는단계; 및 (f) 상기포토레지스트패턴이제거된상기절연막상에전극을형성하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다.

    Abstract translation: 碳纳米管传感器的制造方法技术领域本发明涉及一种碳纳米管传感器的制造方法以及由此制造的碳纳米管传感器。碳纳米管传感器的制造方法包括以下步骤：（a）在基板上形成绝缘膜; （b）在绝缘膜的碳纳米管吸附区域中形成格子状或条状的光致抗蚀剂图案; （c）根据光致抗蚀剂图案蚀刻绝缘膜; （d）在蚀刻绝缘膜的基板上吸附碳纳米管粒子; （e）除去吸附有碳纳米管的基板表面的光致抗蚀剂图案; 和（f）在除去光致抗蚀剂图案的绝缘膜上形成电极。 本发明的目的是提供一种制造碳纳米管传感器和碳纳米管传感器的方法，该碳纳米管传感器能够沿固定方向排列碳纳米管。

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