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公开(公告)号：KR100930585B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020070100496
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/25759 , H04W88/10
Abstract: 본 발명은 외부로부터 수신되는 광신호를 전기신호로 변환하는 광전변환장치, 상기 변환된 전기신호를 주파수 대역에 따라 분리하는 제1 선택부, 상기 제1 선택부에서 분리된 신호 중 이동통신망 대역의 신호를 증폭하는 제1 이동 통신 대역 증폭기, 상기 제1 선택부에서 분리된 신호 중 기저대역 신호의 주파수를 광대역으로 상향하는 광대역 상향 변환기, 상기 광대역 상향 변환기에서 상향된 신호를 증폭하는 제1 광대역 증폭기 및 상기 광대역 증폭기 및 이동 통신 증폭기에서 증폭된 신호를 무선으로 송신하는 송신기를 포함하는 다중 대역 신호 분리 변환 장치를 제공할 수 있다.
다중 대역, 광통신, 광대역 통신 변환Abstract translation: 提供了一种用于分离和转换多频带信号的方法和设备。 该装置包括：光电转换器，用于将外部接收的光信号转换为电信号;第一开关，用于将转换后的电信号按照频带分离成信号;第一移动通信带通放大器，用于放大移动通信网络信号 由第一开关分离的信号;宽带上变频器，用于将由第一开关分离的信号的基带信号上变频为宽带信号;第一宽带放大器，用于放大从宽带上变频器输出的宽带信号; 以及发射器，用于无线发射由第一移动通信带通放大器和第一宽带放大器放大的信号。
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公开(公告)号：KR100734860B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050119285
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/26
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: Provided is an apparatus and method for simultaneous optical wavelength conversion and optical clock signal extraction using semiconductor optical amplifiers (SOAs). The apparatus includes: a wavelength converter receiving a pump beam having input information and a probe beam having a different wavelength from the pump beam, and outputting the pump beam with an overshoot shifted to a red wavelength and an undershoot shifted to a blue wavelength due to non-linear characteristics and self-phase modulation of semiconductor optical amplifiers (SOAs) and the probe beam delivered the input information from the pump beam; an optical divider dividing output paths of the probe beam to which the input information has been delivered and the pump beam having the overshoot and the undershoot; a converted-wavelength extractor filtering the probe beam received from the optical divider; and a clock data regenerator obtaining a pseudo return-to-zero (PRZ) signal from the pump beam received from the optical divider and extracting a clock signal from the PRZ signal. The apparatus and method can simultaneously perform wavelength conversion and optical clock signal extraction on an NRZ signal using an optical method, without converting the NRZ signal into an electrical signal.
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公开(公告)号：KR1020070059872A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056215
申请日：2006-06-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/12 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2301/185
Abstract: A distributed feedback quantum dot laser structure is provided to acquire stable single mode purity by dividing an upper electrode structure to reduce local carrier saturation and hole burning phenomena. A distributed feedback quantum dot laser structure(300) includes a first clad layer(320) on a lower electrode(310). An optical waveguide(330) is formed on the first clad layer(320). A grating structure layer(340) is formed on the optical waveguide(330) and includes a plurality of gratings(340a) arranged periodically. A first separate confinement hetero layer(345) is formed on the grating structure layer(340). An active layer(350) is formed on the first separate confinement hetero layer(345) and includes at least one quantum dot. A second separate confinement hetero layer(355) is formed on the active layer(350). A second clad layer(360) is formed on the second separate confinement hetero layer(355). An ohmic layer(370) is formed on the second clad layer(360). An upper electrode(380) is formed on the ohmic layer(370).
Abstract translation: 提供分布式反馈量子点激光器结构，通过分割上电极结构以减少局部载流子饱和度和空穴现象，获得稳定的单模纯度。 分布式反馈量子点激光器结构（300）包括在下电极（310）上的第一覆层（320）。 在第一覆盖层（320）上形成有光波导（330）。 在光波导（330）上形成光栅结构层（340），并且包括周期性排列的多个光栅（340a）。 第一分离的约束异质层（345）形成在光栅结构层（340）上。 活性层（350）形成在第一分离限制杂质层（345）上，并包括至少一个量子点。 在活性层（350）上形成第二分开的约束异质层（355）。 第二包层（360）形成在第二分离限制杂质层（355）上。 在第二覆层（360）上形成欧姆层（370）。 上电极（380）形成在欧姆层（370）上。
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公开(公告)号：KR100601046B1
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
완전광, 클럭, 재생, 루프, 레이저, 주입잠금-
公开(公告)号：KR1020060067130A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050064178
申请日：2005-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/0264 , G02B6/29361 , H01L27/153 , H01S5/0614
Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060067111A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050041287
申请日：2005-05-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 단일 집적 반도체 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 능동 및 수동 도파로 영역이 분리된 기판 상에 완충층을 형성하고, 상기 능동 도파로 영역의 완충층 상에 제1 활성층 및 제1 클래드층과, 상기 수동 도파로 영역의 완충층 상에 제2 활성층 및 제2 클래드층을 선택적 결정 성장하여 수직 정렬하는 단계와, 상기 제1 및 제2 클래드층 상부의 소정영역에 제1 및 제2 마스크를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 마스크를 이용하여 메사 형태의 능동 및 수동 도파로가 각각 형성되도록 상기 완충층의 소정깊이까지 식각하는 단계와, 상기 제2 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 소정두께의 제3 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 제1 마스크를 제거한 후 전체 구조의 상부에 제4 클래드층을 형성하는 단계를 포함함으로써, 도파 손실을 최대한 줄이 고 제작 공정도 단순화할 수 있는 효과가 있다.
단일 집적 반도체, 광소자, 수동 도파로, 능동 도파로-
公开(公告)号：KR1020050064649A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020040052017A
公开(公告)日：2004-06-19
申请号：KR1020020079735
申请日：2002-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3409 , H01S5/1003 , H01S5/34373
Abstract: PURPOSE: A semiconductor laser device and a method of manufacturing the same are provided to obtain high optical coupling efficiency without deterioration of optical characteristics. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an active waveguide(100a), a passive waveguide(100b) and a plurality of clad layers(130,155,160). The active waveguide(100a) is formed on the predetermined portion of the substrate(110). The passive waveguide(100b) is provided with a core layer(145). Each of the clad layers(130,155,160) is formed on the active waveguide(100a) and the passive waveguide(100b). And, a pair of separated confinement heterostructure(SCH) layers(115,125) are formed on top and below the core layer(120) of the active waveguide(100a).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体激光器件及其制造方法，以获得高的光耦合效率，而不会降低光学特性。 构成：半导体激光器件包括有源波导（100a），无源波导（100b）和多个包覆层（130,155,160）。 有源波导（100a）形成在基板（110）的预定部分上。 无源波导（100b）设置有芯层（145）。 每个包覆层（130,155,160）形成在有源波导（100a）和无源波导（100b）上。 并且，在有源波导（100a）的芯层（120）的上方和下方形成一对分离的限制异质结构（SCH）层（115,125）。
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公开(公告)号：KR1020020078189A
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020010018215
申请日：2001-04-06
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01S5/227 , H01L33/145 , H01S5/2205 , H01S5/2275
Abstract: PURPOSE: An optical device provided with a current protection layer with a buried ridge structure and a method for manufacturing the same are provided to realize a current protection effect with high a multi-layer waveguide. CONSTITUTION: An optical device provided with a current protection layer with a buried ridge structure includes active layers(402a,402b) formed in the form of mesa structure on an N type InP substrate(401), a first current protection layer(500) formed in the structure of PNP for covering the mesa structure and a second current protection layer(410) formed a buried ridge structure by arranging to encompass around the first current protection layer(500). The optical device basically employs a buried ridge structure as the current protection layers(410) by using a hydrogen ion implantation and further introduces the current protection layer(500) with the PNP structure for minimizing a leakage current in the region adjacent to the active layers(402a,402b).
Abstract translation: 目的：提供一种具有埋地脊结构的电流保护层的光学器件及其制造方法，以实现具有高多层波导的电流保护效果。 构成：设置有具有掩埋脊结构的电流保护层的光学器件包括在N型InP衬底（401）上形成为台面结构形式的有源层（402a，402b），形成第一电流保护层（500） 在用于覆盖台面结构的PNP的结构中，以及通过排列围绕第一电流保护层（500）形成掩埋隆起结构的第二电流保护层（410）。 该光学器件基本上采用埋置脊结构作为电流保护层（410），通过使用氢离子注入，并且进一步引入具有PNP结构的电流保护层（500），以最小化与有源层相邻的区域中的漏电流 （402A，402B）。
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公开(公告)号：KR100349662B1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1019990057255
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/32
Abstract: 본발명은산화알루미늄층을이용한전류차단구조와그를이용한양자점레이저다이오드의제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명의전류차단구조형성방법은제1 도전형기판상에제1 도전형제1클래딩층을형성하는제 1 단계, 상기제1클래딩층상부에자발적으로양자점활성층을성장시키는제 2 단계, 상기양자점활성층을산화마스크로이용하여상기제1클래딩층을산화시켜전류차단층을형성하는제 3 단계, 상기전류차단층을포함한양자점활성층상에제2 도전형제2클래딩층을형성하는제 4 단계, 상기제2 도전형제2클래딩층상에제2 도전형캡층을형성하는제 5 단계를포함하여이루어진다.
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