公开(公告)号：KR1020030013580A

公开(公告)日：2003-02-15

申请号：KR1020010047655

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  임종원 ,  박민 ,  김해천

IPC: H01L31/12

Abstract: PURPOSE: A photodetector is provided to minimize a tunneling leakage current and improve the capability of a light receiving chip in which the photodetector and a hetero-junction bipolar transistor are integrated into a single chip, by smoothly transferring the charges generated in a light absorbing layer. CONSTITUTION: The first conductive layer of the first conductivity type is formed in a predetermined region on a substrate(40). A light absorbing layer(43) is stacked on the first conductive layer. The second conductive layer of the second conductivity type is stacked on the light absorbing layer. The third conductive layer are formed between the first conductive layer and the light absorbing layer and between the light absorbing layer and the second conductive layer, decreasing a lattice match and a potential energy band difference between the two stack layers to make photoelectrons flow smoothly.

Abstract translation: 目的：提供一种光电检测器，以最小化隧道泄漏电流，并通过平滑地转移在光吸收层中产生的电荷，提高光接收芯片和异质结双极晶体管集成到单个芯片中的光接收芯片的能力 。 构成：第一导电类型的第一导电层形成在衬底（40）上的预定区域中。 光吸收层（43）层叠在第一导电层上。 第二导电类型的第二导电层堆叠在光吸收层上。 第三导电层形成在第一导电层和光吸收层之间，并且在光吸收层和第二导电层之间，减小了两个堆叠层之间的晶格匹配和势能带差，使得光电子流畅地流动。

公开(公告)号：KR100368323B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019990025142

申请日：1999-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  남은수 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gain-combined single mode semiconductor laser is provided to manufacture a single mode laser light source by epi-layer growth once. CONSTITUTION: A method for manufacturing a gain-combined with single mode semiconductor laser has following steps. An active layer(12) is formed on a substrate(13). The active layer(12) has a quantum wire(8) structure. A clad layer(11) is formed is formed on the active layer(12). A resistive electrode contact layer(10) is formed on the clad layer. A stripe electrode is formed in order to generate laser-resonator in a perpendicular direction to the quantum wire(8) on the resistive electrode contact layer(10), thereby manufacture a single mode laser light source by one crystal growth.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造增益组合单模半导体激光器的方法，以通过一次外延层生长来制造单模激光源。 构成：一种制造与单模半导体激光器组合的增益的方法具有以下步骤。 有源层（12）形成在衬底（13）上。 有源层（12）具有量子线（8）结构。 在有源层（12）上形成包覆层（11）。 电阻电极接触层（10）形成在包层上。 形成条形电极以便在与电阻性电极接触层（10）上的量子线（8）垂直的方向上产生激光谐振腔，由此通过一次晶体生长来制造单模激光源。

公开(公告)号：KR100319775B1

公开(公告)日：2002-01-05

申请号：KR1019990055705

申请日：1999-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/20

Abstract: 본발명은파장분할다중화방식의광통신시스템에서사용되는광원에파장흡수영역이다른 2개의모니터광검출기를단일칩 집적화하여각각의파장에서나오는광의출력을집적된 2개의광검출기로써상대적인각각의광전류를모니터함으로써파장의흔들림을검지하고그 결과를반도체레이저의구동부및 온도제어부로궤환시켜파장안정화의기능을갖는, 파장별 광세기를측정할수 있는모니터검출기가집적된반도체레이저에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020010058226A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990062442

申请日：1999-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  이중기 ,  장동훈

IPC: H01S5/20

Abstract: PURPOSE: A multiple wavelength semiconductor laser array module and manufacturing method is provided to supply high effective single chip multiple wavelength semiconductor laser light source by using several bragg optical fiber for light feedback and single wavelength selection. CONSTITUTION: A multiple wavelength semiconductor laser array emits several wavelength lights to be required to optical communication system of wavelength division multiplexing method. A several semiconductor optical amplifier(111) emits lights which is arranged at a module substrate(101) and is of stable force of light output by wavelength and is of small divergence angle. A several bragg optical fiber selects and makes a feedback a wavelength desired from output light emitted from semiconductor optical amplifier(111). The more narrow a horizontal direction width of an activated layer(201) which light of semiconductor optical amplifier(111) is made a waveguide is formed, the more it goes from rearward of the activated layer(201) to exit surface. A high reflection film is formed at the rearward of the activated layer(201), a non-reflection film at the exit surface of one.

Abstract translation: 目的：提供多波长半导体激光阵列模块及其制造方法，通过使用多个布拉格光纤进行光反馈和单波长选择，提供高效单芯片多波长半导体激光光源。 构成：多波长半导体激光器阵列发射波分复用方法的光通信系统所需要的几种波长光。 几个半导体光放大器（111）发射配置在模块基板（101）的光，并且具有由波长输出的光的稳定的力并具有小的发散角。 几个布拉格光纤从半导体光放大器（111）发射的输出光中选择并产生希望的波长。 形成半导体光放大器（111）的光被制成波导的激活层（201）的水平方向宽度越窄，从激活层（201）的后方到出射面越多。 在激活层（201）的后方形成高反射膜，在其出射面形成非反射膜。

公开(公告)号：KR100275532B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980038955

申请日：1998-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 리지(ridge) 형태의 갖는 반도체 레이저의 리지 양측에 동일한 간격을 두고 대칭적으로 이온주입영역을 형성하기 위한 고출력 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 공정에서 발생하는 이용하여 원하는 리지 폭을 얻음과 동시에 상부 양측을 동일한 폭으로 덮는 이온주입 마스크를 형성하고, 자동정렬 방법으로 이온을 주입하여 고차 발진을 억제하고 기본 발진에는 영향이 없는 이온주입 영역을 형성하는데 그 특징이 있다. 본 발명에 따라 리지 양측으로부터 일정한 폭을 갖는 언더컷(undercut)을 형성하여 리지 양측으로 동일 간격을 두고 리지를 중심으로 대칭으로 이온주입 영역을 형성 할 수 있게 된다. 따라서, 고 주입전류에서 발생하는 1차 고차 횡모드를 효과적으로 흡수함으로써 고출력 동작에서도 출력 빔이 휘는 현상을 방지하여 광 결합효율이 일정하게 유지되도록 한다. 이에 의해, 칩 및 모듈 특성을 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온주입 마스크를 형성하기 위한 별도의 포토레지스트 패턴 형성 공정을 생략할 수 있어 제조 단가를 절감시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000039391A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980054710

申请日：1998-12-12

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  남은수 ,  장동훈

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device is provided to select and output light wavelength accurately agreed with a preset WDM(wavelength division multiplex) wavelength in DBR range in no relation to the drive conditions of the laser device. CONSTITUTION: An oscillation wavelength selective semiconductor laser device comprises four areas(4a-4d) consisted of an individual p-electrode and an active layer. One of the four areas is a first reflection area in which continuous diffraction lattice is formed on a light wave guide. One of the four areas is a second reflection area on which periodic diffraction lattice is formed. One of the four areas is a light gain area formed between the first and second reflection areas. The other area of the four areas is a phase correction area formed between the first and second reflection areas.

Abstract translation: 目的：提供振荡波长选择半导体激光器件，以与激光器件的驱动条件无关地选择并输出与DBR范围内的预设WDM（波分复用）​​波长精确一致的光波长。 构成：振荡波长选择半导体激光器件包括由单独的p电极和有源层组成的四个区域（4a-4d）。 四个区域中的一个是在光波导上形成连续衍射格栅的第一反射区域。 四个区域中的一个是形成周期性衍射格栅的第二反射区域。 四个区域中的一个是形成在第一和第二反射区域之间的光增益区域。 四个区域的另一个区域是形成在第一和第二反射区域之间的相位校正区域。

公开(公告)号：KR100204568B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960063171

申请日：1996-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  남은수 ,  김홍만

IPC: G02B5/30

Abstract: 본 발명은 새로운 기능의 DFB(Distribute Feedback) 레이저(laser)와 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 집적소자에 관한 것으로, 집적된 파장 다중화 광통신용 광소자에 부분가열이 가능한 열원(local heater)을 추가하여 분포궤환 레이저의 파장을 가변할 수 있으며, 온도조절을 이용하여 광흡수층의 밴드갭을 조절함으로써 소광비를 크게하고 광손실을 줄이며 선폭확대계수를 최소로 조절할 수 있는 광변조기 집적소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100204567B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960063172

申请日：1996-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  남은수 ,  김홍만

IPC: G02B5/30

Abstract: 본 발명은 새로운 기능의 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 입출력 면에 고반사 박막을 형성하여 짧은 흡수층의 길이로 충분한 소광비를 얻을 수 있게 함으로써 소자의 정전용량(capacitance)을 최소화 하고 따라서 초고속 변조가 가능한 전계 흡수형 광변조기 및 그 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980045015A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960063172

申请日：1996-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  남은수 ,  김홍만

IPC: G02B5/30

Abstract: 본 발명은 새로운 기능의 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 입출력 면에 고반사 박막을 형성하여 짧은 흡수층의 길이로 충분한 소광비를 얻을 수 있게 함으로써 소자의 정전용량(capacitance)을 최소화 하고 따라서 초고속 변조가 가능한 전계 흡수형 광변조기 및 그 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR101988893B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020120144273

申请日：2012-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  문재경 ,  민병규 ,  박영락 ,  안호균 ,  김정진 ,  남은수

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301