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公开(公告)号：KR101329757B1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：KR1020100023167
申请日：2010-03-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/50
Abstract: 본 발명은 투명OLED 조명장치에 관한 것으로, 특히 투명OLED 조명장치 내에 불투명한 반사금속을 포함하여 빛의 조사 방향을 조절하기 위한 투명OLED 조명장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 투명OLED 조명장치는 투명기판; 상기 투명기판 상의 소정 영역에 형성되는 투명양극; 상기 투명기판 상의 소정 영역에 상기 투명양극과 인접하여 형성되는 반사양극; 상기 투명양극 및 상기 반사양극 상부에 형성되는 유기층; 상기 유기층 상부에 순차적으로 형성되는 투명음극 및 봉지기판을 포함하되, 상기 유기층에서 발광되는 빛의 조사방향은 상기 투명양극 및 상기 반사양극에 인가되는 전원의 유무에 따라 변동되는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 透明OLED照明装置技术领域本发明涉及一种透明OLED照明装置，更具体地说，涉及一种透明OLED照明装置，用于通过在透明OLED照明装置中包括不透明反射金属来调节光照方向。
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公开(公告)号：KR101315473B1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：KR1020090120621
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)-
公开(公告)号：KR1020130052216A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：KR1020110117539
申请日：2011-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/51
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to increase the life time of the thin film transistor by including a gate insulation layer with a first inorganic layer, an organic layer, and a second inorganic layer. CONSTITUTION: A source electrode(SE) is arranged on a base member. A drain electrode(DE) is separated from the source electrode on a plane. An active layer partially overlaps with the source electrode and the drain electrode on the plane. A gate electrode(GE) partially overlaps with the active layer on the plane. A gate insulation layer is arranged between the active layer and the gate electrode on a vertical surface, and includes a first inorganic layer(11), an organic layer(12), and a second inorganic layer(13) which are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，通过包括具有第一无机层，有机层和第二无机层的栅极绝缘层来增加薄膜晶体管的寿命。 构成：源极（SE）布置在基底上。 漏电极（DE）在平面上与源电极分离。 有源层与平面上的源电极和漏电极部分重叠。 栅电极（GE）与平面上的有源层部分重叠。 栅极绝缘层设置在垂直表面上的有源层和栅电极之间，并且包括依次层叠的第一无机层（11），有机层（12）和第二无机层（13）。
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公开(公告)号：KR101202734B1
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020090023364
申请日：2009-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 터치 스크린 및 그 동작 방법을 제공한다. 이 터치 스크린은 물체의 접근 또는 접촉을 감지하는 감지부, 감지부의 신호를 입력받아 피드백 신호를 출력하는 제어부, 및 제어부의 피드백 신호를 입력받아 접촉된 위치에 자기력을 이용하여 촉각 피드백을 주는 촉각 피드백부를 포함하되, 촉각 피드백은 자기 쌍극자(magnetic dipole)의 자기력을 이용한다.
자기 쌍극자, 자기력, 터치 스크린, 피드백, 촉각-
公开(公告)号：KR101163533B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020090030267
申请日：2009-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 강압 변환 시스템은, 외부로부터 제 1 전압을 입력받아 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압을 발생하는 전압 조절기, 및 상기 제 1 전압과 상기 제 2 전압으로 구동되는 상위 로직과 상기 제 1 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 포함하되, 상기 로직 회로는 상기 상위 로직 및 상기 하위 로직의 전력 소비를 조절할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른, 고전압과 구동 전압으로 구동되는 상위 로직 및 상기 구동 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 갖는 강압 변환 시스템의 강압 변환 방법은, 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일한 지 판별하는 단계, 및 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일하지 않을 때, 상기 상위 로직에서 사용되는 전하량과 상기 하위 로직에 사용되는 전하량이 동일하게 되도록 상기 상위 로직 혹은 상기 하위 로직의 비율을 가변하는 단계를 포함할 것이다.
강압, 전하 재활용, 선택, 상위, 하위-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101158751B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090028882
申请日：2009-04-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
IPC: G11C11/416 , G11C11/419 , G11C11/413 , G11C11/4193
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는, 데이터 버스라인쌍에 제 1 스윙전압을 제공하는 쓰기 드라이버, 상기 데이터 버스라인쌍을 입력 어드레스에 따라 선택된 비트라인쌍에 연결하는 컬럼 선택회로, 및 상기 선택된 비트라인쌍에 연결된 복수의 서브블록들을 포함하되, 상기 복수의 서브블록들 각각은, 상기 선택된 비트라인쌍의 상기 제 1 스윙 전압을 감지 증폭하여 제 2 스윙 전압을 생성하는 쓰기 감지기, 및 상기 제 2 스윙 전압을 제공받는 서브비트라인쌍에 연결되고, 상기 서브비트라인쌍의 상기 제 2 스윙 전압에 따라 데이터가 저장되는 복수의 메모리 셀들을 포함할 것이다.
반도체 메모리 장치, 전하 재활용, 읽기, 쓰기-
公开(公告)号：KR1020110134145A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053968
申请日：2010-06-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A memory cell and a memory device using the same are provided to improve integrity of the memory cell by reducing the number of wires for one memory cell. CONSTITUTION: A reference voltage is applied to a drain of a ferroelectric transistor. A first switch connects a source of the ferroelectric transistor to a first line(L1) in response to a scan signal. A second switch(TB) connects a gate of the ferroelectric transistor to a second line(L2) in response to the scan signal. The scan line is connected to the gate of the first switch and the second switch and applies the scan signal. A reference line is connected to the drain of the ferroelectric transistor.
Abstract translation: 目的：提供一种存储单元和使用该存储单元的存储器件，以通过减少一个存储器单元的导线数来改善存储单元的完整性。 构成：将参考电压施加到铁电晶体管的漏极。 第一开关响应于扫描信号将铁电晶体管的源极连接到第一线（L1）。 第二开关（TB）响应于扫描信号将铁电晶体管的栅极连接到第二线（L2）。 扫描线连接到第一开关和第二开关的栅极并施加扫描信号。 参考线连接到铁电晶体管的漏极。
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公开(公告)号：KR1020100066268A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090023364
申请日：2009-03-19
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/016
Abstract: PURPOSE: A touch screen and an operating method of the same are provided to locally provide pressure, a repulsive force, and vibrations when a user contacts the touch screen in a contract feedback unit using a magnetic force. CONSTITUTION: A sensing unit(150) senses the access or contact of an object. A control unit receives a signal from the sensing unit. The control unit outputs a feedback signal. A tactile feedback unit receives the feedback signal of the control unit. The tactile feedback unit applies tactile feedback using a magnetic force in a contacted position. A magnetic force of a magnetic dipole is used in the tactile feedback. The tactile feedback comprises a first magnetic unit(142) and a second magnetic unit(144).
Abstract translation: 目的：提供触摸屏及其操作方法，以在用户使用磁力在合同反馈单元中触摸触摸屏时局部地提供压力，排斥力和振动。 构成：感测单元（150）感测对象的访问或接触。 控制单元接收来自感测单元的信号。 控制单元输出反馈信号。 触觉反馈单元接收控制单元的反馈信号。 触觉反馈单元在接触位置使用磁力来应用触觉反馈。 在触觉反馈中使用磁偶极子的磁力。 触觉反馈包括第一磁性单元（142）和第二磁性单元（144）。
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公开(公告)号：KR1020100065025A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090026256
申请日：2009-03-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1266 , H01L27/1288 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor and a thin film transistor substrate are provided to improve a switching speed in an AC property and improve self-alignment. CONSTITUTION: A first doping area(121), a second doping area(122) and a channel area(123) are formed on a sacrificial layer of a first substrate and are formed as a semiconductor layer. The semiconductor layer is separated from the first substrate and is combined with a second substrate(201). An insulation layer(220) is formed on the second substrate and the semiconductor layer. A first photoresist layer is formed on the insulation layer. A first mask pattern is formed by exposing and developing the photo resist layer from the rear of the second substrate using the first doping area and the second doping area as a mask. A gate electrode(250) is overlapped with the channel area on the insulation layer using the first mask pattern as the mask. A source electrode(260) and a drain electrode(270) are connected to the first doping area and the second doping area.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管和薄膜晶体管基板的方法，以提高AC特性中的切换速度并改善自对准。 构成：在第一衬底的牺牲层上形成第一掺杂区域（121），第二掺杂区域（122）和沟道区域（123），并形成半导体层。 半导体层与第一衬底分离并与第二衬底（201）组合。 在第二基板和半导体层上形成绝缘层（220）。 在绝缘层上形成第一光致抗蚀剂层。 通过使用第一掺杂区域和第二掺杂区域作为掩模，从第二衬底的后部曝光和显影光致抗蚀剂层来形成第一掩模图案。 使用第一掩模图案作为掩模，将栅电极（250）与绝缘层上的沟道区域重叠。 源电极（260）和漏电极（270）连接到第一掺杂区域和第二掺杂区域。
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公开(公告)号：KR1020100050238A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109438
申请日：2008-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F28D15/04 , F28D15/0233
Abstract: PURPOSE: A thin type cooling device is provided to overcome the limit of the electric heat performance related to the thickness by laminating a first or a third thin plate. CONSTITUTION: A first thin plate(100) comprises an evaporator and a condenser. A capillary tube area is located in the evaporator. A plurality of grooves are formed in the capillary tube area. The evaporator vaporizes the working fluid. The condenser has the vapor condensation space for condensing the vaporized working fluid. A second thin plate(200) has the vapor moving path for transferring the vaporized working fluid to the condenser. A third thin plate(300) has the liquid channel for transferring the condensed working fluid to the evaporator.
Abstract translation: 目的：提供一种薄型冷却装置，通过层压第一或第三薄板来克服与厚度相关的电热性能的极限。 构成：第一薄板（100）包括蒸发器和冷凝器。 毛细管区域位于蒸发器中。 在毛细管区域中形成多个槽。 蒸发器蒸发工作流体。 冷凝器具有用于冷凝蒸发的工作流体的蒸气冷凝空间。 第二薄板（200）具有用于将蒸发的工作流体转移到冷凝器的蒸气移动路径。 第三薄板（300）具有用于将冷凝的工作流体传送到蒸发器的液体通道。
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