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公开(公告)号：KR1020080011616A
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060072412
申请日：2006-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01G5/00
CPC classification number: H03B5/1243 , H03B5/1293
Abstract: An apparatus having a variable capacitor circuit with linear capacitance variation is provided to obtain linear variable capacitance within the whole control voltage range by implementing the variable capacitor circuit through parallel connection of a plurality of varactor diodes having different capacitances to control voltage. An apparatus having a variable capacitor circuit with linear capacitance variation includes a plurality of variable varactor diodes(Var-1~Var-n). The plurality of varactor diodes are connected to each other in parallel, and have different capacitances with respect to inputted control voltage(Vc). The sum of variable capacitances of the plurality of varactor diodes with respect to the same voltage level of the control voltage varied within the whole control voltage range has linearity.
Abstract translation: 提供一种具有线性电容变化的可变电容电路的装置，通过并联连接多个具有不同电容的变容二极管来实现可变电容器电路以控制电压，从而在整个控制电压范围内获得线性可变电容。 具有线性电容变化的可变电容电路的装置包括多个可变变容二极管（Var-1〜Var-n）。 多个变容二极管并联连接，相对于输入的控制电压（Vc）具有不同的电容。 多个变容二极管相对于在整个控制电压范围内变化的控制电压的相同电压电平的可变电容的总和具有线性。
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公开(公告)号：KR1020080006983A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：KR1020060066409
申请日：2006-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03J3/185 , H03B5/1253 , H03B5/1265 , H03B5/1293 , H03B2200/0048 , H03B2200/005 , H03J7/045 , H03J2200/10 , H03J2200/36 , H03L7/099 , H03L2207/06
Abstract: A linear variable-capacitance module and an LC resonance circuit using the same are provided to have more accurate variable frequency characteristics without switching of a varactor. A number of variable capacitance devices(421-42N) have different linear variable regions on a voltage axis. One ends of the variable capacitance devices are connected in common and receive a control voltage. The other ends of the variable capacitance devices are applied with different fixed voltage. Each variable capacitance device is a varactor. The control voltage is applied to anodes of the varactors, and different fixed voltage is applied to cathodes of the varactors.
Abstract translation: 提供一种线性可变电容模块和使用该线性可变电容模块的LC谐振电路，以具有更准确的可变频率特性而不需要变容二极管的切换。 许多可变电容器件（421-42N）在电压轴上具有不同的线性可变区域。 可变电容器件的一端共同连接并接收控制电压。 可变电容器件的另一端施加不同的固定电压。 每个可变电容器件是变容二极管。 将控制电压施加到变容二极管的阳极，并将不同的固定电压施加到变容二极管的阴极。
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公开(公告)号：KR100652899B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020030097262
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 RF 프론트-앤드(front-end) 송수신기에 관한 발명이다. 특히, 주파수 합성기 제어에 의해 신호처리 주파수 밴드의 재구성이 가능한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들에 관한 것이다.
본 발명은 RF 프론트-앤드 수신기, 기저대역 처리기 및 RF 프론트-앤드 송신기를 포함하는 송수신기에 있어서, 상기 RF 프론트-앤드 수신기는 발진기, 수신 증폭기 및 수신 믹서를 포함하고, 상기 RF 프론트-앤드 송신기는 송신 믹서 및 송신 증폭기를 포함하고, 상기 발진기는 주파수 제어신호에 의하여 출력 주파수가 제어되고, 상기 수신 증폭기, 수신 믹서, 송신 믹서, 송신 증폭기 중 적어도 하나는 상기 주파수 제어신호에 의하여 공진 주파수가 제어되는 송수신기를 제공한다. 또한 이 송수신기에 사용될 수 있는 구성요소들을 제공한다.
본 발명에 의한 직접 변환 RF 프론트-앤드 송수신기 및 그 구성요소들은 안테나로부터 입력되는 여러 주파수 대역에 대해서 공진 주파수를 가변할 수 있도록 함으로써, 한 개의 시스템 하드웨어로 멀티 밴드 또는 광대역의 신호 주파수를 처리할 수 있 한다는 장점이 있다.
송수신기, 직접 변환, 증폭기, 믹서, RF 프론트-앤드.-
公开(公告)号：KR100576542B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020010047547
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F27/25
Abstract: 본 발명은 높은 충실도(Quality; Q)를 갖는 집적형 인덕터에 관한 것으로, 본 발명의 집적형 인덕터는 일방향으로 감긴 나선형 제 1 라인과 접점을 통해 상기 제 1 라인에 접속되며 상기 제 1 라인에 인접하여 역방향으로 감긴 나선형 제 2 라인으로 이루어진 하나의 금속배선으로 구성되며, 상기 제 1 라인과 제 2 라인에 서로 다른 반대 방향의 전류가 흐르도록 하여 반대 방향의 자기장이 발생하므로 전체적인 인덕터의 자기장이 상쇄되어 기판으로 영향을 주는 자기장의 성분이 감소한다.
인덕터, 금속배선, 충실도, 나선형, 자기장-
公开(公告)号：KR100528145B1
公开(公告)日：2005-11-15
申请号：KR1020020081680
申请日：2002-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/097
Abstract: 본 발명은 전압제어발전기가 내장되어 저전력을 구현하면서도 다중밴드 시스템에 적합한 주파수 합성기를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다중밴드용 주파수 합성기는 주파수/위상 검출기, 전하펌프 회로, 저역통과필터, 전압제어발진기, 밴드선택용 나누기 회로, 채널선택용 나누기 회로를 포함한다.
밴드선택용 나누기회로는 전압제어 발진기의 전압제어 주파수를 밴드 선택비로 나누어 원하는 밴드 주파수를 출력하고, 채널선택용 나누기 회로는 밴드 선택용 나누기 회로로부터 출력되는 밴드 주파수를 채널 선택비로 나누어 주파수/위상 검출기에 입력되는 피드백 주파수를 생성한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100507522B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020020081679
申请日：2002-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/08
Abstract: 본 발명은 주파수/위상 검출기의 리셋을 위한 지연신호에 삽입되는 지연시간을 최소화하기 위해, 제작 공정이나 온도 등 여러 가지 변화 조건에 따라 주파수/위상 검출기와 전하펌프 회로의 전달 지연 시간이나 전류 스위칭 시점 등의 변화를 정확히 예측하여 주파수/위상 검출기의 리셋을 위한 지연신호에 삽입되는 지연 시간을 반영한다. 본 발명의 따른 주파수 합성기는 기준 주파수와 전압제어발진기로부터 피드백되어 입력되는 제1 주파수를 수신하여, 기준 주파수와 제1 주파수에 대응하여 제1 제어신호 및 제2 제어신호를 출력하는 주파수/위상 검출기; 주파수/위상 검출기로부터 출력되는 제1 제어신호 및 제2 제어신호에 응답하여, 저역통과필터로 들어가는 제1 전류와 저역통과필터로부터 나오는 제2 전류를 출력하는 전하펌프 회로; 및 전하펌프 회로의 제1 전류와 제2 전류가 동시에 흐르는 시점을 검출하고, 검출된 시점에 주파수/위상 검출기를 리셋시키기 위한 지연신호를 주파수/위상검출기에 출력하는 전류검출기를 포함하며, 상기 전하펌프 회로는, 제1 전류 및 제2 전류를 흐르게 하는 전류 셀; 및 전류 셀에 흐르는 제1 전류와 제2 전류를 복제한 전류 복제 회로를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100398048B1
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020010078268
申请日：2001-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
CPC classification number: H03M7/3022 , H03L7/1978
Abstract: The present invention relates to a structure of a delta-sigma factional divider. The divider structure adds an external input value and an output value of a delta-sigma modulator to modulate a value of a swallow counter. Therefore, the present invention can provide a delta-sigma factional divider the structure is simple and that can obtain an effect of a delta sigma mode while having a wide-band frequency mixing capability.
Abstract translation: 本发明涉及一种德耳塔西格玛派别分配器的结构。 分频器结构添加外部输入值和Δ-Σ调制器的输出值以调制吞咽计数器的值。 因此，本发明可以提供一种Δ-Σ分数分频器，其结构简单并且可以获得ΔΣ模式的效果，同时具有宽带混频能力。
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公开(公告)号：KR1020030053282A
公开(公告)日：2003-06-28
申请号：KR1020010083458
申请日：2001-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
Abstract: PURPOSE: An even order term harmonic frequency multiplier is provided to expand the bandwidth of a frequency and reduce harmonic components of the remaining order terms except for even order terms by using a frequency multiplier. CONSTITUTION: A harmonic frequency multiplier of an even order term includes a phase integrator(21), a memory(22), a digital/analog converter(23), a low pass filter(24), and a frequency multiplier(25). The phase integrator generates a period signal corresponding to a frequency control signal received from the outside. The memory is used for storing a trigonometric function value corresponding to the output of the phase integrator. The digital/analog converter is used for converting the trigonometric function value to an analog signal. The low pass filter is used for removing components of harmonics from a radio frequency of the digital/analog converter. The frequency multiplier is used for attenuating the basic components of harmonics from an output signal of the low pass filter in order to generate the higher frequency than the frequency of the output of the low pass filter.
Abstract translation: 目的：提供偶次序谐波倍频器来扩展频率的带宽，并通过使用倍频器来减少除偶数阶项之外的剩余阶数项的谐波分量。 构成：偶数阶项的谐波倍频包括相位积分器（21），存储器（22），数字/模拟转换器（23），低通滤波器（24）和倍频器（25）。 相位积分器产生对应于从外部接收的频率控制信号的周期信号。 存储器用于存储与相位积分器的输出对应的三角函数值。 数字/模拟转换器用于将三角函数值转换为模拟信号。 低通滤波器用于从数字/模拟转换器的射频去除谐波的分量。 倍频器用于从低通滤波器的输出信号衰减谐波的基本分量，以产生比低通滤波器的输出频率更高的频率。
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公开(公告)号：KR1020030013195A
公开(公告)日：2003-02-14
申请号：KR1020010047553
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A high-Q poly-to-poly capacitor structure for RF ICs is provided to reduce an area of a lower electrode plate to lower parasitic capacitance by using an interdigit structure. CONSTITUTION: A lower electrode plate(23) of a capacitor is formed on a silicon substrate(21). The lower electrode plate(23) is formed with the first polysilicon layer. An upper electrode plate(25) is formed on the lower electrode plate(23). The upper electrode plate(25) is formed with the second polysilicon layer. The upper electrode plate(25) is connected with the first metal layer(28) through a plurality of contacts(27). A contact/the first metal layer/via layer(27/28/29) are sequentially laminated on the lower electrode plate(23). The second metal layer(31) is connected with the via layer(29). The first and the second metal layers(28,31) are connected to each other by using the via layer(29). The lower electrode plate(23) and the upper electrode plate(25) are formed within silicon oxide layers(22,24,26,30). The contact(29) and the first metal layer(28) are formed within the silicon oxide layers(22,24,26,30).
Abstract translation: 目的：提供用于RF IC的高Q多聚电容器结构，以通过使用叉指结构来减小下电极板的面积以降低寄生电容。 构成：在硅衬底（21）上形成电容器的下电极板（23）。 下电极板（23）形成有第一多晶硅层。 上电极板（25）形成在下电极板（23）上。 上电极板（25）形成有第二多晶硅层。 上电极板（25）通过多个触点（27）与第一金属层（28）连接。 接触/第一金属层/通孔层（27/28/29）依次层压在下电极板（23）上。 第二金属层（31）与通孔层（29）连接。 第一和第二金属层（28,31）通过使用通孔层（29）彼此连接。 下电极板（23）和上电极板（25）形成在氧化硅层（22,24,26,30）内。 接触（29）和第一金属层（28）形成在氧化硅层（22,24,26,30）内。
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公开(公告)号：KR100345446B1
公开(公告)日：2002-07-26
申请号：KR1019990060412
申请日：1999-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본발명은결합된인덕터(coupled inductor)를이용하여고주파에서의정확한 D2S 및 S2D를보장하고, 상기결합된인덕터와병렬로커패시터를접속함으로써병렬공진에의해원하는주파수에서보다큰 임피던스를얻어 D2S 및 S2D 변환시의구동손실을제거할수 있는단일신호및 차동신호간의상호변환회로를제공하기위하여, 단일신호및 차동신호간 상호변환회로에있어서, 중앙의연결점에전원전압이연결된좌우의권수가같은제1 결합된인덕터; 상기제1 결합된인덕터의양단이, 각각의게이트와연결된차동쌍공통소스형구조의제1 및제2 N형트랜지스터를포함하여, 상기제1 결합된인덕터의일측에인가된신호전압에응답된역전압을상기제1 결합된인덕터의타측에생성하고, 상기제1 및제2 N형트랜지스터를통해쌍전류가생성되도록구성함을특징으로하며, 반도체회로등에이용됨.
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