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公开(公告)号：KR1020150060328A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144632
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/208 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L29/7869
Abstract: 본발명은산화물반도체형성방법을제공한다. 이산화물반도체형성방법은금속원자를포함한화합물및 용매를혼합하여혼합용액을제조하는단계, 상기혼합용액에기판을담그는단계, 상기혼합용액에초음파를조사하여상기기판상에산화물반도체를형성하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种形成氧化物半导体的方法。 形成氧化物半导体的方法包括：将包含金属原子和溶剂的化合物混合以制造混合溶液的步骤; 将基板浸渍在混合溶液中的步骤; 以及向所述混合溶液中照射超声波以在所述基板上形成氧化物半导体的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140135588A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020130127995
申请日：2013-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 것, 게이트 전극이 형성된 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 것, 상기 게이트 절연막 상에 제 1 도전층을 형성하는 것, 상기 제 1 도전층 상에 제 2 도전층을 형성하는 것, 상기 제 2 도전층 상에 상기 게이트 전극 일측의 소스 영역에서 제 1 두께를 갖는 제 1 영역, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 타측의 드레인 영역에서 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 포함하는 제 1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 1 포토 레지스트 패턴을 사용하며 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 제 1 영역의 상기 레지스트는 남기면서 상기 제 2 영역의 상기 레지스트는 제거하여 제 2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 제 2 포토 레지� �트 패턴을 사용하여 상기 제 2 도전층을 식각하는 것, 상기 기판 상에 네가티브형의 레지스트를 도포하는 것, 배면 노광하여 상기 게이트 전극 상의 상기 네가티브형의 레지스트를 제거하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 도전층을 식각하는 것, 상기 게이트 전극 상의 상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 것, 상기 산화물 반도체층이 형성된 상기 기판 상에 보호층을 형성하는 것, 상기 보호층 상에 평탄층을 형성하는 것 을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管的方法。 制造薄膜的方法包括以下步骤：在衬底上形成栅电极; 在其上形成有栅电极的基板上形成栅极绝缘体; 在所述栅极绝缘体上形成第一导电层; 在所述第一导电层上形成第二导电层; 在所述第二导电层上形成包括第一区域和第二区域的第一光致抗蚀剂图案，其中所述第一区域在所述栅极电极的一侧的源极区域上具有第一厚度，并且所述第二区域具有小于 栅电极上的第一厚度和栅电极另一侧的漏区; 使用第一光致抗蚀剂图案蚀刻第一导电层和第二导电层; 通过在第一区域上留下抗蚀剂并除去第二区域上的抗蚀剂来形成第二光致抗蚀剂图案; 使用第二光致抗蚀剂图案蚀刻第二导电层; 在衬底上施加负性抗蚀剂; 通过背面曝光从栅电极去除负光刻胶; 蚀刻栅电极上的第一导电层; 在栅电极上的栅极绝缘体上形成氧化物半导体层; 在形成有氧化物半导体层的基板上形成保护层; 并在保护层上形成平坦化层。
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公开(公告)号：KR1020140076111A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144276
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78696 , H01L29/0665
Abstract: A transistor according to an embodiment of the present invention may include an oxide semiconductor layer with a nano-layered structure. The oxide semiconductor layer may include at least one first nano-layer and at least on second nano-layer. The first nano-layer and the second nano-layer are alternately stacked. A channel with higher electron mobility at the interface between the first nano-layer and the second nano-layer as the first nano-layer and the second nano-layer contain different materials. The transistor of the present invention may have high reliability.
Abstract translation: 根据本发明实施例的晶体管可以包括具有纳米层状结构的氧化物半导体层。 氧化物半导体层可以包括至少一个第一纳米层和至少第二纳米层。 第一纳米层和第二纳米层交替堆叠。 在第一纳米层和第二纳米层之间的界面处作为第一纳米层和第二纳米层含有不同材料的具有较高电子迁移率的通道。 本发明的晶体管可以具有高的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020140076106A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120144265
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/51
Abstract: A transistor according to one embodiment of the present invention includes an active layer and a gate insulating layer which touches the active layer. The active layer and the gate insulating layer include the same oxide. The oxygen content of the oxide of the gate insulating layer is higher than the oxygen content of the oxide of the active layer. Because the active layer and the gate insulating layer have the same material, high charge mobility in the active layer is obtained in driving the transistor. In manufacturing the transistor, the active layer and the gate insulating layer are formed by depositing the same material in the same sputtering chamber while changing oxygen partial pressure ratios.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的晶体管包括接触有源层的有源层和栅极绝缘层。 有源层和栅极绝缘层包括相同的氧化物。 栅极绝缘层的氧化物的氧含量高于有源层的氧化物的氧含量。 由于有源层和栅极绝缘层具有相同的材料，因此在驱动晶体管时获得有源层中的高电荷迁移率。 在制造晶体管时，通过在相同的溅射室中沉积相同的材料同时改变氧气分压比来形成有源层和栅极绝缘层。
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公开(公告)号：KR1020140066878A
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120133471
申请日：2012-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/66757 , H01L29/41733
Abstract: Provided are a self-aligned thin film transistor capable of improving the operation speed and stability, and minimize the size at the same time by forming self-aligned source and drain electrodes and a manufacturing method thereof. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor manufacturing method comprises: a step of successively forming an active layer, a gate insulating film, and a gate layer on a substrate; a step of forming a photosensitive pattern to define the shape of a gate electrode on the gate layer; a step of successively etching the gate layer, the gate insulating film, and the active layer using the photosensitive pattern; a step of depositing source and drain layers on the etched substrate in a deposition method with directivity; and a step of forming the gate electrode and self-aligned source and drain electrodes by removing the photosensitive pattern.
Abstract translation: 本发明提供一种能够提高操作速度和稳定性的自对准薄膜晶体管，并且通过形成自对准源极和漏极同时使尺寸最小化及其制造方法。 根据本发明的实施例，薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上依次形成有源层，栅极绝缘膜和栅极层的步骤; 形成感光图案以限定栅极层上的栅电极的形状的步骤; 使用感光图案连续地蚀刻栅极层，栅极绝缘膜和有源层的步骤; 以具有指向性的沉积方法在蚀刻的衬底上沉积源极和漏极层的步骤; 以及通过去除感光图案形成栅电极和自对准源电极和漏电极的步骤。
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公开(公告)号：KR1020130130610A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120127619
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/3241 , G09F9/301 , G09G3/3208 , H01L27/3274 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/566
Abstract: In the present invention, disclosed are a dual mode display device and a manufacturing method thereof. The dual mode display device includes a bottom substrate, a first bottom electrode which is formed on the bottom substrate, an optical switching layer which is formed on the first bottom electrode, a first top electrode which is formed on the optical switching layer, a protection layer which is formed on the first top electrode layer, a contact plug which is connected to the first top electrode and passes through the protection layer, a second bottom electrode which is formed on the contact plug and the protection layer, an organic light emitting layer which is formed on the second bottom electrode, a second top electrode which is formed on the organic light emitting layer, and a top substrate which is formed on the second top electrode.
Abstract translation: 在本发明中，公开了双模显示装置及其制造方法。 双模显示装置包括底部基板，形成在底部基板上的第一底部电极，形成在第一底部电极上的光学开关层，形成在光学开关层上的第一顶部电极，保护层 形成在第一顶部电极层上的层，与第一顶部电极连接并通过保护层的接触插塞，形成在接触插塞和保护层上的第二底部电极，有机发光层 其形成在第二底部电极上，形成在有机发光层上的第二顶部电极和形成在第二顶部电极上的顶部基板。
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公开(公告)号：KR1020130038722A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103231
申请日：2011-10-10
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
CPC classification number: H02M3/073 , G09G3/3696 , H02M2003/077
Abstract: PURPOSE: A direct current voltage conversion circuit of a liquid crystal display device is provided to correspond to the dispersion of broad threshold voltage by applying positive gate source voltage when turning on a TFT(Thin Film Transistor), and applying negative gate source voltage when turning off the TFT. CONSTITUTION: A main pumping circuit part(710) comprises multiple TFTs(M1-M8). The multiple TFTs are turned on and off by turns. A main pumping circuit part outputs voltage for driving a liquid crystal display device. A switch control signal generating part(720) controls the voltage applied to the gate of multiple thin film transistors with a clock signal inversion.
Abstract translation: 目的：提供液晶显示装置的直流电压转换电路，以便在开启TFT（薄膜晶体管）时施加正栅极源电压，并在转动时施加负栅极源电压，以对应于宽阈值电压的偏差 关掉TFT。 构成：主泵电路部分（710）包括多个TFT（M1-M8）。 多个TFT轮流打开和关闭。 主泵电路部分输出用于驱动液晶显示装置的电压。 开关控制信号生成部（720）通过时钟信号反转来控制施加到多个薄膜晶体管的栅极的电压。
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公开(公告)号：KR101252294B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020090061100
申请日：2009-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 투명 정보 전달 윈도우는 투명한 상태에서 정보의 디스플레이가 가능하므로, 시야를 방해하지 않으면서도 다양한 정보를 공간적 제약 없이 디스플레이 할 수 있다. 또한, 사람들의 휴대 단말기로 디스플레이 정보를 무선으로 전송할 수 있으며, 이에 따라 해당 디스플레이 장소를 벗어나게 되더라도 사람들은 자신의 휴대 단말기를 통해 상품에 대한 자세한 정보를 제공받을 수 있다.
투명, 디스플레이, 무선, 윈도우, 정보-
公开(公告)号：KR1020120138254A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020100104744
申请日：2010-10-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 패컬티 오브 사이언스 앤드 테크놀로지 유니버시티 오브 뉴 리스본
Inventor： 박상희 , 황치선 , 변춘원 , 엘비라엠씨포르투나토 , 로드리고에프피마틴즈 , 아나알엑스바로스 , 누노에프오코레이아 , 페드로엠씨바르퀸하 , 비토엠엘피게이레두
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L27/1203 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to easily develop transparent or opaque devices using a P type oxide film. CONSTITUTION: A gate electrode(22), a gate insulation layer(23), and a matching layer(24) are successively formed on a substrate(21). A channel layer(25,30) is formed on the matching layer. An insulation layer(26) is formed on the sidewalls of the gate electrode, the gate insulation layer, the matching layer, and the channel layer. Source and drain electrodes(27) are formed on both ends of the channel layer. A contact plug(28) is formed on the upper side of the source and drain electrodes.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以便容易地利用P型氧化物膜开发透明或不透明的器件。 构成：在基板（21）上依次形成栅电极（22），栅极绝缘层（23）和匹配层（24）。 在匹配层上形成通道层（25,30）。 绝缘层（26）形成在栅电极，栅极绝缘层，匹配层和沟道层的侧壁上。 源极和漏极（27）形成在沟道层的两端。 在源极和漏极的上侧形成接触插塞（28）。
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公开(公告)号：KR1020110073179A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100034643
申请日：2010-04-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/203 , H01L21/786
CPC classification number: H01L21/02266 , H01L21/31111 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film transistor using a reactive sputtering method is provided to form an insulation layer by a reactive sputtering method, thereby reducing physical damage to a substrate. CONSTITUTION: Source and drain electrodes, a channel layer(30), a gate insulation layer(40), and a gate electrode(50) are formed on a substrate. The substrate includes a flexible substrate. An insulation layer is patterned. The temperature of the substrate is maintained up to 300°C at room temperature when the substrate is deposited during the process of forming the insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用反应溅射法制造氧化物薄膜晶体管的方法，通过反应溅射法形成绝缘层，从而减少对基板的物理损伤。 构成：在基板上形成源极和漏极，沟道层（30），栅极绝缘层（40）和栅极（50）。 衬底包括柔性衬底。 图案化绝缘层。 当在形成绝缘层的过程中沉积衬底时，衬底的温度在室温下保持高达300℃。
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