公开(公告)号：GB2497641A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：GB201221473

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： DEMUYNCK DAVID ALAN ,  CZABAJ BRIAN MATTHEW ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

Abstract: The composite beam 34 comprises multiple layers of metal and metal oxide. A single anisotropic reactive ion etch step is used to ensure that the edges of the beam layers are self aligned. Sacrificial oxide material 44 from around the beam is removed via the vent 48 using HF or xenon difluoride etchant. The MEMS beam may be used in a MEMS switch for mode switching of power amplifiers or analogue and mixed signal applications.

公开(公告)号：GB2489859A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：GB201212589

申请日：2011-01-12

Applicant: IBM

Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  LINDGREN PETER J ,  SPROGIS EDMUND J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/768

Abstract: A method of manufacturing an integrated circuit structure forms a first opening in a substrate (100; Figure 1) and lines the first opening with a protective liner. (102) The method deposits a material into the first opening (104) and forms a protective material over the substrate. The protective material includes a process control mark and includes a second opening above, and aligned with, the first opening. (108) The method removes the material from the first opening through the second opening in the protective material. (110) The process control mark comprises a recess within the protective material that extends only partially through the protective material, such that portions of the substrate below the process control mark are not affected by the process of removing the material.

公开(公告)号：GB2366077A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：GB0105197

申请日：2001-03-02

Applicant: IBM

Inventor： GEFFKEN ROBERT M ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L29/92

Abstract: A metal capacitor is formed as part of metal dual damascene process in the making of a wafer. A lower plate (27) of the capacitor is sandwiched between an insulating layer (25) and a dielectric layer (29). The insulating layer on an opposite side abuts a layer of metallization (23, 24) and the dielectric layer separates the lower plate of the capacitor from an upper plate (59) of the capacitor. A portion (27A) of the lower plate projects into a via (37) adjacent to it that is filled with copper (63) and possibly a barrier layer (51A). The via projects up to a common surface with the upper plate but is electrically isolated from the upper plate. The via also extends down to the layer of metallization. The capacitor may include a high-k dielectric. Methods of making the capacitor are described.

公开(公告)号：SG63828A1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：SG1998000565

申请日：1998-03-14

Applicant: IBM

Inventor： CRONIN JOHN E ,  HARTSWICK THOMAS J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L27/01

Abstract: The preferred embodiment of the present invention provides increased conductivity between interlevel interconnection lines. The preferred embodiment uses sidewall spacers on the sides of the interconnection lines to increase the contact area between interconnection lines and interconnect studs. This increase in area improves connection resistance and allows further device scaling without unacceptable decreases in the conductivity of the connection, and without adding significant expense in the fabrication process.

公开(公告)号：DE102012223968B4

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102012223968

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02

Abstract: Verfahren, das aufweist:- Bilden von wenigstens einer festen Elektrode (14) auf einem Substrat (10);- Bilden eines Arms (45) eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) mit einer von oben auf den MEMS-Arm (45) gesehen entlang der Länge des MEMS-Arms (45) variierenden Breitenabmessung über der wenigstens einen festen Elektrode (14);- Bilden von Aktuatorerhöhungen (22a) aus Isolatormaterial, die sich von einer Oberfläche des MEMS-Arms (45) in Richtung des Substrats (10) erstrecken,- wobei die Höhe der Aktuatorerhöhungen (22a) und der Abstand der Aktuatorerhöhungen (22a) voneinander entlang der Länge des MEMS-Arms (45) in Abhängigkeit von der Steifheit des MEMS-Arms (45) variieren.

公开(公告)号：DE112011102130B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE112011102130

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM

Inventor： DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: Verfahren zum Bilden mindestens eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), aufweisend:Bilden einer unteren Verdrahtungsschicht auf einem Substrat (10);Bilden mehrerer diskreter parallel zueinander verlaufender Leiter (14) aus der unteren Verdrahtungsschicht, wobei die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen ersten Ende durch einen ersten Verbindungsleiter, der senkrecht zu den parallel zueinander verlaufende Leitern (14) verläuft, verbunden sind, und wobei Längen der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) von einem außenliegenden der Leiter (14) der so geschlitzten Leiterstruktur zu einem anderen außenliegenden Leiter (14) der geschlitzten Leiterstruktur suksessive zunehmen,Bilden eines zweiten Verbindungsleiters, der die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) an einem jeweiligen zweiten Ende der parallel zueinander verlaufende Leiter (14) miteinander verbindet, und wobei der erste Verbindungsleiter und der zweite Verbindungsleiter jeweils eine Breite aufweist, die geringer ist als eine Breite eines der parallel zueinander verlaufenden Leiter (14), wobei eine untere Kondensatorplatte des MEMS durch die parallel zueinander verlaufenden Leiter (14) sowie den ersten und den zweiten Verbindungsleiter gebildet wird, undBilden eines MEMS-Elektrodenarms über den mehreren parallel zueinander verlaufender Leitern (14), wobei der MEMS-Elektrodenarm eine obere Kondensatorplatte des MEMS aufweist.

公开(公告)号：DE112012001816B4

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：DE112012001816

申请日：2012-03-14

Applicant: IBM

Inventor： JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H02N1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00 ,  H05K13/00

Abstract: Verfahren zum Bilden einer MEMS-Struktur, aufweisend:Strukturieren einer Verdrahtungsschicht auf einem Substrat, um feste Aktuator-Elektroden und einen Kontaktpunkt zu bilden;Bilden eines Opfermaterials auf der Verdrahtungsschicht;Strukturieren des Opfermaterials mit einem Array von Gräben über der Verdrahtungsschicht, wobei die Gräben auf eine vorbestimmte Höhe und Breite dimensioniert sind;Füllen des Arrays von Gräben mit Material;Bilden eines MEMS-Balkens über dem gefüllten Array von Gräben und in Kontakt mit dem Material in dem Array von Gräben;Bilden von zusätzlichem Opfermaterial über dem MEMS-Balken;Bilden eines Deckels über dem zusätzlichen Opfermaterial über dem MEMS-Balken;Bilden mindestens eines Austreiblochs in dem Deckel; undAustreiben des Opfermaterials unter dem MEMS-Balken und des zusätzlichen Opfermaterials über dem MEMS-Balken derart, dass das Material in dem Array von Gräben von einer Unterseite des MEMS-Balkens frei hängt, um ein Array von Aktuator-Höckern mit der vorbestimmten Höhe und Breite zu bilden.

公开(公告)号：GB2506770B8

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：GB201321363

申请日：2010-08-12

Applicant: IBM ,  RF MICRO DEVICES INC

Inventor： ANDERSON FELIX P ,  MCDEVITT THOMAS LEDDY ,  STAMPER ANTHONY K ,  COSTA JULIO CARLOS ,  HAMMOND JONATHAN HALE

IPC: B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H01H1/00

公开(公告)号：GB2494355B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：GB201300041

申请日：2011-06-15

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

IPC: B81C1/00 ,  H01H57/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes patterning a wiring layer to form at least one fixed plate and forming a sacrificial material on the wiring layer. The method further includes forming an insulator layer of one or more films over the at least one fixed plate and exposed portions of an underlying substrate to prevent formation of a reaction product between the wiring layer and a sacrificial material. The method further includes forming at least one MEMS beam that is moveable over the at least one fixed plate. The method further includes venting or stripping of the sacrificial material to form at least a first cavity.

公开(公告)号：DE112012001816T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001816

申请日：2012-03-14

Applicant: IBM

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER V

IPC: H02N1/00 ,  H05K13/00

Abstract: Es werden Strukturen mikroelektro-mechanischer Systeme (MEMS-Strukturen), Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren zum Bilden einer MEMS-Struktur schließt ein Bilden fester Aktuator-Elektroden (115) und eines Kontaktpunkts auf einem Substrat ein. Das Verfahren schließt außerdem ein Bilden eines MEMS-Balkens (100) über den festen Aktuator-Elektroden und dem Kontaktpunkt ein. Das Verfahren schließt außerdem ein Bilden eines Arrays von Aktuator-Elektroden (105') in Ausrichtung mit Abschnitten der festen Aktuator-Elektroden ein, die so groß und so dimensioniert sind, dass sie verhindern, dass der MEMS-Balken nach wiederholter periodischer Betätigung auf den festen Aktuator-Elektroden nachgibt. Das Array von Aktuator-Elektroden wird in direktem Kontakt mit mindestens einem von einer Unterseite des MEMS-Balkens und einer Oberfläche der festen Aktuator-Elektroden gebildet.