公开(公告)号：DE102014108913A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014108913

申请日：2014-06-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDOW CHRISTIAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  VAN TREEK VERA

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: Eine Bipolartransistorvorrichtung 100 mit isoliertem Gate umfasst ein Halbleitersubstrat, das einen Driftbereich 112 einer Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate umfasst. Ferner umfasst die Bipolartransistorvorrichtung 100 mit isoliertem Gate eine erste Nanodrahtstruktur 120 und eine erste Gatestruktur 130. Die erste Nanodrahtstruktur 120 der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate ist mit dem Driftbereich 112 verbunden. Ferner erstreckt sich die erste Gatestruktur 130 der Bipolartransistorstruktur mit isoliertem Gate entlang wenigstens eines Abschnitts der ersten Nanodrahtstruktur 120.

公开(公告)号：DE102014103049A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103049

申请日：2014-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  WOLTER FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  GAWLINA-SCHMIDL YVONNE

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Transistorvorrichtung (1000) in einem Halbleitersubstrat (100) umfasst eine erste Hauptoberfläche (110) und eine Transistorzelle. Die Transistorzelle umfasst einen Driftbereich (120) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Bodybereich (130) eines zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem Driftbereich (120) und der ersten Hauptoberfläche (110), einen aktiven Trench (1100) in der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt, einen Sourcebereich (140) des ersten Leitfähigkeitstyps in dem Bodybereich (130) benachbart zu dem aktiven Trench (1100) und einen Bodytrench (1200) an der ersten Hauptoberfläche (110), der sich in den Driftbereich (120) erstreckt und benachbart zu dem Bodybereich (130) und dem Driftbereich (120) ist. Der aktive Trench (1100) umfasst eine Gateisolierschicht (1130) an Seitenwänden (1110) und an einer Bodenseite (1120) sowie eine Gateleiterschicht (1140). Der Bodytrench (1200) umfasst eine leitende Schicht (1260) und eine isolierende Schicht (1250) an Seitenwänden (1210) und einer Bodenseite (1240) asymmetrisch zu einer senkrechten Achse der ersten Hauptoberfläche (110) und der Bodytrenchmitte.

公开(公告)号：DE102014101239A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101239

申请日：2014-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/328 ,  H01L29/36

Abstract: Es ist ein bipolarer Halbleiterschalter (100) mit einem Halbleiterkörper (40) angegeben. Der Halbleiterkörper (40) enthält ein erstes p-dotiertes Halbleitergebiet (2), ein zweites p-dotiertes Halbleitergebiet (4) und ein erstes n-dotiertes Halbleitergebiet (1), das einen pn-Übergang (14) mit dem ersten p-dotierten Halbleitergebiet (2) und eine zweiten pn-Übergang (16) mit dem zweiten p-dotierten Halbleitergebiet (4) bildet. Auf einem kürzesten Weg (s) durch das erste n-dotierte Halbleitergebiet (1) zwischen dem ersten pn-Übergang (14) und dem zweiten pn-Übergang (16) variieren eine Konzentration von Ladungsrekombinationszentren und eine Konzentration von n-Dotierstoffen. Die Konzentration der Ladungsrekombinationszentren weist ein Maximum an einem Punkt entlang des kürzesten Wegs (s) auf, an dem die Konzentration von n-Dotierstoffen mindestens nahe an einer maximalen Dotierstoffkombination liegt. Ferner wird ein Herstellungsverfahren für den bipolaren Halbleiterschalter (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102005023479B4

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：DE102005023479

申请日：2005-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  SILBER DIETER

IPC: H01L29/74

公开(公告)号：DE10214176B4

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：DE10214176

申请日：2002-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KARTAL VELI ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/26 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102005011873B4

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102005011873

申请日：2005-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SIEMIENIEC RALF ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

公开(公告)号：DE102008039743A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008039743

申请日：2008-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMES REINER ,  SILBER DIETER ,  CHUKALURI ESWAR ,  PFIRSCH FRANK

IPC: H01L29/74 ,  H01L25/11

Abstract: The thyristor (100) has a p-doped emitter (8), an n-doped base (7), a P-doped base (6) and an n-doped main emitter (5) arranged in a vertical direction (v) in a semiconductor body (1). An ignition stage structure is arranged between an ignition device (BOD) and the main emitter and comprises an ignition stage (AG3) with an n-doped ignition stage emitter (53). The ignition stage has a conductor structure (43) with conductor segments (M3), which are distanced from each other. The conductor segments electrically contact the n-doped ignition stage emitter and the P-doped base. An independent claim is also included for a switch arrangement including a control connecting device.

公开(公告)号：DE102008039742A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008039742

申请日：2008-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  SILBER DIETER ,  BARTHELMESS REINER ,  CHUKALURI ESWAR KUMAR

IPC: H01L29/74

Abstract: The thyristor has a semiconductor body (1), where an ignition stage area (ZS) with ignition stages (ZS1,ZS2,ZS3) and a main cathode area (HB) are arranged between an ignition area (Z) and a lateral edge of the semiconductor body in a lateral direction (r1) going out from the ignition area. The ignition stages are electrically coupled with the succeeding ignition stages or with the main cathode area by non-ohmic impedance (Z-fb). The non-ohmic impedance is connected between two successive ignition stages on the semiconductor body in the lateral direction. An independent claim is included for a circuit configuration, which has a housing.

公开(公告)号：DE102004047626B4

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102004047626

申请日：2004-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE

IPC: H01L29/74

公开(公告)号：DE102007057728A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：DE102007057728

申请日：2007-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  BARTHELMESS REINER

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334 ,  H01L23/60 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78