公开(公告)号：JP2005346954A

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：JP2004162102

申请日：2004-05-31

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： SAKAI TADASHI ,  ONO TOMIO ,  SAKUMA HISASHI ,  YOSHIDA HIROAKI ,  SUZUKI MARIKO

IPC: H01J61/06 ,  H01J1/00 ,  H01J1/05 ,  H01J1/14 ,  H01J1/308 ,  H01J61/067 ,  H01J61/073

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J61/0677 ,  H01J61/0737

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a first discharge electrode achieving both high-efficiency secondary electron emission and long life, as well as a discharge lamp using the same.
SOLUTION: The first discharge electrode is equipped with an electron emission layer made of a wide forbidden band-width semiconductor substrate 1. The first discharge electrode defines a convex part (a rectangular parallelepiped column) R
i, j-2 , R
i, j-1 , R
i, j with an upper end face opposing a second discharge electrode and side walls to be faces not seen from a vertical direction of the upper end face, and is equipped with the electron emission layer, in which dangling bonds on the surface of the wide forbidden band-width semiconductor substrate 1 exposed to the side walls of the rectangular parallelepiped column R
i, j-2 , R
i, j-1 , R
i, j are terminated with hydrogen 3.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供实现高效二次电子发射和长寿命的第一放电电极以及使用该放电电极的放电灯。 解决方案：第一放电电极配备有由宽禁带宽半导体衬底1制成的电子发射层。第一放电电极限定凸部（矩形平行六面体柱）R i，j- 2 ，R i，j-1 ，R SB，i，j ，上端面与第二放电电极相对， 上端面的垂直方向，并且配备有电子发射层，其中暴露于长方体柱R SB的侧壁上的宽禁带宽半导体衬底1的表面上的悬挂键 ，j-2，R i，j-1，R i，j-1，R SB，i，j，...用氢3终止。（C） JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004253382A

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：JP2004033335

申请日：2004-02-10

Applicant: Hewlett-Packard Development Co Lp ,  ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.

Inventor： CHEN JOHN ,  LIAO HUNG ,  GOVYADINOV ALEXANDER

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J19/24 ,  H01J21/06 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emitting means which can be operated more stably. SOLUTION: The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12. The method of electron emission includes a step in which a voltage is impressed on the electron source 12 and the electron source 12 is made to generate thermoelectrons, and a step in which an electric field is impressed and at least a part of thermoelectrons is emitted from the electron source 12. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP2003500795A

公开(公告)日：2003-01-07

申请号：JP2000618998

申请日：2000-05-12

Applicant: ユニヴェルシテ・クロード・ベルナール・リヨン・プルミエ

Inventor： ジャン−ピエール・デュパン ,  バン・ヴュー・ティアン ,  ポール・テヴェナール

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/308 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/308

Abstract: (57)【要約】 本発明によれば、真空で電子を抽出する方法が、電子タンクの役割をする金属（７）とｎ型半導体（８）との間で、十分の数エレクトロンボルトの表面ポテンシャル障壁の高さを持つ電子放出面を有し、１〜２０ｎｍの厚さの少なくとも一つの接合部（９）を有するカソードを構成し、金属／半導体の接合部（９）を通して電子を注入することにより、金属（７）のフェルミレベルに対して１ｅＶ以下の値まで半導体の表面ポテンシャル障壁を下げるのに十分な空間チャージを半導体（８）に形成し、真空中に電界を形成するバイアス源を用いてｎ型半導体の表面ポテンシャル障壁（Ｖ
ｐ ）の高さを制御することにより、アノードへの電子流の放出を調整することからなる。

公开(公告)号：TW201530601A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103106200

申请日：2014-02-25

Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

Inventor： 柳鵬 ,  LIU, PENG ,  李德杰 ,  LI, DE-JIE ,  張春海 ,  ZHANG, CHUN-HAI ,  周段亮 ,  ZHOU, DUAN-LIANG ,  杜秉初 ,  DU, BING-CHU ,  范守善 ,  FAN, SHOU-SHAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484 ,  Y10S977/939

Abstract: 本發明涉及一種電子發射源，其包括：依次層疊設置的一第一電極，一半導體層，一絕緣層及一第二電極，其中，所述電子發射源還包括設置於所述半導體層與所述絕緣層之間的一電子收集層，所述電子收集層為一導電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。

公开(公告)号：KR100708717B1

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：KR1020050095487

申请日：2005-10-11

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 손승현 ,  김기영

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/63

CPC classification number: H01J63/08 ,  G02F1/133602 ,  G02F2001/133625 ,  H01J1/308 ,  H01J29/481 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02

Abstract: 본 발명의 목적은 구동전압을 낮출 수 있고, 발광효율을 향상시킬 수 있는 새로운 전자 방출 발광 소자와 이를 구비한 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 재현성과 신뢰성을 가지면서 나노 갭을 형성할 수 있는 새로운 구조의 전자 방출 발광 소자를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 소정 두께의 공핍층이 형성된 PN 접합 다이오드; 상기 PN 접합 다이오드의 공핍층에 대향하여 소정 간격을 두고 배치된 애노드 전극; 및 상기 애노드 전극의 전방에 형성된 형광체층을 포함하는 전자 방출 발광 소자와 이를 이용한 평판 디스플레이 장치를 제공한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种能够降低驱动电压并提高发光效率的新型电子发射发光器件及具有该电子发射器件的平板显示装置。 本发明的另一个目的是提供一种具有能够以可再现性和可靠性形成纳米间隙的新型结构的电子发射器件。 为此，本发明提供了一种具有在其中形成的具有预定厚度的耗尽层的PN结二极管; 阳极电极，所述阳极电极设置在距所述PN结二极管的耗尽层预定距离处; 以及形成在阳极前面的荧光层，以及使用该荧光层的平板显示装置。

公开(公告)号：KR1020070040123A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：KR1020050095487

申请日：2005-10-11

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 손승현 ,  김기영

IPC: H01J1/308 ,  H01J1/63

CPC classification number: H01J63/08 ,  G02F1/133602 ,  G02F2001/133625 ,  H01J1/308 ,  H01J29/481 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02

Abstract: Provided are a light emitting device using electron emission with a low driving voltage and high luminous efficiency, and a flat display apparatus using the light emitting device. In addition, a light emitting device using electron emission in which with a nano-sized gap can be formed with repeatability and have reliability is provided. The light emitting device includes: a plurality of PN junctions (34), each including a depletion layer having a predetermined thickness; an anode electrode (12) facing the depletion layer and separated from the depletion layer by a predetermined distance; and a phosphor layer (13) formed on a surface of the anode electrode. The flat display apparatus includes the light emitting device.

公开(公告)号：KR1020060064564A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020057022295

申请日：2004-09-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다쯔미,나쯔오 ,  니시바야시,요시끼 ,  이마이,다까히로

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2237/06325 ,  H01J2237/3175

Abstract: Disclosed is an electron emitter which is smaller in size, lower in operating voltage, and high in efficiency than the conventional ones. Also disclosed is an electron beam source using such an electron emitter. The electron emitter comprises a light- emitting element for irradiating a cathode with light, and at least electron-emitting surface of the cathode is composed of diamond. By having such a structure, the voltage for extracting electrons can be greatly lowered in this electron emitter than the conventional ones. Namely, there is obtained a small-sized electron emitter which can be operated at low voltage. The above-mentioned light-emitting element is preferably formed integrally with the cathode. The light-emitting element and the electrode are preferably composed of diamond. Further, it is desirable that the electron-emitting surface of the cathode is composed of an n-type or p-type diamond semiconductor.

Abstract translation: 公开了一种电子发射器，其尺寸较小，工作电压较低，效率高于常规电子发射器。 还公开了使用这种电子发射体的电子束源。 电子发射器包括用于用光照射阴极的发光元件，并且至少阴极的电子发射表面由金刚石构成。 通过具有这样的结构，在电子发射器中提取电子的电压可以大大降低。 即，可以获得能够在低电压下工作的小型电子发射体。 上述发光元件优选与阴极一体形成。 发光元件和电极优选由金刚石构成。 此外，期望阴极的电子发射表面由n型或p型金刚石半导体组成。

公开(公告)号：KR100306104B1

公开(公告)日：2001-09-29

申请号：KR1019997003671

申请日：1998-08-25

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 아키야마고지 ,  구로카와히데오

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J2329/00

Abstract: 전자를방출하는이미터부를구비한전자방출소자(100)에있어서, 상기이미터부가적어도제1 도전성전극(102)상에제1 반도체층(103), 제2 반도체층(104), 절연체층(105) 및제2 도전성전극(106)이순차적층된구조를갖으며, 상기제1 및제2 반도체층이탄소, 실리콘, 게르마늄중의적어도 1종류이상을주성분으로하며, 동시에제1 반도체층이탄소원자, 산소원자, 질소원자중의상기주성분과는다른 1종류이상을함유한다.

公开(公告)号：KR20180000735A

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：KR20177036600

申请日：2016-05-21

IPC: H01J31/50 ,  G02B21/12 ,  H01J1/34 ,  H01J29/38 ,  H01J31/26 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J1/3044 ,  H01J1/34 ,  H01J2201/3423 ,  H01L27/14831 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107

Abstract: 광전음극은광전자방출을향상시키도록실리콘기판상에일체형으로형성된전계이미터어레이(FEA), 및산화를방지하도록 FEA의외측표면바로위에배치된얇은붕소층을이용한다. 전계이미터는 2차원의주기적인패턴으로배치된다양한형상(예컨대, 피라미드또는둥근수염형태)을갖는돌출부에의해형성되고, 역방향바이어스모드에서동작하도록구성될수 있다. 선택적인게이트층이방출전류를제어하도록제공된다. 선택적인제2 붕소층이조명(상부) 표면상에형성되고, 선택적인반사방지재료층이제2 붕소층상에형성된다. 선택적인외부전위가양 측의조명표면과외측표면사이에발생된다. n 타입실리콘전계이미터와 p-i-n 포토다이오드필름의선택적인조합이특별한도핑계획에의해그리고외부전위를인가함으로써형성된다. 광전음극은센서및 검사시스템의일부를형성한다.

Abstract translation: 光电阴极使用在硅衬底上整体形成的场发射体阵列（FEA）以改善光电子发射，并且使用直接设置在FEA外表面上的薄硼层来防止氧化。 电场测量仪由具有以二维周期性图案布置的各种形状（例如金字塔形或圆形晶须）的突起形成，并且可以被配置为以反向偏压模式操作。 提供可选的栅极层来控制发射电流。 在照明（顶部）表面上形成选择性的磷2硼层，并且现在在两个硼层上形成选择性的抗反射材料层。 并且在照明表面与选择性外部电位施加侧的外表面之间产生。 n型硅场发射器和p-i-n光电二极管膜的可选组合通过特殊的掺杂方案并通过施加外部电势形成。 光电阴极构成了传感器和检测系统的一部分。

公开(公告)号：KR101710793B1

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020150104400

申请日：2015-07-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조용훈 ,  조종회 ,  김제형

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/308 ,  H01J9/025 ,  H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/54

Abstract: 본발명은, 본발명은전자방출체, 이의제조방법및 이를포함하는발광장치에관한것으로, 보다구체적으로, 적어도일부분에나노구조체가형성된반도체웨이퍼를포함하는전자방출체에관한것이다. 본발명은, 대면적의전자방출체를제공할수 있고, 전자주입방식으로구동가능할뿐 아니라발광효율이개선된발광장치를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子发射器及其制造方法，以及包括该发光装置的发光装置，更具体地说，涉及一种包括在其至少一部分形成有纳米结构的半导体晶片的电子发射器。 本发明能够提供大面积的电子发射体，并且还能够提供具有改善的发光效率并且可以通过电子注入法操作的发光装置。