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    크롬 표면의 캐소딕 부식 방지 방법
    81.
    发明授权
    크롬 표면의 캐소딕 부식 방지 방법 有权
    铬表面的阴极防腐蚀保护

    公开(公告)号：KR101658757B1

    公开(公告)日：2016-09-21

    申请号：KR1020167001230

    申请日：2014-06-17

    Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

    Inventor： 피르만크리슈티나 ,  하르트만필립 ,  바흐터필립 ,  크레치머슈테판

    IPC: C25D5/48 ,  C25D9/04 ,  C25D9/08

    CPC classification number: C23F13/02 ,  C25D5/14 ,  C25D5/48 ,  C25D9/04 ,  C25D9/08 ,  C25D11/36

    Abstract: 본발명은, 크롬표면을가지는기재, 및니켈, 니켈합금들, 구리및 구리합금들을포함하는군에서선택된, 기재와크롬표면사이적어도하나의중간층의캐소딕부식방지방법에관한것으로, 상기크롬표면은, 상기기재, 적어도하나의애노드및 수용액으로전류를통과시키면서인을함유한적어도하나의화합물을포함하는수용액과접촉되고상기기재는캐소드로서역할을한다. 인화합물은바람직하게 RR2R3P03 유형의포스폰산이고, R 은 n-옥틸, n-노닐, n-데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, 비치환된분지형 C8 ~ C18 알킬잔기들로구성된군에서선택되고, R2 및 R3 은 H 또는 Li+, Na+, K+ 및 NH4+ 에서선택된적합한카운터이온이다. 수용액은또한포스폰산의용해도를높이는적어도하나의첨가제를포함한다.

    Abstract translation: 本发明中，具有铬表面的衬底，和镍，涉及镍合金，选择的铜和铜合金中包含haneungun，基材和防止铬的阴极腐蚀过程中，铬表面的表面之间的至少一个中间层 所述基材，至少一个阳极和包含至少一种含磷的化合物的水溶液通过所述水溶液，所述基材用作所述阴极。 该化合物是优选RR2R3P03类型的膦酸，R是正辛基，正壬基，正癸基，正十一烷基，正十二烷基，正十三烷基，正十四烷基，正十五烷基 基，正十六烷基，正十七烷基，正十八烷基，沙滩选自未取代的支链C8〜C18烷基残基的组中选择，R 2和R 3是H或Li +，钠+，K +和NH 4从选择了合适的+ 这是一个反面离子。 水溶液还包含至少一种增强膦酸溶解度的添加剂。

    기판상의 수직방향 갈바닉 금속 성막을 위한 디바이스
    83.
    发明授权
    기판상의 수직방향 갈바닉 금속 성막을 위한 디바이스 有权
    在基板上垂直的金属金属沉积的装置

    公开(公告)号：KR101613406B1

    公开(公告)日：2016-04-29

    申请号：KR1020157019240

    申请日：2013-12-03

    Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

    Inventor： 바인홀트라이 ,  비너페르디난트

    IPC: C25D17/00 ,  C25D17/08 ,  C25D17/12

    CPC classification number: C25D5/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  C25D17/12

    Abstract: 본발명은, 기판상의수직방향갈바닉금속, 바람직하게는구리성막을위한디바이스로서, 상기디바이스는적어도제 1 디바이스요소및 제 2 디바이스요소를포함하고, 디바이스요소들은수직방식으로서로평행하게배치되고, 상기제 1 디바이스요소는복수의관통도관들을갖는적어도제 1 애노드요소및 복수의관통도관들을갖는적어도제 1 캐리어요소를포함하고, 상기적어도제 1 애노드요소및 상기적어도제 1 캐리어요소는서로확고하게연결되고, 상기제 2 디바이스요소는처리될적어도제 1 기판을수용하도록되어있는적어도제 1 기판홀더를포함하고, 상기적어도제 1 기판홀더는처리될상기적어도제 1 기판을수용한후에그의외부프레임을따라처리될상기적어도제 1 기판을적어도부분적으로둘러싸고, 상기적어도제 1 디바이스요소의상기제 1 애노드요소와상기제 2 디바이스요소의상기적어도제 1 기판홀더사이의거리가 2 내지 15 ㎜인, 디바이스에관한것이다. 또한, 본발명은일반적으로, 그러한디바이스를사용하여기판상에수직방향갈바닉금속을성막하기위한방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于垂直电镀金属沉积在诸如晶片（优选铜）的衬底上的器件，其中该器件包括以彼此平行的垂直方式布置的第一器件元件和第二器件元件，其中 第一装置元件包括第一阳极元件和第一载体元件，它们都具有多个贯穿导管并彼此牢固地连接; 并且其中所述第二装置元件包括适于接收至少第一待处理基板的第一基板保持器，其中所述第一基板保持器在接收之后沿其外框部分地或完全地围绕所述第一基板; 并且其中所述第一器件元件的第一阳极元件与所述第二器件元件的所述第一衬底保持器之间的距离为2至15mm。 此外，本发明一般涉及使用这种装置在基板上垂直电偶金属沉积的方法。

    다층 적층체의 제조를 위한 실란 조성물의 용도
    90.
    发明授权
    다층 적층체의 제조를 위한 실란 조성물의 용도 有权

    公开(公告)号：KR101520506B1

    公开(公告)日：2015-05-14

    申请号：KR1020097011169

    申请日：2008-04-04

    Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

    Inventor： 휠스만,토마스 ,  스파링,크리스챤 ,  브루너,헤이코 ,  프로에쎄,베른드

    IPC: B32B15/20 ,  B32B7/04 ,  B32B27/26 ,  H05K3/38

    Abstract: 인쇄 회로 기판과 같은 다층 적층제의 제조 방법으로, 상기 방법은 전기 전도성 물질의 표면을 접착제로서 실란 조성물을 함유하는 용액과 접촉하게 함에 의해 전도성 물질과 유전체 물질의 층 사이에 접착하는 접착제의 연이은 형성을 위하여 전기 전도성 물질을 처리하는 단계를 포함한다. 상기 실란 조성물은 (A-1) 식 A(
    4_X )SiB
    x (여기서 A는 가수분해성 기이고, x는 1 내지 3이고, 그리고 B는 상세한 설명에 정의된 바와 같다)을 갖는 실란 커플링제; (A-2) 식 X-{B-[R-Si(A)
    3 ]
    z }
    x (여기서 X는 5 내지 10 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 탄화수소쇄이고, B는 2가 또는 3가 헤테로 원자이고, A는 가수분해성 기이고 R, z 및 x는 상세한 설명에 정의된 바와 같다)를 갖는 실란 커플링제; (A-3) 식 Si(OR)
    4 (여기서 R은 수소, 알킬, 아릴, 아르알킬, 알릴 또는 알케닐)를 갖는 테트라오르가노 실란 커플링제; (A-4) 식 SiO
    2 ·x M
    2 O (여기서 x는 1 내지 4이고, M은 알칼리 금속 또는 암모늄 이온이다)에 의해 특징화되는 수용성 실리케이트 커플링제; 및 (B) 콜로이드성 실리카로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 커플링제를, (a) 화합물 (A-3) 또는 (A-4) 중 적어도 하나가 존재하면, 상기 콜로이드성 실리카 (B)는 임의적이고; (b) 화합물 (A-3) 또는 (A-4) 중 어느 것도 존재하지 않으면, 상기 콜로이드성 실리카 (B)는 필수적이고; 및 (c) 실란 조성물은 하나 이상의 화합물 (A-1) 및 (A-2)를 포함하는 것을 조건으로 하면서 포함한다. 본 발명은 추가로 다층 회로 기판의 제조 를 위한 실란 조성물의 사용과 생성된 다층 회로 기판을 제공한다.
    적층체, 실란 조성물, 다층, 커플링제, 가교제

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