公开(公告)号：KR1020100009029A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：KR1020080069700

申请日：2008-07-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  홍창기 ,  손윤호 ,  정주영

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/24

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a device of uniform resistance density by forming seamless metal wiring on a tungsten layer of a semiconductor substrate through tungsten regrowth. CONSTITUTION: A first inter-layer dielectric(245) is formed on a semiconductor substrate(200). A contact hole is formed in the first inter-layer dielectric. A seamless tungsten layer is formed in the contact hole. A regrowth tungsten layer(283) containing oxygen is formed on the tungsten layer. A second inter-layer dielectric(250) surrounds the regrowth tungsten layer on the first inter-layer dielectric.

Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，通过在钨再生长的半导体衬底的钨层上形成无缝金属布线来制造均匀的电阻密度的器件。 构成：在半导体衬底（200）上形成第一层间电介质（245）。 在第一层间电介质中形成接触孔。 在接触孔中形成无缝钨层。 在钨层上形成含有氧的再生长钨层（283）。 第二层间电介质（250）围绕第一层间电介质上的再生长钨层。

公开(公告)号：KR1020100006646A

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：KR1020080066858

申请日：2008-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  홍창기 ,  심현준 ,  손윤호

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/11541 ,  H01L27/11548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal wiring pattern by regrowing tungsten is provided to form a device with high integrity by forming a metal wiring structure on a tungsten plug through the regrowth of the tungsten without a photolithography process. CONSTITUTION: A first interlayer insulating film(110) is formed on a semiconductor substrate(100). The first interlayer insulation film is planarized. A contact hole is formed for making a metal wiring layer. A tungsten plug layer(130) is deposited on an upper side of a barrier metal(120). The tungsten plug layer is planarized. The tungsten plug layer is regrown by a plasma oxidation or RTA(Rapid Thermal Annealing) process. A second interlayer insulation film(150) is formed on the first interlayer insulation film and the regrown tungsten layer(140). The second interlayer insulation film is planarized. The regrown tungsten layer is grown based on the tungsten plug layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过再生钨形成金属布线图案的方法，以通过在钨插入件的再生长上形成金属布线结构而形成具有高完整性的器件，而无需光刻工艺。 构成：在半导体衬底（100）上形成第一层间绝缘膜（110）。 第一层间绝缘膜被平坦化。 形成用于制造金属布线层的接触孔。 钨屏蔽层（130）沉积在阻挡金属（120）的上侧。 钨塞层平坦化。 钨丝塞层通过等离子体氧化或RTA（快速热退火）工艺重新生长。 在第一层间绝缘膜和再生钨层（140）上形成第二层间绝缘膜（150）。 第二层间绝缘膜被平坦化。 基于钨塞层生长再生钨层。

公开(公告)号：KR1020080098799A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：KR1020070044114

申请日：2007-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임종흔 ,  홍창기 ,  윤보언 ,  신성호 ,  윤성규 ,  최석헌

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B9/065 ,  H01L21/02057

Abstract: Polishing of the separated semiconductor substrate can be reduced by removing firstly the corner of the separated semiconductor substrate. The playback frequency of the separated semiconductor substrate can be increased by minimizing thickness reduction of the separated semiconductor substrate. The interlayer insulating film covering the first semiconductor substrate is formed. A second semiconductor substrate(104b) having the second part on the first area and the first area is adhered to the interlayer insulating film on the interlayer insulating film. The second semiconductor substrate of the second part is cut and separated. The first polishing is performed on the second semiconductor substrate corner(BE2) of the separated second part. The second polishing is performed on the front side of the second semiconductor substrate of the second part having the first polished corner.

Abstract translation: 可以通过首先移除分离的半导体衬底的角部来减少分离的半导体衬底的抛光。 可以通过最小化分离的半导体衬底的厚度减小来增加分离的半导体衬底的重放频率。 形成覆盖第一半导体基板的层间绝缘膜。 具有第一区域上的第二部分和第一区域的第二半导体衬底（104b）粘附在层间绝缘膜上的层间绝缘膜上。 第二部分的第二半导体衬底被切割和分离。 在分离的第二部分的第二半导体衬底拐角（BE2）上进行第一次抛光。 第二抛光在具有第一抛光角的第二部分的第二半导体衬底的正面上进行。

公开(公告)号：KR100852206B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：KR1020070033084

申请日：2007-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  백인규 ,  윤성규 ,  임종흔 ,  홍창기 ,  윤보언

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01C17/06533 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666 ,  Y10T29/49082 ,  G11C13/0004

Abstract: A resist random access memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce an error rate in a manufacturing process by simplifying the manufacturing process. A first metal pattern(102) is formed on a substrate(100). A first interlayer dielectric pattern(104) is formed to cover the first metal pattern and includes a first opening(106) for exposing a part of an upper surface of the first metal pattern. A lower electrode pattern is formed in the inside of the first opening. A second interlayer dielectric pattern(112) is formed on the lower electrode pattern and the first interlayer dielectric and includes a second opening(113) for exposing an upper surface of the lower electrode pattern. A resistant material layer pattern(114a) is formed along profiles of an inner wall and a bottom surface of the second opening. An upper electrode pattern(116a) is formed on the resistant material layer pattern. A second metal pattern(118a) is formed on the upper electrode pattern to fill the second opening.

Abstract translation: 提供抗蚀剂随机存取存储器件及其制造方法，以通过简化制造工艺来减少制造过程中的错误率。 第一金属图案（102）形成在基板（100）上。 形成第一层间电介质图案（104）以覆盖第一金属图案并且包括用于暴露第一金属图案的上表面的一部分的第一开口（106）。 下部电极图案形成在第一开口的内部。 第二层间电介质图案（112）形成在下电极图案和第一层间电介质上，并且包括用于暴露下电极图案的上表面的第二开口（113）。 电阻材料层图案（114a）沿第二开口的内壁和底面的轮廓形成。 在电阻材料层图案上形成上电极图案（116a）。 第二金属图案（118a）形成在上电极图案上以填充第二开口。

公开(公告)号：KR1020070054895A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050112991

申请日：2005-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허장은 ,  유동철 ,  배병재 ,  남상돈 ,  임지은 ,  임동현 ,  최석헌

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 형성된 절연 구조물을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 개구를 형성한다. 상기 개구를 매몰하면서, 상기 절연 구조물의 상면을 덮는 티타늄알루미늄 질화막을 형성한다. 상기 절연 구조물의 표면이 노출되도록 상기 티타늄알루미늄 질화막에 화학적 기계연마 공정을 수행하여 상기 개구 내에 콘택 패드를 형성한다. 상기 절연 구조물 및 상기 콘택 패드 상에 형성되고, 상기 콘택 패드와 전기적으로 연결되는 하부 전극층을 형성한다. 상기 하부 전극층 상에 강유전체층 및 상부 전극층 형성함으로서 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치가 완성된다. 상술한 방법은 티타늄 알루미늄 질화물로 이루어진 평탄한 상면을 갖는 콘택을 형성함으로서 실질 적으로 균일한 두께를 갖는 하부 전극층 및 강유전체층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100679604B1

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：KR1020060006121

申请日：2006-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유동철 ,  배병재 ,  최석헌 ,  허장은 ,  임동현

IPC: G11B9/14

Abstract: A manufacturing method of an information processing device is provided to form a polarized layer having extremely small RMS and P-V values through a chemical mechanical polishing process under low-temperature and low-speed polishing conditions, thereby remarkably reducing wear of a probe. An electrode(105) is formed on an object(100). A preliminary polarized layer is formed on the electrode(105). A surface of the preliminary polarized layer is polished through a chemical mechanical process to form a polarized layer(115) on the electrode(105). A reaction preventive layer(120) is formed on the polarized layer(115). A semiconductor layer(125) is formed on the preventive layer(120). A probe is disposed on the semiconductor layer(125).

Abstract translation: 提供了一种信息处理设备的制造方法，以通过在低温和低速抛光条件下的化学机械抛光工艺形成具有极小的RMS和P-V值的极化层，由此显着地减少了探针的磨损。 电极（105）形成在物体（100）上。 初始极化层形成在电极（105）上。 预偏振层的表面通过化学机械工艺抛光以在电极（105）上形成偏振层（115）。 在偏光层（115）上形成反应防止层（120）。 在防止层（120）上形成半导体层（125）。 探针设置在半导体层（125）上。

公开(公告)号：KR100663356B1

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050012081

申请日：2005-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  배병재 ,  손윤호

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 부분적 화학기계적 연마공정을 갖는 강유전체 메모리 소자의 제조방법들을 제공한다. 이 방법들은 반도체기판 상에 층간절연막을 구비한다. 상기 층간절연막을 관통하여 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀을 갖는 층간절연막 상에 상기 콘택홀을 채우는 금속막을 형성한다. 상기 층간절연막 상부가 노출될 때까지 상기 금속막을 평탄화하여 매몰 콘택 플러그(buried contact plug;BC plug)를 형성한다. 상기 매몰 콘택 플러그를 갖는 반도체기판 상에 접착층, 산화방지막, 하부도전막, 강유전체막 및 상부도전막을 차례로 형성하되, 상기 강유전체막 하부의 막들 중 선택되는 어느 하나의 막을 형성한 후 부분적 화학기계적 연마공정(partial chemical mechanical polishing; partial CMP)을 진행하여 상기 선택된 막을 평탄화하는 단계를 포함한다. 상기 상부도전막, 강유전체막, 하부도전막, 산화방지막 및 접착층을 차례로 패터닝하여 상기 매립 콘택 플러그 상부에 강유전체 캐패시터를 형성한다.
강유전체 캐패시터(feroelectric capacitor), 강유전체 랜덤 억세스 메모리(feroelectric random acess memory; FeRAM), 부분적 화학기계적 연마공정(partially chemical mechanical polishing process), 분극, 디싱(dishing)

公开(公告)号：KR1020060091190A

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020050012081

申请日：2005-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  배병재 ,  손윤호

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 부분적 화학기계적 연마공정을 갖는 강유전체 메모리 소자의 제조방법들을 제공한다. 이 방법들은 반도체기판 상에 층간절연막을 구비한다. 상기 층간절연막을 관통하여 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀을 갖는 층간절연막 상에 상기 콘택홀을 채우는 금속막을 형성한다. 상기 층간절연막 상부가 노출될 때까지 상기 금속막을 평탄화하여 매몰 콘택 플러그(buried contact plug;BC plug)를 형성한다. 상기 매몰 콘택 플러그를 갖는 반도체기판 상에 접착층, 산화방지막, 하부도전막, 강유전체막 및 상부도전막을 차례로 형성하되, 상기 강유전체막 하부의 막들 중 선택되는 어느 하나의 막을 형성한 후 부분적 화학기계적 연마공정(partial chemical mechanical polishing; partial CMP)을 진행하여 상기 선택된 막을 평탄화하는 단계를 포함한다. 상기 상부도전막, 강유전체막, 하부도전막, 산화방지막 및 접착층을 차례로 패터닝하여 상기 매립 콘택 플러그 상부에 강유전체 캐패시터를 형성한다.
강유전체 캐패시터(feroelectric capacitor), 강유전체 랜덤 억세스 메모리(feroelectric random acess memory; FeRAM), 부분적 화학기계적 연마공정(partially chemical mechanical polishing process), 분극, 디싱(dishing)

公开(公告)号：KR1020060011673A

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020040060611

申请日：2004-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배준수 ,  이장은 ,  김현조 ,  오세충 ,  하영기 ,  최석헌 ,  박준상 ,  손윤호 ,  남경태

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/222 ,  H01L21/76838

Abstract: 자화집속층을 갖는 디지트라인 제조방법들이 제공된다. 이 방법들은 반도체기판 상에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막 내에 그루브를 형성하는 것을 구비한다. 이어서, 상기 그루브의 측벽들 및 바닥면을 덮는 자화집속층 및 질화티타늄층을 형성한다. 상기 그루브를 완전히 채우면서 상기 반도체기판 전면 상을 덮는 알루미늄층을 형성한다. 상기 자화집속층은 코발트철(CoFe)과 같은 강자성층으로 형성할 수 있다. 상기 알루미늄층, 상기 질화티타늄층 및 상기 자화집속층을 평탄화하여 알루미늄 패턴, 질화티타늄 패턴 및 자화집속층 패턴으로 이루어진 디지트라인을 형성한다.