公开(公告)号：KR102046226B1

公开(公告)日：2019-11-18

申请号：KR1020170166360

申请日：2017-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아유타 ,  야마모토고우스케 ,  마츠자키가즈요시 ,  가가야무네히토 ,  모리야츠요시 ,  미츠나리다다시 ,  구보아츠시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。