公开(公告)号：KR101443420B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020107005732

申请日：2008-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠키노키와타루 ,  야마모토유이치

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67276

Abstract: 카세트 배치부에 카세트가 배치된 후, 제어 장치로부터 기판의 처리 장치에, 카세트 내의 기판의 처리의 개시를 지시한다. 그 후, 제어 장치로부터 기판의 처리 장치에, 기판이 처리 종료 시에 반송되는 카세트 배치부의 카세트를 지시한다. 기판의 나머지 처리 공정수가 미리 정해진 설정수가 되었을 때에, 그 기판의 처리 종료 시의 반송처인 카세트가 지시되어 있지 않은 경우에는, 기판의 처리 장치로부터 경고가 내보내진다. 상기 경고는, 기판의 처리 장치로부터 제어 장치에 통지되고, 제어 장치는, 기판의 반송처인 카세트를 지시한다.

Abstract translation: 在盒子布置在盒子布置部分中之后，控制设备指示基板的处理设备开始处理盒子中的基板。 然后，从控制装置到基板的处理装置，指示在处理结束时传送基板的盒配置部分的盒。 当基板的剩余处理步骤数量达到预定设置数量时，如果在基板处理结束时没有指定作为运输目的地的盒子，则从基板的处理装置发出警告。 警告从基板的处理装置通知给控制装置，控制装置指示作为基板的目的地的盒。

公开(公告)号：KR1020110053174A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：KR1020100102222

申请日：2010-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아키 ,  야마모토유이치 ,  고스기히토시 ,  후지모토세이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/202 ,  G03F7/70891 ,  H01L21/681

Abstract: PURPOSE: A photoresist coating and developing device, a substrate transferring method, and an interface device are provided to implement high throughput and high pattern accuracy by raising the temperature of a wafer before the wafer is inputted into a loadlock chamber. CONSTITUTION: A photoresist layer forming unit forms a photoresist layer on a substrate. A heating processing unit heats the substrate with the photoresist layer. A cooling unit cools the substrate which is heated by the heating processing unit and has the photoresist layer to room temperature. A heating unit(61) heats the cooled substrate with a preset temperature. A loadlock chamber(L1) discharges a substrate for exposing the photoresist layer under the pressure reduction. A transfer unit(62) transfers the substrate from the heating unit to the loadlock chamber.

Abstract translation: 目的：提供光致抗蚀剂涂层显影装置，基板转印方法和界面装置，以在将晶片输入到装载锁定室之前提高晶片的温度来实现高通量和高图案精度。 构成：光致抗蚀剂层形成单元在基板上形成光致抗蚀剂层。 加热处理单元用光致抗蚀剂层加热基板。 冷却单元冷却由加热处理单元加热的基板，并使光致抗蚀剂层达到室温。 加热单元（61）以预设温度加热冷却的基板。 负载锁定室（L1）在减压下放电用于暴露光致抗蚀剂层的基板。 传送单元（62）将基板从加热单元传送到负载锁定室。

公开(公告)号：KR101516819B1

公开(公告)日：2015-05-04

申请号：KR1020080091185

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토유이치 ,  테라모토아키히로 ,  쯔키노키와타루

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명은 기판을 수용하는 카세트를 처리 장치의 외부와의 사이에서 반출입할 때에 적재하는 카세트 적재부와, 기판을 처리하는 기판 처리부와, 상기 카세트 적재부의 카세트 내의 기판을 상기 기판 처리부에 반송하고, 또한 상기 기판 처리부에서 처리를 종료한 기판을 상기 카세트 적재부의 카세트에 반송하는 기판 반송부와, 기판이 기판 처리부에 반송되어 비게 된 카세트를 일시적으로 적재하는 공카세트 적재부와, 상기 공카세트 적재부와 상기 카세트 적재부 사이에서 빈 카세트를 이송하는 공카세트 이송 기구를 포함한다.

Abstract translation: 本发明和携带盒装载单元，以及用于处理基板的基板处理单元，在盒装载部磁带盒装载基板时banchulip盒，用于从处理装置的外部接收所述基板至基板处理部， 盒装载部分，用于临时装载已经将基板传送到基板处理部分并且是空的盒;以及盒装载部分，用于临时装载装载在盒装载部分中的盒， 以及用于在盒装载部分和盒装载部分之间传送空白盒的盒传送机构。

公开(公告)号：KR101578412B1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：KR1020100102222

申请日：2010-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아키 ,  야마모토유이치 ,  고스기히토시 ,  후지모토세이지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 포토레지스트도포현상장치로부터노광장치로로드록장치를개재하여반송할때에, 웨이퍼온도의변화를저감시킬수 있는포토레지스트도포현상장치를제공한다. 개시되는포토레지스트도포현상장치(1)는기판에포토레지스트막을형성하는포토레지스트막형성부와, 포토레지스트막형성부에서포토레지스트막이형성된기판을가열하는가열처리부와, 가열처리부에서가열되고포토레지스트막이형성된기판을상온으로냉각하는냉각부와, 냉각부에서상온으로냉각된기판을소정의온도로가열하는가열부(61)와, 포토레지스트막의노광을위하여기판을감압하에서반출하는로드록실(L1)과, 가열부(61)로부터로드록실(L1)로기판을반송하는반송부(62)를구비한다.

公开(公告)号：KR101535317B1

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020110036893

申请日：2011-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠키노키와타루 ,  야마모토유이치

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67276 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67778

Abstract: 본발명은작업처리량을향상시켜, 처리타이밍을관리할수 있는기판처리시스템을제공하는것을과제로한다. 처리장치군에대하여관리하는그룹컨트롤러를설치한다. 그룹컨트롤러는, 캐리어내의기판에대하여순차적으로복수의처리장치에의해처리가이루어졌을때 최종처리장치의처리종료시점이가장빠른처리장치의조합을, 기판의처리레시피및 처리상황에기초하여결정하는단계와, 상기처리장치의조합에있어서, 미리결정된하나의처리장치에의한로트의처리종료시점으로부터, 미리결정된하류측의처리장치에의한처리개시시점까지의예측경과시간을, 기판의처리레시피및 처리상황에기초하여결정하고, 예측경과시간이설정시간내에수습되도록상기하나의처리장치또는상류측의처리장치에기판을배출하는타이밍을결정하는단계를수행한다.

公开(公告)号：KR101422853B1

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：KR1020080114599

申请日：2008-11-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토유이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/0035

Abstract: 본 발명은 캐리어 블록(S1)과, 거기에서 한 장씩 반입된 기판에 대해 첫번째의 도포 처리를 하는 제1 도포 처리부(31), 첫번째의 현상 처리를 하는 제1 현상 처리부(41), 두번째의 도포 처리를 하는 제2 도포 처리부(32), 두번째의 현상 처리를 하는 제2 현상 처리부(42)를 갖는 처리 블록(S2)과, 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하는 인터페이스 블록(S3)과, 이들 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고, 하나의 기판에 대해 적어도 2회의 노광을 행하는 노광 장치에 대응 가능하다.

Abstract translation: 本发明的特征在于包括：载体块S1;第一涂布处理器31，用于相对于逐个承载的基片执行第一涂布处理;第一显影处理器41，用于第一显影处理; 具有用于执行处理的第二涂布处理部分32和用于执行第二显影处理的第二显影处理部分42的处理块S2，用于在曝光设备之间传送基板的接口块S3， 可以应对曝光装置，该曝光装置包括用于在其间传送基板的基板传送机构，并且在一个基板上执行至少两次曝光。

公开(公告)号：KR1020090089288A

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：KR1020097008293

申请日：2007-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토유이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70525 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625 ,  H01L21/67276

Abstract: Deterioration of throughput of a device in lithography process due to microminiaturization is prevented, cost is reduced and patterning dimensional accuracy is improved for microminiaturization. A substrate processing method has a lithography process of forming a prescribed pattern on a semiconductor wafer (W) by a substrate processing system by performing at least lithography steps, such as resist coating (COT), exposure (EXP), post-exposure heat treatment (PEB) and development (DEV),; an etching (ET) process wherein the developed pattern is used as a mask; and a measuring process of measuring the line width of a pattern. Based on the measurement information obtained by the measuring process, exposure correction for exposure in second and subsequent lithography process, temperature correction for post-exposure heat treatment and/or etching correction for the etching process are performed. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 防止了由微小化引起的光刻工艺中器件的通过量的恶化，降低了成本，并提高了图形尺寸精度以实现微型化。 基板处理方法具有通过基板处理系统在半导体晶片（W）上形成规定图案的光刻处理，至少进行光刻步骤，例如抗蚀剂涂层（COT），曝光（EXP），曝光后热处理 （PEB）和开发（DEV）; 蚀刻（ET）工艺，其中显影图案用作掩模; 以及测量图案的线宽的测量过程。 基于通过测量处理获得的测量信息，执行第二次和随后的光刻处理中的曝光的曝光校正，用于蚀刻处理的曝光后热处理和/或蚀刻校正的温度校正。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020090031255A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020080091185

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토유이치 ,  테라모토아키히로 ,  쯔키노키와타루

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6773 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  Y10S414/14

Abstract: A substrate treatment apparatus is provided to consecutively carry the substrate in the substrate processing part by using the cassette loading part by loading temporally the empty cassette on the empty cassette loader instead of the cassette loader. When the cassette (C) carried in and carrier out the processing unit, the cassette is loaded in the cassette load stock(12). The substrate transfer part(2) transfers the substrate to the substrate processing part. The substrate processing part(3) processes the transferred substrate. The substrate transfer part transfers the processed substrate in the cassette of the cassette loading part. After the substrate is transferred to the substrate processing part, the blank cassette loading part(20) temporally loads the empty cassette. The ball cassette transfer tool transfers the empty cassette between the blank cassette loading part and the cassette loading part.

Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，其通过使用带盒装载部分在时间上将空盒装载到空盒装载器而不是盒式装载器上来将基板连续地携带在基板处理部分中。 当盒式录像带（C）携带并携带在处理单元中时，盒式磁带被装载在盒式载货架（12）中。 基板转印部分（2）将基板转印到基板处理部分。 基板处理部（3）对转印的基板进行处理。 基板转印部分将处理过的基板转移到盒装载部分的盒中。 在将衬底转移到衬底处理部件之后，空白盒装载部件（20）在时间上加载空盒子。 球盒转移工具将空盒装入空盒装载部分和盒装载部分之间。

公开(公告)号：KR101252899B1

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：KR1020097008293

申请日：2007-10-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토유이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70525 ,  H01L21/0273

Abstract: 디바이스의 미세화에 따른 리소그래피 공정의 스루풋의 저하 방지 및 비용의 저렴화를 도모함과 함께, 미세화에서의 패터닝 치수 정밀도의 향상을 도모하도록 하는 것. 기판처리시스템에 의해서 반도체 웨이퍼(W)에, 적어도 레지스트 도포 처리(COT), 노광 처리(EXP), 노광후의 가열 처리(PEB) 및 현상 처리(DEV) 등의 리소그래피 공정을 실시하여 소정의 패턴을 형성하는 리소그래피 공정과, 현상처리후의 패턴을 마스크로 하는 에칭(ET)공정과, 패턴의 선폭을 측정하는 측정공정을 가지며, 측정공정에서 측정된 측정정보에 기초하여, 2회째 이후의 리소그래피 공정의 노광처리에서의 노광 보정, 노광후의 가열처리에서의 온도 보정 및/또는 에칭 공정에서의 에칭 보정을 행한다.

Abstract translation: 防止由于器件的小型化导致的光刻工艺的吞吐量的降低，成本的降低以及小型化中图案化尺寸精度的提高。 将半导体晶片（W）通过所述基板处理系统，通过执行光刻工艺的预定图案，例如至少一个的抗蚀剂膜形成工序（COT），曝光处理（EXP），曝光（PEB）后的热处理和显影工艺（DEV） 具有蚀刻（ET）步骤中，测量所述光刻工艺的图案的线宽度的测量步骤，显影处理后的图案，以形成在所述测量步骤中，在第二次光刻工艺测量的测量信息的基础上的掩模 进行曝光过程中的曝光校正，曝光后加热过程中的温度校正和/或蚀刻过程中的蚀刻校正。

公开(公告)号：KR101177602B1

公开(公告)日：2012-08-27

申请号：KR1020080034634

申请日：2008-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다이세이 ,  하야시다야스시 ,  미야타아키라 ,  야마모토겐세이 ,  야마모토유이치 ,  마츠시타미치아키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67769 ,  Y10S414/139

Abstract: 본 발명은 도포 현상 처리 시스템에서 웨이퍼의 처리 효율을 향상시키는 것을 과제로 한다.
도포 현상 처리 시스템의 반입출 블록에, 카세트 대기 블록(6)이 접속된다. 카세트 대기 블록(6)에는, 카세트 반입출부(110)와, 카세트 대기부(111)와, 카세트 전달부(112)와, 웨이퍼 처리부(113)가 설치된다. 또한, 카세트 대기 블록(6)에는, 카세트 반입출부(110), 카세트 대기부(111) 및 카세트 전달부(112) 사이에서 카세트(C)를 반송하는 카세트 반송 장치(120)와, 카세트 대기부(111)의 카세트(C)와 웨이퍼 처리부(113) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(121)가 설치된다. 각 카세트 대기부(111)에는, 카세트(C)의 도어 오프너(115)가 설치된다.
웨이퍼, 도포 현상 처리 시스템, 기판, 매엽식, 처리 블록