公开(公告)号：KR100260120B1

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：KR1019940025028

申请日：1994-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 사카다가즈나리 ,  다고겐지 ,  미즈가미미쓰오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67778

Abstract: 본 발명의 열처리 장치는, 그 가장자리부의 일부에 오리엔테이션 플레이트부를 가지는 원반형의 다수개의 피처리체를, 그 오리엔테이션 플레이트부를 정렬시킨 상태에서 축 방향으로 소정의 간격으로 적층 수용하는 유지체와, 다수개의 가스 유통구를 가지며, 유지체에 유지된 다수개의 피처리체의 층 전체 둘레를 피처리체의층과 소정의 간격을 두고 덮은 통 모양의 커버체와, 커버체의 내벽면에 설치되고, 유지체에 유지된 피처리체에 대하여 처리 가스에 의해 소정의 처리를 실시한 처리실을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1019950009912A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019940025028

申请日：1994-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 사카다가즈나리 ,  다고겐지 ,  미즈가미미쓰오

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 열처리 장치는, 그 가장자리부의 일부에 오리엔테이션 플라이트 부를 가지는 원반형의 다수개의 피처리체를, 그 오레인테이션 플라이트부를 정렬시킨 상태에서 축 방향으로 소정의 간격으로 적층 수용하는 유지체와, 다수개의 가스 유통구를 가지며, 유지체에 유지된 다수개의 피처리체의 층 전체 둘레를 피처리체의 층과 소정의 간격을 두고 덮은 통 모양의 커버체와, 커버체의 내벽면에 설치되고, 유지체의 유지된 피처리체에 대하여 처리 가스에 의해 소정의 처리를 실시하는 처리실을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020070117005A

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020077027864

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: A thermal treatment apparatus cleaning method includes a heating step to heat a reaction chamber up to 300 °C and a cleaning step to remove silicon nitride from an inner portion of the thermal treatment apparatus. In the cleaning step, a reaction tube heated up to 300°C is filled with a cleaning gas containing fluorine gas, chlorine gas, and nitrogen gas and silicon nitride is removed, thereby cleaning the inner portion of the thermal treatment apparatus.

Abstract translation: 热处理装置的清洗方法包括：将反应室加热至300℃的加热工序，以及从热处理装置的内部除去氮化硅的清洗工序。 在清洗工序中，将加热至300℃的反应管填充有含氟气体，氯气，氮气的清洗气体，除去氮化硅，清洗热处理装置的内部。

公开(公告)号：KR1020040008212A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR1020037015945

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.

公开(公告)号：KR1019940022677A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940004660

申请日：1994-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우시카와하루노리 ,  다고겐지

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은, 종형 열처리 장치와 같은 피처리체의 처리장치에 관한 것으로, 피처리체를 처리하는 처리용기의 아래쪽에 대기공간을 설치하고, 이 대기공간에 피처리체를 여러 장 재치하여 승강이 자유로운 피처리체 재치대(보트)를 배치하며, 대기공간에 피처리체의 표면에 형성되는 자연산화막을 억제하기 위한 자연산화막 억제기체를 공급하는 자연산화막 억제기체 공급장치를 설치하며, 이 기체 공급자치에 의하여 낮은 노점온도를 가지는 건조기체를 억제기체로서 공급하는 처리장치이다. 이에 따라, 저코스트이면서 효율좋게 자연산화막의 형성을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050004077A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：KR1020040051214

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아오키기미야 ,  스즈키가츠시 ,  시라카와아사미 ,  다고겐지 ,  스즈키게이스케 ,  사키가즈오 ,  모리신지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus of forming a silicon oxide layer are provided to reduce a thickness of the silicon oxide layer and improve the quality of the silicon oxide layer by using an oxidation method. CONSTITUTION: A target substrate having a silicon layer is loaded into a processing region having a temperature of 400 degrees centigrade within a reaction chamber. The processing region is heated to the temperature of 650 degrees centigrade. The water vapor is supplied into the reaction chamber while the processing region is heated. The processing region is heated to the processing temperature. An oxidation gas is supplied to the reaction chamber to form a silicon oxide layer by oxidizing the silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成氧化硅层的方法和装置，以通过使用氧化方法来减小氧化硅层的厚度并提高氧化硅层的质量。 构成：将具有硅层的靶基板在反应室内装载到温度为400摄氏度的加工区域。 将处理区域加热至650摄氏度的温度。 在处理区域被加热的同时将水蒸汽供给到反应室中。 将加工区域加热至加工温度。 通过氧化硅层，向反应室供给氧化气体，形成氧化硅层。

公开(公告)号：KR1020120112141A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120031747

申请日：2012-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  도조유끼오 ,  다고겐지 ,  니시무라가즈아끼

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a thin film forming apparatus, a thin film forming method, and a thin film forming apparatus are provided to increase an etching rate of an attachment attached within the apparatus by supplying fluorine gas and hydrogen fluoride gas within a heated reaction tube. CONSTITUTION: A reaction tube(2) forms a reaction chamber. A top portion(3) formed in a cone shape is installed on a top end portion of the reaction tube. An exhaust pipe(4) for exhausting gas within the reaction tube is installed in the center of the top portion. A spinning table(10) loads a wafer boat(11) which receives a wafer(W). A rotary support(12) is connected to a rotating mechanism(13) passing through the center of a heater(8). [Reference numerals] (100) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种清洗薄膜形成装置，薄膜​​形成方法和薄膜形成装置的方法，以通过在加热反应中供应氟气和氟化氢气体来提高附着在装置内的附着物的蚀刻速率 管。 构成：反应管（2）形成反应室。 形成为锥形的顶部（3）安装在反应管的顶端部分上。 用于排出反应管内的气体的排气管（4）安装在顶部的中心。 旋转台（10）装载接收晶片（W）的晶片舟（11）。 旋转支撑件（12）连接到通过加热器（8）的中心的旋转机构（13）。 （附图标记）（100）控制单元

公开(公告)号：KR100825135B1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020037015945

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.

公开(公告)号：KR101124869B1

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020040051214

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아오키기미야 ,  스즈키가츠시 ,  시라카와아사미 ,  다고겐지 ,  스즈키게이스케 ,  사키가즈오 ,  모리신지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 실리콘 산화막을 형성하는 방법은 표면에 실리콘층을 갖는 피처리 기판을, 반응용기 내의 400℃ 이하의 반입 온도로 설정한 처리 영역내로 반입한다. 다음으로 피처리 기판을 수용한 처리 영역을 반입 온도로부터 650℃ 이상의 처리 온도까지 승온시킨다. 처리 영역의 승온중에 반응용기 내에 수증기를 공급한다. 여기에서, 처리 영역의 분위기에서의 수증기의 농도가 제 1 농도이고, 처리 영역의 압력이 제 1 감압 압력이 되도록 설정한다. 처리 영역을 처리 온도까지 승온시킨 후, 반응용기 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘층을 산화하여 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100307997B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019940004660

申请日：1994-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우시카와하루노리 ,  다고겐지

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은, 종형 열처리 장치와 같은 피처리체의 처리장치에 관한 것으로, 피처리체를 처리하는 처리용기의 아래쪽에 대기공간을 설치하고, 이 대기공간에 피처리체를 여러 장 재치하여 승강이 자유로운 피처리체 재치대(보트)를 배치하며, 대기공간에 피처리체의 표면에 형성되는 자연산화막을 억제하기 위한 자연산화막 억제기체를 공급하는 자연산화막 억제기체 공급장치를 설치하며, 이 기체 공급장치에 의하여 낮은 노점온도를 가지는 건조기체를 억제기체로서 공급하는 처리장치이다. 이에 따라, 저코스트이면서 효율좋게 자연산화막의 형성을 억제할 수 있다.