公开(公告)号：KR1019950012620A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019940028108

申请日：1994-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 가와카미야스노리 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케쿠마다카시 ,  난부미쓰히로 ,  이이다나루아키 ,  고토히데아키 ,  다테야마마사노리 ,  요시모토유지 ,  이시모토도모코 ,  야스에가시히데타미

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은, 낱장처리에 의하여 피처리체에 처리액을 도포하는 도포처리부로부터 피처리체를 피처리체 유지부재로 옮기는 제1의 이송수단 및 복수의 피처리체 유지부재르 부착 및 이탈가능하게 얹어놓음과 함께 복수의 피처리체 유지수단을 동시에 이동하는 이동수단을 가지는 인터페이스부와, 이동수단에 얹어놓인 피처리체 유지수단과, 도포처리가 행해진 복수의 피처리체에 배치처리체 의하여 열처리를 행하는 열처리부에 옮기는 제2의 이송수단을 가지는 열처리부를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR100272188B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019940028108

申请日：1994-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 가와카미야스노리 ,  후쿠다다카히데 ,  후지모토아키히로 ,  다케쿠마다카시 ,  난부미쓰히로 ,  이이다나루아키 ,  고토히데아키 ,  다테야마마사노리 ,  요시모토유지 ,  이시모토도모코 ,  야스에가시히데타미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67265 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  Y10S134/902 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/141

Abstract: 본 발명은, 낱장처리에 의하여 피처리체에 처리액을 도포하는 도포처리부로부터 피처리체를 피처리체 유지부재로 옮기는 제1의 이송수단, 및 복수의 피처리체 유지부재를 부착 및 이탈가능하게 얹어놓음과 함께 복수의 피처리체 유지 수단을 동시에 이동하는 이동수단을 가지는 인터페이스부와, 이동수단에 얹어놓인 피처리체 유지수단과, 도포처리가 행해진 복수의 피처리체에 배치처리체 의하여 열처리를 행하는 열처리부에 옮기는 제2의 이송수단을 가지는 열처리부를 구비하는 기판 처리장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970067586A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.

公开(公告)号：KR1019970077124A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970022123

申请日：1997-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  신야히로시 ,  가타노다카유키 ,  야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  가와노후미히코

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판처리시스템 및 기판처리방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
시스템내로의 청정공기의 공급량 증대시키지 않고, 시스템내로의 파티클의 침입을 유효하게 방지할 수 있는 기판처리시스템을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 공기조절된 환경하에서 복수의 기판(W) 을 차례로 처리하는 기판처리시스템으로, 카세트(CR),(C)가 출입되는 카세트 반입출구(100b), (304)를 가지는 외장케이스(100a),(302)와, 이 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 설치되고, 카세트가 얹어놓이는 카세트 얹어놓는 대(20),(303)를 가지며, 상기 카세트 반입출구 통해서 카세트가 반입되고, 상기 카세트 얹어놓는 대에 카세트가 얹어놓이는 카세트부(10),(351)와, 이 카세트부의 카세트로부터 기판을 1매씩 반출하여 이송하는 서브아암기구(22),(311)와, 카세트부에 인접해서 설치되고, 기판(W)을 처리하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 프로세스부(12),(352)와, 이 프로세스부내에 설치되고, 상기 카세트부의 서브아암기구로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 각각 처리유니트에 차례로 반입 는 한편, 처리된 기판(W)을 각 처리유니트로부터 차례로 반출하는 주아암기구(24),(312),(313)와, 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 다운플로우의 청정공기를 공급하는 에어공급기구(10a),(10b),(12a),(14a),(16a)∼(16e),(30),(31),(32),(33a)∼(33f),(34),(36),(37a)∼(37e),(38),(39),(48),(306),(306a),(306b)와, 이 에어공급기구에 의해서 형성되는 에어의 다운플로우에 간섭하지 않도록 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간 칸막이하고, 또, 칸막이된 한쪽의 공간으로부터 다른쪽 공간으로 기판(W)을 반송하기 위한 기판반송구(11a),(11b),(29a),(51a),(61a),(308)를 가지는 칸막이판 (11),(11A),(29),(51),(61),(305)을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 기판과 같은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상 처리하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 이용됨.

公开(公告)号：KR100357313B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019970010284

申请日：1997-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  박재훈 ,  간자와게이코 ,  가타노다카유키 ,  도시마다카유키 ,  가카즈유지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67173 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70866 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67178 ,  Y10S414/135

Abstract: A method of forming a resist on a substrate and processing the resist in a resist processing system having a processing region (10, 20, 40) and a non-processing region (4, 30) which are air-conditioned, the method comprising the steps of, transferring the substrate into the non-processing region, coating the resist on the substrate, exposing the coated resist, developing the exposed resist, subjecting the coated resist at least once, to heat treatment in a period from the transferring step (S1) to the developing step (S12), detecting at least once, the concentration of an alkaline component which causes defective resolution of the resist in a processing atmosphere in a period from the transferring step to the developing step, setting a threshold value for the concentration of the alkaline component in the processing atmosphere which causes the defective resolution of the resist, and controlling and changing at least one processing atmosphere in the steps (S1 to S12) in accordance with a detected concentration of the alkaline component and the threshold value.

Abstract translation: 一种在基板上形成抗蚀剂并且在具有空调的处理区域（10,20,40）和非处理区域（4,30）的抗蚀剂处理系统中处理抗蚀剂的方法，所述方法包括 将基板转印到非处理区域，在基板上涂布抗蚀剂，使涂布的抗蚀剂曝光，使曝光后的抗蚀剂显影，使涂布后的抗蚀剂至少进行一次热处理（S1 ）到显影步骤（S12），在从转印步骤到显影步骤的时间段内检测在处理气氛中导致抗蚀剂的分辨率有缺陷的碱性成分的浓度，至少一次检测浓度的阈值 在导致抗蚀剂分辨率不良的处理气氛中的碱性组分，以及在步骤（S1至S12）中根据以下步骤控制和改变至少一个处理气氛： 检测到的碱性成分的浓度和阈值。 ＆lt;图像＆GT;