公开(公告)号：KR20180066147A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20187012827

申请日：2016-09-21

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： YPMA ALEXANDER ,  DECKERS DAVID FRANS SIMON ,  BIJNEN FRANCISCUS GODEFRIDUS CASPER ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS ,  KOU WEITIAN

IPC: G05B19/418 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F9/7092 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: 일련의웨이퍼들(W(i))이상이한상황들에서처리되는리소그래피공정에서, 객체데이터(ODAT/PDAT)가수신되고, 이는예를들어앞서처리된웨이퍼들의세트에서측정된오버레이를나타내는성능데이터(PDAT)일수 있다. 상황데이터(CDAT)는세트내의웨이퍼들사이에서변동하는리소그래피공정의파라미터들을나타낸다. 성능데이터(410)의주성분분석또는다른통계적분석에의해, 웨이퍼들의세트가 2 이상의서브세트들(412)로분할된다. 웨이퍼들의제 1 분할및 상황데이터가제 1 분할과가장강하게상관하는것으로관찰되는리소그래피공정의파라미터들인 1 이상의관련상황파라미터들(418)을식별하는데 사용된다(414). 리소그래피장치는식별된관련상황파라미터들을참조하여새로운웨이퍼들에대해제어된다(400). 피드백제어및 피드포워드제어를이용한실시예들이설명된다.

公开(公告)号：KR20180072760A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR20187014163

申请日：2016-09-28

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： TEN BERGE PETER ,  MOS EVERHARDUS CORNELIS ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS ,  WARDENIER PETER HANZEN ,  JENSEN ERIK ,  KASTRUP BERNARDO ,  KUBIS MICHAEL ,  MULKENS JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS ,  DECKERS DAVID FRANS SIMON ,  HENKE WOLFGANG HELMUT ,  LEE JOUNGCHEL

IPC: G03F1/72 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70625

Abstract: 패터닝시스템의에칭툴에의해처리된이후에패턴의측정및/또는시뮬레이션결과를획득하는단계, 에칭로딩(etch loading) 효과에기인한패터닝오차를상기측정및/또는시뮬레이션결과에기초하여결정하는단계, 및컴퓨터시스템에의하여, 상기패터닝오차에기초하여, 상기패터닝시스템내에서상기에칭툴로부터업스트림에있는패터닝디바이스를수정하기위한및/또는수정장치를조절하기위한수정정보를생성하는단계를포함하고, 상기패터닝디바이스가상기수정정보에따라수정되고및/또는상기수정장치가상기수정정보에따라조절되는경우, 상기패터닝오차는정정가능오차로변환되고및/또는특정범위로감소되는, 방법.

公开(公告)号：KR20180021140A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20187002405

申请日：2016-06-27

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： ABEN PAUL CORNELIS HUBERTUS ,  LALBAHADOERSING SANJAYSINGH ,  SCHOONUS JURGEN JOHANNES HENDERIKUS MARIA ,  DECKERS DAVID FRANS SIMON

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7019 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  G03F9/708

Abstract: 본발명은: a) 기준기판에제 1 마크패턴을제공하는단계; b) 기준기판상에제 1 레지스트층을제공하는단계 -상기제 1 레지스트층은제 1 레지스트의현상에필요한최소방사선도즈를가짐- ; c) 패터닝된방사선빔을형성하기위해, 방사선빔의단면에제 2 마크패턴을부여하는데 기준패터닝디바이스를이용하는단계; 및 d) 제 1 레지스트층의최소방사선도즈이상의누적된방사선도즈를받은제 2 마크패턴에따른제 1 레지스트층의타겟부내의노광영역들을생성하도록상기패터닝된방사선빔으로기준기판의제 1 레지스트층의타겟부를 n 번노광하는단계 -n은적어도 2의값을갖는정수임- 를포함하는방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：a）在参考衬底上提供第一标记图案; b）在参考衬底上提供第一抗蚀剂层，第一抗蚀剂层具有显影第一抗蚀剂所需的最小辐射剂量; c）使用参考图案形成装置将第二标记图案赋予辐射束的横截面以形成图案化的辐射束; 并且d）第一辐射以产生暴露区域在所述第一抗蚀剂层的目标部分根据所述第二标记图案的图案化的束抗蚀剂的参考衬底的层接收到的第一抗蚀剂层的累积辐射剂量高于最小辐射剂量 将目标部分的目标部分暴露n次具有至少2的值的整数。