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    Catalizadores de rutenio -fenol para reacciones de hidrogenación por transferencia
    1.
    发明专利
    Catalizadores de rutenio -fenol para reacciones de hidrogenación por transferencia 未知

    公开(公告)号：ES2676580T3

    公开(公告)日：2018-07-23

    申请号：ES15707938

    申请日：2015-03-04

    Applicant: BASF SE

    Inventor： LIMBURG CAROLIN ,  PACIELLO ROCCO

    IPC: B01J31/22 ,  B01J31/02

    Abstract: Un procedimiento de preparación de mentona en el que se lleva a cabo una reacción de hidrogenación por transferencia en un medio líquido que contiene isopulegol, un precursor de rutenio y un derivado de fenol en el que el derivado de fenol tiene una de las fórmulas**Fórmula** en las que R1, R2, R3, R4 son independientemente hidrógeno, alquilos, o hidroxi, o R3, R4 juntos con los átomos de carbono al cual están unidos forman un anillo aromático unido; R5a es hidrógeno, alquilo, o hidroxi; R6, R7, R8, R9 son independientemente hidrógeno o alquilo, o R6, R7 juntos con los átomos de carbono al cual están unidos forman un anillo aromático unido; R10 es hidrógeno o hidroxi, y X es un enlace químico; alquileno opcionalmente sustituido por 1, 2 o 3 sustituyentes que son seleccionados independientemente del grupo que consiste en halógeno, alquilo, alquilo sustituido, cicloalquilo, arilo y OH; arileno opcionalmente sustituido por 1, 2, 3 sustituyentes que son seleccionados independientemente del grupo que consiste en halógeno, alquilo, alquilo sustituido, alcoxi y OH; -O-, o -S-; y en las que el precursor de rutenio no posee nitrógeno o ligandos de donantes de fósforo.

    PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS
    6.
    发明专利
    PROCESS FOR THE GENERATION OF THIN INORGANIC FILMS 未知

    公开(公告)号：SG11201900607WA

    公开(公告)日：2019-03-28

    申请号：SG11201900607W

    申请日：2017-08-23

    Applicant: BASF SE

    Inventor： ADERMANN TORBEN ,  ABELS FALKO ,  LIMBURG CAROLIN ,  WILMER HAGEN ,  GERKENS JAN ,  SCHNEIDER SVEN

    IPC: C07F15/00 ,  C23C16/455

    Abstract: The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. The present invention relates to a process for the generation of inorganic films comprising depositing the compound of general formula (I) onto a solid substrate (I), wherein M is Mn, Ni or Co, X is a ligand which coordinates M, n is 0, 1, 2, 3, or 4, R1 is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a halogen, or a silyl group, R2 is an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group, p and q are 1 or 2, wherein p+q=3, and m is 1, 2, or 3.

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