公开(公告)号：DE102015107041A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102015107041

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  HENNECK STEPHAN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  NIKITIN IVAN ,  PEDONE DANIEL ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bearbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: Abscheiden einer ersten Metallisierungsschicht über einem Halbleiterwerkstück (202); Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (204); und Abscheiden einer zweiten Metallisierungsschicht über der strukturierten ersten Metallisierungsschicht, wobei das Abscheiden der zweiten Metallisierungsschicht einen stromlosen Abscheidungsprozess aufweist, der ein Eintauchen der strukturierten ersten Metallisierungsschicht in einen Metallelektrolyt aufweist (206).

公开(公告)号：DE102014102242A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102014102242

申请日：2014-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  FRANK MANFRED ,  KRUG MAXIMILIAN ,  KUNSTMANN THOMAS ,  MÜLLER MATTHIAS ,  ROBL WERNER ,  STRASSER JOHANN

IPC: H01L21/283 ,  C23C28/00

Abstract: Verschiedene Verfahren und Vorrichtungen betreffen poröse Metallschichten auf einem Substrat, die dreidimensional beschichtet sind. In einer Ausführungsform wird eine poröse Metallschicht über einem Substrat abgeschieden. Die poröse Metallschicht kann mit einem Beschichtungsmaterial dreidimensional beschichtet sein.