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公开(公告)号:DE102008025451B4
公开(公告)日:2011-04-21
申请号:DE102008025451
申请日:2008-05-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: OTREMBA RALF , MAHLER JOACHIM , RAKOW BERND , ENGL REIMUND , FISCHER RUPERT
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公开(公告)号:DE102008057707A1
公开(公告)日:2009-06-04
申请号:DE102008057707
申请日:2008-11-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: OTREMBA RALF , SCHLOEGEL XAVER , FISCHER RUPERT , TAN TIEN LAI
IPC: H01L21/60
Abstract: A method for making a device is disclosed. One embodiment provides a substrate having a first element protruding from the substrate. A semiconductor chip has a first electrode on a first surface and a second electrode on a second surface opposite to the first surface. The semiconductor chip is placed over the first element of the substrate with the first surface of the semiconductor chip facing the substrate. The second electrode of the semiconductor chip is electrically coupled to the substrate, and the substrate is at least partially removed.
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公开(公告)号:DE102015112085B4
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:DE102015112085
申请日:2015-07-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FISCHER RUPERT , STROBEL PETER , MAHLER JOACHIM , RÖSL KONRAD , HEINRICH ALEXANDER
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: Verfahren zur Verbindung mehrerer Chips (100, 150) mit einem Chipträger (300), wobei das Verfahren umfasst:Anordnen erster Chips (150) auf einem Überführungsträger (200) ,Anordnen zweiter Chips (100) auf dem Überführungsträger (200) ,Anordnen des Überführungsträgers (200) mit den ersten Chips (150) und zweiten Chips (100) auf dem Chipträger (300), undAusbilden von Verbindungen zwischen den ersten Chips (150) und dem Chipträger (300) und den zweiten Chips (100) und dem Chipträger (300),wobei beim Ausbilden der Verbindungen erste Verbindungen für die ersten Chips (150) unter Verwendung eines elektrisch isolierenden Verbindungsmediums (310) und zweite Verbindungen für die zweiten Chips (100) unter Verwendung eines elektrisch leitenden Verbindungsmediums (140) ausgebildet werden.
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公开(公告)号:DE102008057707B4
公开(公告)日:2018-05-09
申请号:DE102008057707
申请日:2008-11-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: OTREMBA RALF , SCHLOEGEL XAVER , FISCHER RUPERT , TAN TIEN LAI
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bauelements (100; 200), umfassend:Bereitstellen eines Substrats (10) mit einem von dem Substrat (10) vorstehenden ersten Element (110; 210);Bereitstellen eines Halbleiterchips (20) mit einer ersten Elektrode (21) auf einer ersten Oberfläche (20a) und einer zweiten Elektrode (22) auf einer zweiten Oberfläche (20b) gegenüber der ersten Oberfläche (20a);Platzieren des Halbleiterchips (20) über dem ersten Element (110; 210) des Substrats (10), wobei die erste Oberfläche (20a) des Halbleiterchips (20) dem Substrat (10) zugewandt ist;elektrisches Koppeln der zweiten Elektrode (22) des Halbleiterchips (20) an das Substrat (10) durch galvanisches Abscheiden eines metallischen Films (130); und mindestens teilweises Entfernen des Substrats (10).
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公开(公告)号:DE102015112085A1
公开(公告)日:2016-02-11
申请号:DE102015112085
申请日:2015-07-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FISCHER RUPERT , STROBEL PETER , MAHLER JOACHIM , RÖSL KONRAD , HEINRICH ALEXANDER
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: Es werden Verfahren zur Verbindung von Chips mit einem Chipträger offenbart. Gemäß einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Verbindung mehrerer Chips mit einem Chipträger folgende Schritte: Anordnen erster Chips auf einem Überführungsträger, Anordnen zweiter Chips auf dem Überführungsträger, Anordnen des Überführungsträgers mit den ersten und zweiten Chips auf dem Chipträger, und Bilden von Verbindungen zwischen den ersten Chips und dem Chipträger und den zweiten Chips und dem Chipträger.
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公开(公告)号:DE102008046729A1
公开(公告)日:2009-06-04
申请号:DE102008046729
申请日:2008-09-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MAHLER JOACHIM , BEHRENS THOMAS , LANDAU STEFAN , KNAUER EDUARD , FISCHER RUPERT
IPC: H01L21/58 , C09J9/02 , H01L23/373 , H01L23/48
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公开(公告)号:DE102008025451A1
公开(公告)日:2008-12-11
申请号:DE102008025451
申请日:2008-05-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: OTREMBA RALF , MAHLER JOACHIM , RAKOW BERND , ENGL REIMUND , FISCHER RUPERT
IPC: H01L21/58
Abstract: A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a method comprising placing a first semiconductor chip on a carrier. After placing the first semiconductor chip on the carrier, an electrically insulating layer is deposited on the carrier. A second semiconductor chip is placed on the electrically insulating layer.
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