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    Elektronikbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauelements
    2.
    发明专利
    Elektronikbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102008061068B4

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：DE102008061068

    申请日：2008-12-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BEMMERL THOMAS ,  MENDE THOMAS ,  RAKOW BERND

    IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

    Abstract: Elektronikbauelement (50; 50'; 100; 150; 250; 350; 450; 550), umfassend: einen Systemträger (54; 154; 254; 354; 454; 554), der eine erste Fläche (82) umfasst, die ein Die-Pad (58; 158; 258; 358; 458; 558) definiert, und mehrere Anschlussdrähte (60), die konfiguriert sind, mit einem an das Die-Pad (58; 158; 258; 358; 458; 558) angebrachten Chip (52; 152; 252; 352; 452; 552) zu kommunizieren, mindestens einen von dem Die-Pad (58; 158; 258; 358; 458; 558) aus verlaufenden Haltesteg (62; 162; 262; 362; 462; 562) und einen Massering (66), der um das Die-Pad (58; 158; 258; 358; 458; 558) herum angeordnet ist und integral mit dem Systemträger (54; 154; 254; 354; 454; 554) und dem Haltesteg (62; 162; 262; 362; 462; 562) ausgebildet ist; ein erstes Strukturelement (80; 180; 280; 380; 480; 580), das von der ersten Fläche (82) des Systemträgers (54; 154; 254; 354; 454; 554) getrennt ist und daran gekoppelt ist; mindestens ein elektrisches Verbindungsstück (72a), das zwischen den Chip (52; 152; 252; 352; 452; 552) und das erste Strukturelement (80; 180; 280; 380; 480; 580) gekoppelt ist; und mindestens ein elektrisches Verbindungsstück (72b), das zwischen das erste Strukturelement (80; 180; 280; 380; 480; 580) und einen der mehreren Anschlussdrähte (60) gekoppelt ist.

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008025451A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：DE102008025451

    申请日：2008-05-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： OTREMBA RALF ,  MAHLER JOACHIM ,  RAKOW BERND ,  ENGL REIMUND ,  FISCHER RUPERT

    IPC: H01L21/58

    Abstract: A semiconductor device and method is disclosed. One embodiment provides a method comprising placing a first semiconductor chip on a carrier. After placing the first semiconductor chip on the carrier, an electrically insulating layer is deposited on the carrier. A second semiconductor chip is placed on the electrically insulating layer.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-FLIP-CHIP-PACKAGE
    7.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-FLIP-CHIP-PACKAGE 未知

    公开(公告)号：DE102019115369A1

    公开(公告)日：2020-12-10

    申请号：DE102019115369

    申请日：2019-06-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  PRESSEL KLAUS ,  ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  RAKOW BERND

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50

    Abstract: Halbleiter-Flip-Chip-Package (10), umfassend ein Substrat (11), umfassend eine erste Hauptfläche, eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche und eine oder mehrere leitende Strukturen (11.1), die auf der ersten Hauptfläche angeordnet sind, wobei eine oder mehrere Säulen (12) auf mindestens einer der leitenden Strukturen (11) angeordnet sind, ein Halbleiterdie (13), der eine oder mehrere Kontaktpads (13.1) auf einer Hauptfläche desselben umfasst, wobei der Halbleiterdie (13) mit dem Substrat (11) verbunden ist, so dass mindestens eines der Kontaktpads (13.1) mit einer der Säulen (12) verbunden ist, und ein Verkapselungsmittel (14), das auf dem Substrat (11) und dem Halbleiterdie (13) angeordnet ist.

    Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lotformteilen
    8.
    发明专利
    Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lotformteilen 未知

    公开(公告)号：DE102016110413B4

    公开(公告)日：2018-05-24

    申请号：DE102016110413

    申请日：2016-06-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  RAKOW BERND

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

    Abstract: Verfahren, umfassend:Bereitstellen eines ersten (20) und eines zweiten (30) Fügepartners jeweils mit einer ersten Hauptoberfläche (22, 32), wobei mindestens ein Abschnitt der ersten Hauptoberflächen (22, 32) des ersten (20) und zweiten 30) Fügepartners jeweils eine Metallschicht umfasst;Aufbringen einer Vielzahl von Lotformteilen (40) auf der Metallschicht der ersten Hauptoberfläche (22, 32) mindestens eines des ersten (20) und zweiten (30) Fügepartners;Positionieren des ersten (20) und zweiten (30) Fügepartners, so dass die Lotformteile (40) die Metallschichten der ersten Hauptoberflächen (22, 32) des ersten (20) und zweiten (30) Fügepartners kontaktieren; undSchmelzen der Vielzahl von Lotformteilen (40) unter Druck, um einen einzelnen kontinuierlichen dünnschichtigen Flächen-Interconnect (70) auszubilden, umfassend eine Diffusionslötverbindung umfassend eine intermetallische Phase, die die Metallschichten der ersten Hauptoberflächen (22, 32) des ersten (20) und zweiten (30) Fügepartners miteinander bondet.

    Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lötformteilen
    9.
    发明专利
    Diffusionslötbonden unter Verwendung von Lötformteilen 未知

    公开(公告)号：DE102016110413A1

    公开(公告)日：2016-12-08

    申请号：DE102016110413

    申请日：2016-06-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  RAKOW BERND

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

    Abstract: Ein Verfahren beinhaltet: Bereitstellen eines ersten und eines zweiten Fügepartners jeweils mit einer ersten Hauptoberfläche, wobei mindestens ein Abschnitt der ersten Hauptoberflächen des ersten und zweiten Fügepartners jeweils eine Metallschicht umfasst. Das Verfahren beinhaltet weiterhin: Aufbringen mehrerer Lotformteile auf der Metallschicht der ersten Hauptoberfläche mindestens eines des ersten und zweiten Fügepartners, Positionieren des ersten und zweiten Fügepartners, so dass die Lotformteile die Metallschichten der ersten Hauptoberflächen des ersten und zweiten Fügepartners kontaktieren, und Schmelzen der mehreren Lotformteile unter Druck, um einen einzelnen kontinuierlichen dünnschichtigen Flächen-Interconnect auszubilden, umfassend eine Diffusionslötverbindung, die die Metallschichten der ersten Hauptoberflächen des ersten und zweiten Fügepartners miteinander bondet.

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