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    Ein Chippackage und ein Verfahren zum Herstellen eines Chippackage
    1.
    发明专利
    Ein Chippackage und ein Verfahren zum Herstellen eines Chippackage 未知

    公开(公告)号：DE102013108196A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：DE102013108196

    申请日：2013-07-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  HARTNER WALTER ,  HIRTREITER JOSEF ,  WACHTER ULRICH

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Chippackage bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Ausbilden eines elektrisch isolierenden Materials über einer Chipseite (410); selektives Entfernen mindestens eines Teils des elektrisch isolierenden Materials, wodurch in dem elektrisch isolierenden Material ein Graben ausgebildet wird (420); Abscheiden von elektrisch leitendem Material in dem Graben, wobei das elektrisch leitende Material elektrisch mit mindestens einem über der Chipseite ausgebildeten Kontaktpad verbunden wird (430); Ausbilden einer elektrisch leitenden Struktur über dem elektrisch isolierenden Material, wobei mindestens ein Teil der elektrisch leitenden Struktur in direkter physischer und elektrischer Verbindung mit dem elektrisch leitenden Material steht (440); und Abscheiden einer Fügestruktur über der elektrisch leitenden Struktur (450).

    Mehrschichtenmetallisierung mit beanspruchungsreduzierender Zwischenschicht
    2.
    发明专利
    Mehrschichtenmetallisierung mit beanspruchungsreduzierender Zwischenschicht 未知

    公开(公告)号：DE102012106662A1

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：DE102012106662

    申请日：2012-07-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  SCHNEEGANS MANFRED

    IPC: H01L23/522 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

    Abstract: Eine Verdrahtungsstruktur (130) für ein Halbleiterbauelement enthält eine Mehrschichtenmetallisierung (132) mit einer Gesamtdicke von mindestens 5 μm und eine in der Mehrschichtenmetallisierung (132) angeordnete Zwischenschicht (134), wobei eine erste Seite der Zwischenschicht (134) an eine Schicht der Mehrschichtenmetallisierung (132) angrenzt und eine zweite gegenüberliegende Seite der Zwischenschicht (134) an eine andere Schicht der Mehrschichtenmetallisierung (132) angrenzt. Die Zwischenschicht (134) enthält mindestens eines von W, WTi, Ta, TaN, TiW und TiN oder ein anderes geeignetes Verbundmetall oder ein Metallsilizid wie etwa WSi, MoSi, TiSi und TaSi.

    4.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10219115A1

    公开(公告)日：2003-11-13

    申请号：DE10219115

    申请日：2002-04-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHUDERER BERTHOLD

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

    Abstract: A method in which a base layer is deposited in a contact hole region under a protective gas, where base layer contains a nitride as main constituent. After the deposition of the base layer, a covering layer is deposited under gaseous nitrogen. An adhesion promoting layer results which is simple to produce and has good electrical properties.

    Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
    6.
    发明专利
    Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011052914A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：DE102011052914

    申请日：2011-08-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FOERSTER JUERGEN

    IPC: H01L29/92 ,  H01L21/822 ,  H01L27/08

    Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen einen Kondensator (310), der Folgendes aufweist: eine erste Elektrode (EB), die eine erste Schicht (410) mit Tantalnitrid und eine über der ersten Schicht (410) liegende zweite Schicht (420) mit alpha-Tantal; eine Dielektrikumschicht (510) und eine über der Dielektrikumschicht (510) liegende zweite Elektrode (ET) aufweist, wobei die zweite Elektrode (ET) eine erste Schicht (440) mit Tantalnitrid und eine über der ersten Schicht (440) liegende zweite Schicht (450) mit alpha-Tantal aufweist.

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