公开(公告)号：DE102017202578B4

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Halbleiterchip (502);ein Guss-Einkapselungsmaterial (506), das den Halbleiterchip seitlich umgibt;eine Umverteilungsschicht (512) auf einer ersten Seite des Halbleiterchips, wobei die Umverteilungsschicht mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist;eine Dielektrikumschicht (526) bestehend aus einem Laminat;eine leitfähige Schicht (514) zwischen der Dielektrikumschicht und dem Halbleiterchip, wobei die leitfähige Schicht an der Dielektrikumschicht gebildet ist;eine Chipbefestigungsfolie (516), mittels welcher die leitfähige Schicht (514) an dem Guss-Einkapselungsmaterial (506) und an einer zweiten Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite befestigt ist; undeine Antenne (518) auf der Dielektrikumschicht,wobei die Dielektrikumschicht zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip ist.

公开(公告)号：DE102016106603A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE102016106603

申请日：2016-04-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  MAIER DOMINIC ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L23/043 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/552 ,  H04R1/00

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement mit einem Deckel sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Deckel offenbart. Das Halbleiterbauelement enthält ein Substrat. Ein Bauelement wird auf dem Substrat positioniert. Ein Deckel, der aus einem Halbleitermaterial besteht, wird über dem Bauelement positioniert, um einen Schutzhohlraum um das Bauelement zu bilden. Der Deckel wird mittels eines Halbleiterprozesses ausgebildet. In anderen Beispielen kann der Deckel aus einem nicht-leitfähigen Material hergestellt sein, wie zum Beispiel einem Polymermaterial. Die Deckel können im Rahmen eines diskontinuierlichen Prozesses ausgebildet werden.

公开(公告)号：DE102017223689A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017223689

申请日：2017-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  WAECHTER CLAUS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/24 ,  H01L23/50 ,  H01L23/62

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst: eine Platine; ein Halbleiterpackage mit einer Hauptoberfläche, wobei das Halbleiterpackage auf der Platine angeordnet ist und die Hauptoberfläche der Platine zugewandt ist; ein auf der Hauptoberfläche oder innerhalb des Halbleiterpackage angeordnetes Hochfrequenzleitungselement des Halbleiterpackage, wobei das Hochfrequenzleitungselement dazu ausgelegt ist, ein Signal mit einer Frequenz von größer als 10GHz zu übertragen; und ein Unterfüllmaterial, welches zwischen der Platine und dem Halbleiterpackage angeordnet ist, wobei sich das Hochfrequenzleitungselement und das Unterfüllmaterial in einer Orthogonalprojektion auf die Hauptoberfläche nicht überlappen.

公开(公告)号：DE102017202578A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip und eine Umverteilungsschicht auf einer ersten Seite des Halbleiterchips. Die Umverteilungsschicht ist mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt. Die Halbleitervorrichtung enthält eine Dielektrikumschicht und eine Antenne auf der Dielektrikumschicht. Die Dielektrikumschicht ist zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip.

公开(公告)号：DE102015102535A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：DE102015102535

申请日：2015-02-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÄCHTER CLAUS VON ,  PORWOL DANIEL ,  HÖCKELE UWE ,  DÖPKE HOLGER ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  ALTSCHAEFFL CHRISTIAN ,  SCHMIDT TOBIAS ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  SCHWEIGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verbundsystem weist einen rekonstituierten Wafer mit einem hygroskopischen Material auf. Eine Feuchtigkeitssperrschicht ist über einer Oberfläche des rekonstituierten Wafers angeordnet. Eine Haftschicht ist über einer dem rekonstituierten Wafer gegenüberliegenden Oberfläche der Feuchtigkeitssperre angeordnet. Ein Träger ist über einer der Feuchtigkeitssperre gegenüberliegenden Oberfläche der Haftschicht angeordnet. Die Haftschicht verbindet den rekonstituierten Wafer haftend mit dem Träger.