公开(公告)号：DE102018100843A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018100843

申请日：2018-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  HARTNER WALTER ,  HUBER VERONIKA ,  ROBL WERNER ,  BERGER RUDOLF

IPC: H01L23/482 ,  C23C30/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst: einen Halbleiterchip; ein elektrisches Anschlusselement zum elektrischen Verbinden der Halbleitervorrichtung mit einem Träger; und eine an das elektrische Anschlusselement angrenzende Metallisierung, wobei die Metallisierung poröses nanokristallines Kupfer enthält.

公开(公告)号：DE102017202578B4

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:einen Halbleiterchip (502);ein Guss-Einkapselungsmaterial (506), das den Halbleiterchip seitlich umgibt;eine Umverteilungsschicht (512) auf einer ersten Seite des Halbleiterchips, wobei die Umverteilungsschicht mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist;eine Dielektrikumschicht (526) bestehend aus einem Laminat;eine leitfähige Schicht (514) zwischen der Dielektrikumschicht und dem Halbleiterchip, wobei die leitfähige Schicht an der Dielektrikumschicht gebildet ist;eine Chipbefestigungsfolie (516), mittels welcher die leitfähige Schicht (514) an dem Guss-Einkapselungsmaterial (506) und an einer zweiten Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite befestigt ist; undeine Antenne (518) auf der Dielektrikumschicht,wobei die Dielektrikumschicht zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip ist.

公开(公告)号：DE102014111420A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Ein Halbleitergehäuse wird durch Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips, einem Bereitstellen eines Materials, das mit dem Nacktchip an einer gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips verbunden ist und einem solchen Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse hergestellt, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist. Die Formmasse wird an einer Seite der Formmasse, benachbart zu der zweiten Seite des Nacktchips, gedünnt, um das Material an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen. Eine elektrische Verbindung wird mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips ausgebildet. Im Fall eines Transistor-Nacktchips kann der Anschluss ein Source-Anschluss sein, und der Transistor-Nacktchip kann mit der Source nach unten an einem Metallblock wie einem Diepaddle eines Leiterrahmens angebracht sein.

公开(公告)号：DE102014111420B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips;Plattieren einer Kupferschicht an einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips, wobei das Plattieren auf Wafer-Ebene erfolgt;Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist;Dünnen der Formmasse an einer zu der zweiten Seite des Nacktchips benachbarten Seite der Formmasse, um die Kupferschicht an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen; undAusbilden einer elektrischen Verbindung mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips.

公开(公告)号：DE102017202578A1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：DE102017202578

申请日：2017-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAHETI ASHUTOSH ,  HUBER VERONIKA ,  HUYNH NGOC-HOA ,  KILGER THOMAS ,  MAIER DOMINIC ,  MEYER-BERG GEORG ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  TROTTA SAVERIO ,  WAECHTER CLAUS ,  WOJNOWSKY MACIEJ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip und eine Umverteilungsschicht auf einer ersten Seite des Halbleiterchips. Die Umverteilungsschicht ist mit dem Halbleiterchip elektrisch gekoppelt. Die Halbleitervorrichtung enthält eine Dielektrikumschicht und eine Antenne auf der Dielektrikumschicht. Die Dielektrikumschicht ist zwischen der Antenne und dem Halbleiterchip.