公开(公告)号：DE102018110240A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018110240

申请日：2018-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUMBEL OLIVER ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  LEITL BERNHARD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SCHMIDT GERHARD ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  KOPROWSKI ANGELIKA

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungshalbleitervorrichtung umfasst ein Aussetzen eines Halbleitersubstrats gegenüber einem Plasma, um eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat auszubilden. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat und eine Schutzstoffschicht auf dem Halbleitersubstrat.

公开(公告)号：DE102006042026A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：DE102006042026

申请日：2006-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LACKNER GERALD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAV

IPC: H01L21/68

公开(公告)号：DE102006042026B4

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102006042026

申请日：2006-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LACKNER GERALD ,  MAIER CHRISTIAN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER DR

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: Eine Vorrichtung (1) umfassend: einen Körper (2) mit einer Oberfläche (5) zum Auf legen einer Halbleiterscheibe (7), wobei die Oberfläche (5) aufweist: einen ersten Oberflächenbereich (5a), der eine erste Ebene (10a) definiert; einen zweiten Oberflächenbereich (5b), der in Bezug auf den ersten Oberflächenbereich (5a) vorsteht, wobei der zweite Oberflächenbereich (5b) eine zweite, zur ersten Ebene (10a) koplanare Ebene (10b) definiert, wobei der Abstand der ersten Ebene (10a) zu der zweiten Ebene (10b) größer als 100 Mikrometer ist; und eine Halbleiterscheibe (7), die in einem äußeren ersten Bereich (7a) dicker als in einem inneren zweiten Bereich (7b) ist, wobei die Halbleiterscheibe mit dem ersten Bereich (7a) auf dem ersten Oberflächenbereich (5a) und mit dem zweiten Bereich (7b) auf dem zweiten Oberflächenbereich (5b) des Körpers (5) aufliegt.

公开(公告)号：GB2527921A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：GB201508062

申请日：2015-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUCHER MANFRED ,  MAIER CHRISTIAN ,  MALE MATTHIAS ,  SCHWEIZER PHILEMON ,  STEINER THOMAS

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: A chuck system 10 for handling a wafer 12 that comprises a first and a second main surface, the chuck system 10 comprises a chuck 14 configured to hold the wafer 12 at the second main surface facing the chuck 14; a release device 16; and an actuator 17 configured to lift the release device 16 away from the chuck 14, where the release device 16 is configured such that the release device 16 mechanically engages with the wafer 14 at an edge portion of the second main surface of the wafer 18 when being lifted, thereby releasing the wafer 12 from the chuck 14. The release device 16 may be configured to mechanically engage with the wafer 12 at a number of discrete sections of the edge portion 18, the discrete sections may extend from the outer circumference of the wafer 12 to less than 1/50 of the size of the wafer.

公开(公告)号：DE102015208699A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：DE102015208699

申请日：2015-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUCHER MANFRED ,  MAIER CHRISTIAN ,  MALE MATHIAS ,  SCHWEIZER PHILEMON ,  STEINER THOMAS

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H02N13/00

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen ein Einspannsystem zur Handhabung eines Wafers bereit, der eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche umfasst. Das Einspannsystem umfasst eine Einspannvorrichtung, die konfiguriert ist, den Wafer an der zweiten Hauptoberfläche zu halten, die zu der Einspannvorrichtung gerichtet ist. Das Einspannsystem umfasst ferner einen Aktor, der konfiguriert ist, die Freigabevorrichtung von dem der Einspannvorrichtung anzuheben. Die Freigabevorrichtung ist derart konfiguriert, dass die Freigabevorrichtung in den Wafer an einem Randabschnitt der zweiten Hauptoberfläche des Wafers mechanisch eingreift, wenn dieser angehoben wird, sodass der Wafer von der Einspannvorrichtung freigegeben wird.

公开(公告)号：DE102018121897A1

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102018121897

申请日：2018-09-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  STEINBRENNER JÜRGEN ,  MAIER CHRISTIAN ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  HUMBEL OLIVER ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  SCHMIDT GERHARD

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/302 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterkörper (100) und einen ersten Bereich (410), der Silizium und Stickstoff enthält. Der erste Bereich (410) ist mit dem Halbleiterkörper (100) in direktem Kontakt. Ein zweiter Bereich (420), der Silizium und Stickstoff enthält, ist mit dem ersten Bereich (410) in direktem Kontakt. Der erste Bereich (410) liegt zwischen dem Halbleiterkörper (100) und dem zweiten Bereich (420). Ein durchschnittlicher Siliziumgehalt im ersten Bereich (410) ist höher als im zweiten Bereich (420).

公开(公告)号：DE102016109610A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102016109610

申请日：2016-05-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAHN MARKUS ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  MAIER CHRISTIAN ,  SCHMIDT GERHARD ,  STEINBRENNER JÜRGEN

IPC: C23C16/02 ,  C23C14/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/314

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten einer Halbleiterschicht Folgendes enthalten: Erzeugen eines Ätzplasmas in einer Plasmakammer einer entfernten Plasmaquelle, wobei die Plasmakammer der entfernten Plasmaquelle mit einer Bearbeitungskammer zum Bearbeiten der Halbleiterschicht gekoppelt ist (110); Einführen des Ätzplasmas in die Bearbeitungskammer, um eine natürliche Oxidschicht von einer Oberfläche der Halbleiterschicht und höchstens eine vernachlässigbare Menge von Halbleitermaterial der Halbleiterschicht zu entfernen (120); und nachfolgend Aufbringen einer dielektrischen Schicht direkt auf die Oberfläche der Halbleiterschicht (130).