公开(公告)号：DE102005025465B4

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：DE102005025465

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  KNAUER EDUARD ,  ROESL KONRAD ,  MEDERER PETER

IPC: H01L23/16 ,  C08G73/06 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D177/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49

公开(公告)号：DE102013114682B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102013114682

申请日：2013-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROENINGER HORST ,  ROESL KONRAD

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: Aufnahmekopf, umfassend:eine Düse (110), die einen ersten Endabschnitt (111) und einen zweiten Endabschnitt (113) umfasst;ein Basiswerkzeug (120), das einen Spannzangenkopf (140) umfasst, wobei das Basiswerkzeug (120) eine Aussparung (128) umfasst, und wobei der erste Endabschnitt (111) der Düse (110) in der Aussparung (128) angeordnet ist,wobei der erste Endabschnitt (111) der Düse (110) kardanringartig an dem Basiswerkzeug (120) angebracht ist; undeine Abdeckung (160), wobei die Abdeckung (160) auf einer ersten Hauptfläche des Basiswerkzeugs (120) montiert wird, so dass die Düse (110) kardanringartig an dem Basiswerkzeug (120) angebracht ist, wobei die Abdeckung (160) eine Blattfeder ist.

公开(公告)号：DE102012111654A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JUERSS MICHAEL ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Das elektronische Bauelement enthält einen Träger, ein an dem Träger angebrachtes Halbleiter-Substrat und ein zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Träger angeordnetes Schichtsystem. Das Schichtsystem enthält eine auf dem Halbleiter-Substrat angeordnete elektrische Kontaktschicht. Eine Funktionsschicht ist auf der elektrischen Kontaktschicht angeordnet. Eine Klebeschicht ist auf der Funktionsschicht angeordnet. Eine Lötschicht ist zwischen der Klebeschicht und dem Träger angeordnet.

公开(公告)号：DE102005058654A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：DE102005058654

申请日：2005-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  RIEDL EDMUND ,  GALESIC IVAN ,  ROESL KONRAD

IPC: H01L21/60

Abstract: A method for the planar joining of components of semiconductor devices involves coating the components with diffusion materials on their upper sides and rear sides, respectively. Subsequently, the components to be joined one on the other are introduced into a reducing atmosphere. The components are aligned and a compressive pressure is exerted on the aligned components. While heating up the components to be joined in the reducing atmosphere to a diffusion joining temperature, isothermal solidification takes place, the diffusion joining temperature lying below the melting temperature of the forming diffusion joint of the joined material.

公开(公告)号：DE102005025465A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：DE102005025465

申请日：2005-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  KNAUER EDUARD ,  ROESL KONRAD ,  MEDERER PETER

IPC: H01L23/16 ,  C08G59/18 ,  C08G73/06 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D177/00 ,  C09D179/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49

Abstract: Semiconductor unit comprises: a circuit carrier (2) with interior contact areas (5), exhibiting a first material with a first electro-chemical potential; a semiconductor chip (3) with an active surface (13) and a flipside (11), where the active surface exhibits chip contact areas (14) having a second material with second electro-chemical potential; and bonding wire connections (15) between the chip contact areas and the interior contact areas of the circuit carrier, where the bonding wire connection exhibits a third material with a third electro-chemical potential. Semiconductor unit comprises: a circuit carrier (2) with interior contact areas (5), exhibiting a first material with a first electro-chemical potential; a semiconductor chip (3) with an active surface (13) and a flipside (11), where the active surface exhibits chip contact areas (14) having a second material with second electro-chemical potential; and bonding wire connections (15) between the chip contact areas and the interior contact areas of the circuit carrier, where the bonding wire connection exhibits a third material with a third electro-chemical potential, and the connection place between the chip contact areas and the bonding wire connection and/or the connection place between the interior contact areas and the bonding wire connection are coated with a corrosion protecting layer. An independent claim is included for the preparation of the semiconductor unit.

公开(公告)号：DE102013114682A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102013114682

申请日：2013-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GROENINGER HORST ,  ROESL KONRAD

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/683

Abstract: Es werden ein selbstausrichtender Aufnahmekopf, ein Verfahren zum Herstellen eines Aufnahmekopfes und ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements offenbart. In einer Ausführungsform enthält ein Aufnahmekopf eine Düse mit einem ersten Endabschnitt und einem zweiten Endabschnitt und ein Basiswerkzeug, das einen Spannzangenkopf umfasst, wobei der erste Endabschnitt der Düse kardanringartig an dem Basiswerkzeug angebracht ist.

公开(公告)号：DE102012100429A8

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE102012100429

申请日：2012-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102012100429A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102012100429

申请日：2012-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptfläche und einer Schicht Lötmaterial, die auf die erste Hauptfläche aufgebracht ist, wobei die Schicht Lötmaterial eine Rauigkeit von mindestens 1 μm aufweist. Der Halbleiterchip wird auf einem Träger platziert, so dass die erste Hauptfläche des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist. Der Halbleiterchip wird mit einem Druck von mindestens 1 Newton pro mm2 des Flächeninhalts der ersten Hauptfläche auf den Träger gepresst, und dem Lötmaterial wird Wärme zugeführt.

公开(公告)号：DE102004058878A1

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE102004058878

申请日：2004-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  GALESIC IVAN ,  ROESL KONRAD ,  MAHLERL JOACHIM ,  RIEDL EDMUND

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

Abstract: The invention relates to a semiconductor component (4) with at least one chip (2) and one substrate (7). The chip (2) has a rear side (6) that is connected to a first surface (8) of the substrate (7) by means of diffusion soldering. To this end, recesses (11) are made in the first surface (8) of the substrate (7) whereby having intermetallic phases that are formed during the diffusion soldering. The invention also relates to methods for producing a semiconductor component (4) involving the following steps: coating a rear side (6) of a chip (2) with a soldering metal that is suited for diffusion soldering; manufacturing the substrate (7) with a first surface (8) that is made of a material suited for diffusion soldering; making recesses (11) in the first surface (8) of the substrate (7), and; connecting the rear side (6) of the chip (2) to the first surface (8) of the substrate (7) by diffusion soldering.