公开(公告)号：DE102012104948B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102012104948

申请日：2012-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENS THOMAS ,  EICHINGER OLIVER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LIM FONG ,  MENGEL MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ORSO STEFFEN ,  RIEDL EDMUND

IPC: B23K35/28 ,  C22C18/00 ,  C22C18/04 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  H01L23/488

Abstract: Lotlegierung aufweisend:Zink, Aluminium, Magnesium und Gallium, wobei das Aluminium bezogen auf das Gewicht 8% bis 20% der Legierung ausmacht, das Magnesium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und das Gallium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und wobei der Rest der Legierung Zink aufweist.

公开(公告)号：DE102012100429A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102012100429

申请日：2012-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptfläche und einer Schicht Lötmaterial, die auf die erste Hauptfläche aufgebracht ist, wobei die Schicht Lötmaterial eine Rauigkeit von mindestens 1 μm aufweist. Der Halbleiterchip wird auf einem Träger platziert, so dass die erste Hauptfläche des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist. Der Halbleiterchip wird mit einem Druck von mindestens 1 Newton pro mm2 des Flächeninhalts der ersten Hauptfläche auf den Träger gepresst, und dem Lötmaterial wird Wärme zugeführt.

公开(公告)号：DE102012104948A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012104948

申请日：2012-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEHRENS THOMAS ,  EICHINGER OLIVER ,  HEINRICH ALEXANDER ,  LIM FONG ,  MENGEL MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  ORSO STEFFEN ,  RIEDL EDMUND

IPC: B23K35/30

Abstract: Eine Lotlegierung wird bereitgestellt, wobei die Lotlegierung Zink, Aluminium, Magnesium und Gallium aufweist, wobei das Aluminium bezogen auf das Gewicht 8% bis 20% der Legierung ausmacht, das Magnesium bezogen auf das Gewicht 0,5% bis 20% der Legierung ausmacht und das Gallium bezogen auf das Gewicht 0,5 bis 20% der Legierung ausmacht und der Rest der Legierung Zink aufweist.

公开(公告)号：DE102012111654A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JUERSS MICHAEL ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS ,  HEINRICH ALEXANDER

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Das elektronische Bauelement enthält einen Träger, ein an dem Träger angebrachtes Halbleiter-Substrat und ein zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Träger angeordnetes Schichtsystem. Das Schichtsystem enthält eine auf dem Halbleiter-Substrat angeordnete elektrische Kontaktschicht. Eine Funktionsschicht ist auf der elektrischen Kontaktschicht angeordnet. Eine Klebeschicht ist auf der Funktionsschicht angeordnet. Eine Lötschicht ist zwischen der Klebeschicht und dem Träger angeordnet.

公开(公告)号：DE102011053856A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053856

申请日：2011-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EICHINGER OLIVER ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/34

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Minimieren der Trägerbelastung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. In einer Ausführungsform wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die einen Träger (103), der ein mit einem metallischen Werkstoff (402, 604) beschichtetes Gitternetz (200, 602) aufweist, und einen Halbleiterchip (102), der über dem Träger (103) angeordnet ist, aufweist.

公开(公告)号：DE102012100429B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102012100429

申请日：2012-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  RÖSL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren, welches aufweist:Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptfläche und einer Schicht Lötmaterial, die auf die erste Hauptfläche aufgebracht ist, wobei die Schicht Lötmaterial eine Rauigkeit von mindestens 1 µm aufweist;Platzieren des Halbleiterchips auf einem Träger, so dass die erste Hauptfläche des Halbleiterchips dem Träger zugewandt ist, wobei der Halbleiterchip mit einem Druck von mindestens 1 Newton pro mmdes Flächeninhalts der ersten Hauptfläche auf den Träger gepresst wird;Zuführen von Wärme zu dem Lötmaterial bis zu einer ersten Temperatur, welche niedriger als die Schmelztemperatur des Lötmaterials ist, und dadurch Erzeugen von intermetallischen Phasen zwischen einem ersten Teil des Lötmaterials und dem Träger; undErwärmen des Lötmaterials auf eine zweite Temperatur, welche höher als die Schmelztemperatur des Lötmaterials, aber niedriger als die Schmelztemperatur der intermetallischen Phasen ist, und dadurch Schmelzen eines zweiten Teils des Lötmaterials.

公开(公告)号：DE102012111654B4

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102012111654

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  JUERSS MICHAEL ,  RÖSL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER ,  GOH KOK CHAI ,  SCHMIDT TOBIAS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58 ,  H01L23/482

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements (10), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellung eines Halbleiter-Substrats (2);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Al direkt auf das Halbleiter-Substrat (2) zum Bilden einer elektrischen Kontaktschicht (3.1) auf dem Halbleiter-Substrat (2);Abscheiden von Ti oder einer Ti aufweisenden Legierung direkt auf die elektrische Kontaktschicht (3.1) zum Bilden einer Funktionsschicht (3.2);Abscheiden von Ni direkt auf die Funktionsschicht (3.2) zum Bilden einer Haftschicht (3.3);Abscheiden einer Einzelelementschicht aus Sn direkt auf die Haftschicht (3.3) zum Bilden einer Lötschicht (3.4);Abscheiden einer Schutzschicht (43.5) auf der Lötschicht (3.4); Bereitstellung eines Trägers (1, 41), wobei die Oberfläche des Trägers (1, 41) mit einer oder mehreren Metallschichten (41.1) beschichtet ist, und wobei die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) Ni als Grundmaterial umfasst; undBonden des Halbleiter-Substrats (2) auf den Träger (1, 41), wobei die Schutzschicht (43.5) die Metallschicht oder die oberste der mehreren Metallschichten (41.1) kontaktiert, bei einer Löttemperatur, die zu einer isothermen Erstarrung unter Bildung einer homogenen Schicht einer Legierungsphase aus Sn und Ni führt.

公开(公告)号：DE102012100429A8

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE102012100429

申请日：2012-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICH ALEXANDER ,  ROESL KONRAD ,  EICHINGER OLIVER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/48