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公开(公告)号:DE102013218268A1
公开(公告)日:2015-03-26
申请号:DE102013218268
申请日:2013-09-12
Applicant: OSRAM GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KALTENBACHER AXEL , BECKER DIRK , GHASEMI AFSHAR FARHANG
IPC: H01L33/60 , H01L25/075
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Träger für wenigstens eine Halbleiter-Lichtquelle. Der Träger weist ein Reflexionselement zur Strahlungsreflexion auf. Das Reflexionselement weist eine erste Seite zum Tragen der wenigstens einer Halbleiter-Lichtquelle und eine der ersten Seite entgegen gesetzte zweite Seite auf. Der Träger weist des Weiteren eine an das Reflexionselement angrenzende Isolationsschicht auf. Das Reflexionselement ist umfangsseitig von der Isolationsschicht umgeben. Die Erfindung betrifft ferner eine Leuchtvorrichtung mit einem solchen Träger, und ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung.
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公开(公告)号:DE112017005097A5
公开(公告)日:2019-08-01
申请号:DE112017005097
申请日:2017-10-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BECKER DIRK , SPERL MATTHIAS
IPC: H01L31/0232 , H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L31/167
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公开(公告)号:DE102016118996A1
公开(公告)日:2018-04-12
申请号:DE102016118996
申请日:2016-10-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BECKER DIRK , SPERL MATTHIAS
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L31/18 , H01L33/48
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Sensoren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Trägerplatte und ein Anordnen von Halbleiterchips auf der Trägerplatte. Die auf der Trägerplatte angeordneten Halbleiterchips umfassen wenigstens strahlungsdetektierende Halbleiterchips. Weiter vorgesehen ist ein Bereitstellen von strahlungsdurchlässigen optischen Elementen auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte. In diesem Schritt werden mehrere strahlungsdurchlässige optische Elemente gemeinsam auf der mit den Halbleiterchips versehenen Trägerplatte bereitgestellt. Ferner erfolgt ein Vereinzeln der mit den Halbleiterchips und den strahlungsdurchlässigen optischen Elementen versehenen Trägerplatte, so dass separate Sensoren gebildet werden, welche jeweils einen Abschnitt der Trägerplatte, wenigstens einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip und wenigstens ein strahlungsdurchlässiges optisches Element aufweisen.
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公开(公告)号:DE102011079160A1
公开(公告)日:2013-01-17
申请号:DE102011079160
申请日:2011-07-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BAISL RICHARD , BECKER DIRK , DOBBERTIN THOMAS , FISCHER DOREEN , KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS , LANG ERWIN , SCHLENKER TILMAN , SCHMID CHRISTIAN
Abstract: Eine Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement weist auf: eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.
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公开(公告)号:DE102009034822A1
公开(公告)日:2011-02-03
申请号:DE102009034822
申请日:2009-07-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BECKER DIRK , DOBBERTIN THOMAS , REUSCH THILO , LANG ERWIN
IPC: H01L51/52
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (100), das ein Substrat (1), wenigstens eine auf dem Substrat (1) angeordnete, erste Elektrode (3) und auf der dem Substrat (1) zugewandten Seite der Elektrode (3) eine Aufwachsschicht (7), aufweist, wobei die auf der Aufwachsschicht (7) angeordnete Elektrode (3) eine Metallschicht (9) mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30 nm aufweist und die Aufwachsschicht (7) eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen elektrischen Kontakt.
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公开(公告)号:DE102017101945A1
公开(公告)日:2018-08-02
申请号:DE102017101945
申请日:2017-02-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BECKER DIRK , HAUSHALTER MARTIN , JÄGER CLAUS
Abstract: Messanordnung mit einem optischen Sender und einem op-tischen Empfänger, wobei der Sender ausgebildet ist, um elektromagnetische Messstrahlung in einen Senderaum auszusenden, wobei der Empfänger ausgebildet ist, um von einem Objekt reflektierte Messstrahlung von einem Empfangsraum zu empfangen, wobei Mittel vorgesehen sind, um einen Empfang von Störstrahlung, die nicht vom Objekt reflektierte Messstrahlung darstellt, durch den Empfänger zu reduzieren.
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公开(公告)号:DE102009024411A1
公开(公告)日:2010-09-30
申请号:DE102009024411
申请日:2009-06-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BECKER DIRK , DOBBERTIN THOMAS , LANG ERWIN , REUSCH THILO
Abstract: Es wird eine Dünnschichtverkapselung (1) für ein optoelektronisches Bauelement offenbart. Die Dünnschichtverkapselung (1) weist eine Schichtenfolge (2) auf, die folgende Schichten umfasst: - eine erste mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (3), und - eine zweite mittels Atomlagenabscheidung abgeschiedene ALD-Schicht (4). Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung der Dünnschichtverkapselung und ein optoelektronisches Bauelement mit einer solchen Dünnschichtverkapselung beschrieben.
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公开(公告)号:DE102008023874A1
公开(公告)日:2009-08-27
申请号:DE102008023874
申请日:2008-05-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: LANG ERWIN , KLEIN MARKUS , WITTMANN MARTIN , BECKER DIRK , DOBBERTIN THOMAS , JAEGER ARNDT , DIEKMANN KARSTEN
Abstract: A radiation-emitting arrangement comprises, in particular, a carrier element (1) having an at least partly non-transparent main surface (10) and arranged on the carrier element (1), an organic radiation-emitting component (2) having an organic layer sequence (23) with an active region between an at least partly transparent first electrode (21) and an at least partly transparent second electrode (22). The active region (29) is suitable for generating electromagnetic radiation (91, 93) in a switched-on operating state. The radiation-emitting arrangement has a radiation exit area (3) for emitting the electromagnetic radiation (92, 93) on that side of the organic radiation-emitting component (2) which faces away from the carrier element. (1) The at least partly non-transparent main surface (10) of the carrier element (1) is perceptible by an external observer through the radiation exit area (3) in a switched-off operating state of the organic radiation-emitting component (2).
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公开(公告)号:DE102021132716A1
公开(公告)日:2023-06-15
申请号:DE102021132716
申请日:2021-12-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER JENS , BECKER DIRK , ADHIKARI SUMIT
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Entfernungssensor zum Detektieren eines Objekts in einem Erfassungsbereich des Entfernungssensors. Dieser umfasst ein Sensorgehäuse mit einer Vielzahl von Anschlussbereichen, eine Lichtemittereinheit zur Erzeugung von Licht wenigstens einer ersten Wellenlänge, wenigstens einen ersten Detektor zum Empfangen einer Lichtstärke, der von dem Emitter in einem ersten Abstand angeordnet ist, und wenigstens einen zweiten Detektor zum Empfangen einer Lichtstärke, der von dem Emitter in einem zweiten Abstand angeordnet ist. Zudem ist eine Auswerteschaltung vorgesehen, die mit dem ersten und zweiten Detektor verbunden und ausgebildet ist, aus Signalen korrespondierend zu den erfassten Lichtstärken und dem ersten sowie zweiten Abstand eine Entfernung zu einem im Erfassungsbereich des Entfernungssensors positioniertem Objekt zu ermitteln.
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公开(公告)号:DE112017006679A5
公开(公告)日:2019-12-24
申请号:DE112017006679
申请日:2017-12-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HASLBECK STEPHAN , BECKER DIRK
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