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公开(公告)号:DE112020004454A5
公开(公告)日:2022-08-04
申请号:DE112020004454
申请日:2020-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER JENS , SÖLL CHRISTOPHER
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公开(公告)号:DE102018128847A1
公开(公告)日:2020-05-20
申请号:DE102018128847
申请日:2018-11-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER JENS , KÖSLER MARKUS , SÖLL CHRISTOPHER
Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung umfasst mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente (11, 12, 13), die jeweils zum Erzeugen von Licht einer bestimmten Farbe ausgelegt sind, und eine Steuereinheit (15) zum Steuern des Stromflusses durch die optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11, 12, 13), wobei die Steuereinheit (15) zum Erzeugen einer gewünschten optischen Ausgangsleistung eines der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11, 12, 13) einen Strom durch das optoelektronische Halbleiterbauelement (11, 12, 13) erzeugt, welcher dem Quotienten aus der gewünschten optischen Ausgangsleistung und der über dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (11, 12, 13) abfallenden Spannung multipliziert mit einem vorgegebenen Faktor 1/η und addiert mit einem vorgegebenen Stromwert Ientspricht, und wobei die Werte für η und Ivon der Farbe des von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (11, 12, 13) erzeugten Lichts abhängen.
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公开(公告)号:DE102021132716A1
公开(公告)日:2023-06-15
申请号:DE102021132716
申请日:2021-12-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER JENS , BECKER DIRK , ADHIKARI SUMIT
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Entfernungssensor zum Detektieren eines Objekts in einem Erfassungsbereich des Entfernungssensors. Dieser umfasst ein Sensorgehäuse mit einer Vielzahl von Anschlussbereichen, eine Lichtemittereinheit zur Erzeugung von Licht wenigstens einer ersten Wellenlänge, wenigstens einen ersten Detektor zum Empfangen einer Lichtstärke, der von dem Emitter in einem ersten Abstand angeordnet ist, und wenigstens einen zweiten Detektor zum Empfangen einer Lichtstärke, der von dem Emitter in einem zweiten Abstand angeordnet ist. Zudem ist eine Auswerteschaltung vorgesehen, die mit dem ersten und zweiten Detektor verbunden und ausgebildet ist, aus Signalen korrespondierend zu den erfassten Lichtstärken und dem ersten sowie zweiten Abstand eine Entfernung zu einem im Erfassungsbereich des Entfernungssensors positioniertem Objekt zu ermitteln.
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公开(公告)号:DE112020005421A5
公开(公告)日:2022-10-06
申请号:DE112020005421
申请日:2020-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HALBRITTER HUBERT , RICHTER JENS , REGAU KILIAN , HÖRNER PATRICK
IPC: G09G3/32 , G09G3/3225
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公开(公告)号:DE112020000567A5
公开(公告)日:2021-12-02
申请号:DE112020000567
申请日:2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BAUMHEINRICH THORSTEN , BEHRINGER MARTIN , BIEBERSDORF ANDREAS , BOSS RUTH , BRANDL MICHAEL , BRICK PETER , DROLET JEAN-JAQUES , HALBRITTER HUBERT , KREINER LAURA , LANG ERWIN , LEBER ANDREAS , MEYER TOBIAS , PFEUFFER ALEXANDER , PHILIPPENS MARC , RICHTER JENS , SCHWARZ THOMAS , TA PAUL , VARGHESE TANSEN , WANG XUE , WITTMANN SEBASTIAN , STOLZ JULIA , DIEKMANN KARSTEN , ENGL KARL , HERRMANN SIEGFRIED , HAHN BERTHOLD , ILLEK STEFAN , JENTZSCH BRUNO , PERZLMAIER KORBINIAN , PIETZONKA INES , RAUSCH ANDREAS , REGAU KILIAN , RUEGHEIMER TILMAN , SCHWALENBERG SIMON , SOELL CHRISTOPHER , STAUSS PETER , SUNDGREN PETRUS , VU HOA , WIESMANN CHRISTOPHER , BOGNER GEORG , HÖRNER PATRICK , KLEMP CHRISTOPH , MÜLLER JENS , NEVELING KERSTIN , PARK JONG , RAFAEL CHRISTINE , SINGER FRANK , CHAND KANISHK , FEIX FELIX , MÜLLER CHRISTIAN , RUMMEL EVA-MARIA , HEITZER NICOLE , ASSMANN MARIE , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
IPC: H01L33/62 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
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公开(公告)号:DE102018131023A1
公开(公告)日:2020-06-25
申请号:DE102018131023
申请日:2018-12-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HALBRITTER HUBERT , RICHTER JENS
IPC: H05B45/325 , G09G3/32 , H01L27/15
Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (11), das ausgebildet ist, Licht zu erzeugen, eine Stromquelle (12), die ausgebildet ist, einen Strom zu erzeugen, und einen mit einem pulsweitenmodulierten Signal angesteuerten PWM-Transistor (13), der in Abhängigkeit von dem pulsweitenmodulierten Signal einen ersten Zustand oder einen zweiten Zustand annimmt und der ausgebildet ist, das optoelektronische Halbleiterbauelement (11) im ersten Zustand mit dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu versorgen und im zweiten Zustand von dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu entkoppeln, wobei die Stromquelle (12) mittels einer ersten Technologie hergestellt ist und der PWM-Transistor (13) mittels einer zweiten Technologie hergestellt ist.
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公开(公告)号:DE102017125276A1
公开(公告)日:2019-05-02
申请号:DE102017125276
申请日:2017-10-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHWARZ THOMAS , HÖPPEL LUTZ , BAUMHEINRICH THORSTEN FRANK , RICHTER JENS
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: Das Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterchips (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Halbleitersubstrat (1) mit mehreren integrierten elektronischen Schaltungen (2) auf einer Oberseite (10) des Halbleitersubstrats bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird eine Opferschicht (3) auf eine Seite der Halbleitersubstrats aufgebracht. In einem Schritt C) werden Löcher (30) in die Opferschicht eingebracht, so dass über jeder elektronischen Schaltung zumindest ein Loch entsteht. In einem Schritt D) wird das Halbleitersubstrat mit der Opferschicht voran auf einen Träger (5) aufgeklebt, wobei eine Klebeschicht (4) zwischen der Opferschicht und dem Träger verwendet wird und wobei die Klebeschicht die Löcher auffüllt, sodass in den Löchern Halteelemente (40) aus der Klebeschicht entstehen. In einem Schritt E) wird das Halbleitersubstrat gedünnt. In einem Schritt F) werden Trenngräben (6) zwischen den elektronischen Schaltungen eingebracht, die sich von einer dem Träger abgewandten Seite der elektronischen Schaltungen bis zur Opferschicht erstrecken und das gedünnte Halbleitersubstrat durchdringen. In einem Schritt G) wird die Opferschicht im Bereich zwischen den elektronischen Schaltungen und dem Träger entfernt.
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公开(公告)号:DE102021115049A1
公开(公告)日:2022-12-15
申请号:DE102021115049
申请日:2021-06-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KUDAEV SERGEY , RICHTER JENS , FLOCK KLAUS
IPC: A61B5/024 , G01N21/49 , A61B5/0295 , F21V8/00 , G01N33/483 , G01N33/49 , G01V8/12 , H01L25/16 , H01L31/0203
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen mit einem Gehäuse mit einer transparenten Auflagefläche. In einem ersten Bereich des Gehäuses ist eine Emittervorrichtung vorgesehen, die zur Erzeugung und Abgabe von Licht in Richtung auf die Auflagefläche ausgeführt ist. Eine Detektorvorrichtung ist in einem zweiten Bereich des Gehäuses angeordnet. Zwischen der Detektorvorrichtung und der Auflagefläche befindet sich erstes optisches Lichtleiterelement, das ausgestaltet ist, Licht, welches mit einem Winkel kleiner als ein vorgegebener Winkel zu einer Senkrechten auf die Auflagefläche trifft auf die Detektorvorrichtung zu führen, wobei der vorgegebene Winkel zumindest von einem Unterschied der Brechungsindices an einer Grenzfläche zwischen dem optischen Lichtleiterelement und einem das optische Lichtleiterelement umgebenden Materials abhängt.
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公开(公告)号:DE112020000561A5
公开(公告)日:2021-12-02
申请号:DE112020000561
申请日:2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BAUMHEINRICH THORSTEN , DROLET JEAN-JACQUES , HALBRITTER HUBERT , RICHTER JENS , TA PAUL , REGAU KILIAN , SÖLL CHRISTOPHER , VU HOA , HÖRNER PATRICK , PARK JONG , CHAND KANISHK
IPC: G09G3/3233 , H05B45/30
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公开(公告)号:DE102018120730A1
公开(公告)日:2020-02-27
申请号:DE102018120730
申请日:2018-08-24
Applicant: OSRAM OLED GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: RICHTER JENS , REGAU KILIAN , HÖRNER PATRICK
IPC: G09G3/32 , H01L25/075
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Display (1) eine Vielzahl von Pixeln (2). Die Pixel (2) weisen zumindest eine Emittereinheit (21, 22, 23) auf. Die Emittereinheiten (21, 22, 23) umfassen je einen Primäremitter (31) und einen Sekundäremitter (32) zur Erzeugung von Licht der gleichen Farbe, wobei der Sekundäremitter (32) dem Primäremitter (31) der entsprechenden Emittereinheit (21, 22, 23) zugeordnet ist. Die Primäremitter (31) und die Sekundäremitter (32) basieren auf mindestens einem Halbleitermaterial. Ferner umfassen die Emittereinheiten (21, 22, 23) je eine Korrekturschaltung (4). Die Korrekturschaltungen (4) sind jeweils dazu eingerichtet, bei einem Defekt des zugehörigen Primäremitters (31) die Erzeugung von Licht vom Primäremitter (31) auf den zugeordneten Sekundäremitter (32) umschalten zu können.
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