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公开(公告)号：DE102008018038A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：DE102008018038
申请日：2008-04-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH
Abstract: An optoelectronic semiconductor body comprises a substrate (10), which has on a first main area (12) an epitaxial semiconductor layer sequence (20), suitable for generating electromagnetic radiation, in a first region (14) and a first trench (24) in a second region (22) adjacent to the first region (14), and at least one second trench (30) arranged outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and a method for producing an optoelectronic semiconductor body.
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公开(公告)号：DE102010020211A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：DE102010020211
申请日：2010-05-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS DR , GALESIC IVAN DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , ENGL KARL DR , MAUTE MARKUS DR
Abstract: Ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement (5) wird angegeben, der auf einem Trägerelement (1) zumindest eine Spiegelschicht (2) und ein funktionelles Material (3) aufweist, wobei die Spiegelschicht (2) Silber enthält, das funktionelle Material (3) in direktem Kontakt mit dem Silber steht, so dass das funktionelle Material (3) eine Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht (2) bewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger angegeben.
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公开(公告)号：DE102008063634A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102008063634
申请日：2008-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , STRAUS UWE , TAUTZ SOENKE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 µm beträgt.
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4.发明申请OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY 审中-公开光电子半导体本体及其制造方法的光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009103266A2
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/DE2009000191
申请日：2009-02-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH
Inventor： BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH
IPC: H01L21/782 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor body comprising a substrate (10), a first primary surface (12) of which having in a first region (14) a series of epitaxial semiconductor layers (20) for generating electromagnetic radiation and in a second region (22) adjoining the first (14) a first trench (24) and at least a second trench (30) located outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and to a method for producing an optoelectronic semiconductor body.
Abstract translation: 的光电子半导体本体包括在第一主表面（12）的基板（10）在第一区域（14），适于产生电磁辐射，外延半导体层序列（20）和相邻的一对第一区域（14）第二 区域（22）具有一个第一沟槽（24），并且其被布置在第一区域（14）之外的至少一个第二沟槽（30）。 本发明还涉及一种光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法。
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公开(公告)号：DE102011011140A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE102011011140
申请日：2011-02-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENGL KARL DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , MAUTE MARKUS , KASPRZAK-ZABLOCKA ANNA
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2) und einem Träger (7), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich (20) aufweist, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger zugewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, die zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordnet ist. Zwischen der ersten Anschlussschicht und dem Träger ist eine Verkapselungsschicht angeordnet, die in Aufsicht auf den Halbleiterchip zumindest bereichsweise über eine den Halbleiterkörper begrenzende Seitenfläche (26) hinausragt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102010036269A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：DE102010036269
申请日：2010-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENGL KARL DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , MAUTE MARKUS DR
IPC: H01L33/10
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist, der Leuchtdiodenchip (1) an einer der Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält, wobei auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur aufweist, dass sie die Spiegelschicht (6) nur in Teilbereichen (8) bedeckt.
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7.发明专利
公开(公告)号：DE102009035639A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：DE102009035639
申请日：2009-07-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , BRUENINGHOFF STEFANIE
Abstract: Es ist ein Breitstreifenlaser (1) vorgesehen, der einen epitaktischen Schichtenstapel (2), eine Oberseite (22) und eine Unterseite (23) aufweist. Der Schichtenstapel (2) weist eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (21) auf. Weiter weist der Schichtenstapel (2) Gräben (3) auf, in denen wenigstens eine Schicht des Schichtenstapels (2) zumindest teilweise entfernt ist und die von der Oberseite (22) in Richtung Unterseite (23) führen. Der Schichtenstapel (2) weist oberseitig Stege (4) auf, die jeweils an die Gräben (3) angrenzen, sodass der Schichtenstapel (2) oberseitig streifenförmig ausgebildet ist. Die Stege (4) und die Gräben (3) weisen jeweils eine Breite (d, d) von höchstens 20 µm auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Breitstreifenlasers (1) vorgesehen.
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公开(公告)号：DE102008064427A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：DE102008064427
申请日：2008-12-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH , SCHILLGALIES MARC , LUTGEN STEPHAN
Abstract: The component has a waveguide (20) for electromagnetic radiation and comprising a p-doped electron-blocking layer (4), a radiation-producing layer (6), and a spacer layer (5) made of gallium nitride. The spacer layer is arranged between the p-doped electron-blocking layer and the radiation-producing layer. The radiation-producing layer is made of nitride compound semiconductor material i.e. indium gallium nitride. The spacer layer exhibits thickness (D1) in the range of 15 nm to 40 nm. The waveguide exhibits thickness (D2) in the range of 400 nm to 540nm. An independent claim is also included for a method for operating an edge-emitting semiconductor laser component.
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公开(公告)号：DE102008010511A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：DE102008010511
申请日：2008-02-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRUENINGHOFF STEFANIE , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , LUTGEN STEPHAN
Abstract: The body (10) has a substrate (11) comprising a main surface (12) with an area (14), which is adjacent to another area (13). A semiconductor layer sequence (15), which is arranged on the main surface, and exhibits an active layer (16) that is suitable for generation of electromagnetic rays. A structure element (17) is arranged on the main surface in the area (14) and is formed as an elevation unit (18) or as a recess. The elevation unit exhibits a material arranged on the main surface. The structural element is formed such that the layer sequence exhibits a faulty zone (19) in the area (14). The material comprises oxide, nitride and metal. The sequence comprises an amorphous or polycrystalline orientation in the faulty zone. An independent claim is also included for a method for manufacturing the optoelectronic semiconductor body.
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10.发明申请LUMINOUS MEANS AND PROJECTOR COMPRISING AT LEAST ONE LUMINOUS MEANS OF THIS TYPE 审中-公开灯和投影仪至少有一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A3
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/DE2009001448
申请日：2009-10-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
Inventor： LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
Abstract: In at least one embodiment of the luminous means (1), the latter comprises at least one semiconductor laser (2) which is designed to emit a primary radiation (P) having a wavelength of between 360 nm and 485 nm inclusive. Furthermore, the luminous means (1) comprises at least one conversion means (3) which is disposed downstream of the semiconductor laser (2) and is designed to convert at least part of the primary radiation (P) into secondary radiation (S) having a greater wavelength that is different from the primary radiation (P). In this case, the radiation (R) emitted by the luminous means (1) exhibits an optical coherence length amounting to at most 50 µm.
Abstract translation: 在发光装置（1）的至少一个实施例中，这包括至少一个半导体激光器（2），该半导体激光器被设置为发射波长在360nm和485nm之间（包括端值）的初级辐射（P）。 此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分， 转换更大的波长。 由发光装置（1）发射的辐射（R）表现出至多50μm的光学相干长度。
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